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1. 发明申请

WO2019179942A1 HEIZEINHEIT FÜR HORIZONTALOFEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2019179942A1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：PCT/EP2019/056703
申请日：2019-03-18
申请人： CENTROTHERM INTERNATIONAL AG
发明人： KEGEL, Wilhelm
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/458 , H01L21/324 , H01L21/673
摘要： Es sind Heizeinheiten für einen Horizontalofen mit einem langgestreckten Prozessrohr zur Aufnahme einer Vielzahl von Substraten sowie ein Horizontalofen mit solchen Heizeinheiten beschrieben. Eine Heizeinheit weist wenigstens zwei als Teilrohr ausgebildete zueinander weisende Elemente auf, die als oberes und unteres Element in Vertikalrichtung übereinander liegen und die geeignet sind das Prozessrohr derart dazwischen Aufzunehmen, dass sie das Prozessrohr wenigstens teilweise radial umgeben, wobei die oberen und unteren Elemente jeweils wenigstens ein individuell ansteuerbares Heizelement derart aufweisen, das sowohl in Vertikalrichtung übereinander liegende und in Längsrichtung des Prozessrohrs benachbart zueinander liegende Heizelemente vorgesehen sind. Eine andere Heizeinheit weist wenigstens eine Vielzahl von separat ansteuerbaren ersten Heizelementen, die einen rohrförmigen Aufnahmeraum bilden auf, um das Prozessrohr über wenigstens einen Teil seiner Länge aufzunehmen und wenigsten teilweise radial zu umgeben und wenigstens ein Endelement mit einer Wärme reflektierenden Oberfläche und/oder wenigstens einem zweiten Heizelement, das sich im Wesentlich senkrecht zu einer Längserstreckung des rohrförmigen Aufnahmeraums erstreckt. Beide Heizeinheiten haben ferner eine Steuereinheit die konfiguriert ist zum individuellen und oder gruppenweisen Ansteuern der Heizelemente.

2. 发明申请

WO2017050772A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PASSIVIEREN VON DEFEKTEN IN HALBLEITERSUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备半导体衬底中的钝化缺陷
公开(公告)号：WO2017050772A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/EP2016/072321
申请日：2016-09-20
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： PERNAU, Thomas , VÖLK, Peter , ELSER, Hans-Peter , SCHEIFFELE, Wolfgang , REICHART, Andreas , ROMER, Olaf , JOOSS, Wolfgang
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , Y02E10/50
摘要： Es sind Verfahren und eine Vorrichtung zum Passivieren von Defekten eines Halbleitersubstrats, insbesondere einer Solarzelle auf Siliziumbasis beschrieben. Gemäß dem Verfahren wird das Substrat während einer ersten Prozessphase mit elektromagnetischer Strahlung beaufschlagt, wobei die auf das Substrat gerichtete Strahlung wenigstens Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 aufweist. Hierbei kann es zu einer Aufheizung des Substrats kommen, oder es kann eine Temperierung vorgesehen werden. Anschließend wird das Substrat während einer der ersten Prozessphase folgenden Temperatur-Haltephase mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt, wobei die auf das Substrat gerichtete Strahlung primär Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 aufweist, während eine von einer Quelle der elektromagnetischen Strahlung abgewandten Seite des Substrats über einen Kontakt mit einer durch eine Kühlvorrichtung gekühlten Auflage gekühlt wird. Die Vorrichtung weist einen Durchlaufofen mit einem langgestreckten Prozessraum mit wenigstens drei in Folge angeordneten Zonen aus erster Prozesszone, Temperatur-Haltezone und Abkühlzone und wenigstens eine Transporteinheit zur Aufnahme und zum Transport des Substrats durch die Zonen auf. Die Vorrichtung weist ferner wenigstens eine erste Strahlungsquelle auf, die elektromagnetische Strahlung auf einen in der ersten Prozesszone liegenden Bereich der Transporteinheit strahlen kann, und die geeignet ist wenigstens Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 zu erzeugen, sowie wenigstens eine zweite Strahlungsquelle, die elektromagnetische Strahlung auf einen in der Temperatur-Haltezone befindlichen Bereich der Transporteinheit strahlen kann, und die geeignet ist wenigstens Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 zu erzeugen. Wenigstens eine erste Kühleinheit ist in wärmeleitendem Kontakt mit dem in der Temperatur-Haltezone befindlichen Bereich der Transporteinheit angeordnet.
摘要翻译：有用于在半导体衬底的缺陷钝化已知的方法和设备，特别是基于描述硅的太阳能电池。根据该方法，将基板在与电磁辐射的第一处理阶段，其特征在于，引导到衬底的辐射包括至少在低于1200纳米的范围内，至少8000瓦/ m 2的强度的波长采取行动。这可能会导致衬底的加热，或者它可以是能够提供温度控制。随后，在如下的温度保持阶段的第一工艺阶段中的一个所述基板照射用电磁辐射，冲着衬底辐射从源电磁之一期间主要波长范围内的低于1200纳米，至少8000瓦/平方米的包括强度，从衬底的背向辐射侧由具有用冷却器冷却垫接触而冷却。该装置包括具有从第一处理区，保温区域和冷却区和至少一个输送单元布置在序列中的至少三个区域，用于接收和通过所述区输送基板的细长的处理室中的连续式炉。该装置还包括至少一个第一射线源，电磁辐射能够照射横卧在输送单元的第一处理区区域，并且其适于在该范围内至少波长低于1200纳米和产生平方米至少8000瓦的强度/和至少其中可以在所述传送单元的温度保持区区域中的对象发出的电磁辐射的第二辐射源，并且其适于在低于1200纳米的范围内，至少是8000瓦/平方米，以产生的强度至少波长。至少一个第一冷却单元被设置成与位于所述输送单元的温度保持区区域导热接触。

3. 发明申请

WO2016188657A1 DYNAMIC CCA FOR INCREASING SYSTEM THROUGHPUT OF A WLAN NETWORK 审中-公开
标题翻译：动态CCA用于增加WLAN网络的系统吞吐量
公开(公告)号：WO2016188657A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/EP2016/057373
申请日：2016-04-04
申请人： QUALCOMM TECHNOLOGIES INTERNATIONAL, LTD.
发明人： KAKANI, Naveen, Kumar
IPC分类号： H04W74/08 , H04W84/12
CPC分类号： H04W24/10 , H04W24/08 , H04W40/244 , H04W74/006 , H04W74/0816 , H04W84/12 , H04W88/08
摘要： The present invention relates generally to wireless networking, and more particularly to methods and apparatuses for providing increased system throughput of next generation WLAN devices without impacting the throughput of legacy devices. According to certain aspects of the invention, some embodiments allow a controller to set the energy level for an STA to use to determine whether the medium is busy or not. According to certain other aspects of the invention, some embodiments allow an STA to set the energy level individually of the controller but considering the received energy levels from neighbor AP's in the network. According to further other aspects of the invention, some embodiments allow an STA to set the energy level individually by taking into consideration of the load and percentage of legacy devices in the BSS and OBSSs of the network.
摘要翻译：本发明一般涉及无线网络，更具体地涉及用于在不影响传统设备的吞吐量的情况下提供下一代WLAN设备的增加的系统吞吐量的方法和设备。根据本发明的某些方面，一些实施例允许控制器设置STA的能级用于确定介质是否忙碌。根据本发明的某些其他方面，一些实施例允许STA单独设置控制器的能级，但考虑从网络中的邻近AP接收到的能量级别。根据本发明的其它方面，一些实施例允许STA通过考虑网络的BSS和OBSS中的遗留设备的负载和百分比来单独设置能级。

4. 发明申请

WO2013056828A1 VORRICHTUNG ZUM BESTIMMEN DER TEMPERATUR EINES SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译： DEVICE FOR确定衬底的温度
公开(公告)号：WO2013056828A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/EP2012/004347
申请日：2012-10-17
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG
发明人： REICHEL, Denise , LERCH, Wilfried , GELPEY, Jeff , SKORUPA, Wolfgang , SCHUMANN, Thomas
IPC分类号： G01J5/00 , G01J5/08 , H01L21/67
CPC分类号： G01J5/0007 , G01J5/0834 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist eine Vorrichtung 1 zum Bestimmen der Temperatur eines Halbleiterwafers während einer Erwärmung durch wenigstens eine erste Strahlungsquelle beschrieben. Die Vorrichtung weist eine erste Gitterstruktur 5,16 mit Gitterlinien 18 auf, die für einen wesentlichen Teil der Strahlung der ersten Strahlungsquelle undurchlässig sind, wobei die Gitterstruktur zwischen der ersten Strahlungsquelle 8 und dem Substrat W angeordnet ist, und eine Bewegungseinheit zum Bewegen der ersten Gitterstruktur. Ferner ist ein erster Strahlungsdetektor 20 vorhanden, der unmittelbar auf die zur Gitterstruktur weisende Oberfläche des Substrats gerichtet ist und eine Einrichtung zum Bestimmen einer vom Substrat aufgrund seiner Eigentemperatur emittierten Strahlung und zum Bestimmen der Temperatur des Substrats anhand einer vom ersten Strahlungsdetektor detektierten Strahlung.
摘要翻译：它是用于通过所述的至少一个第一辐射源加热期间确定半导体晶片的温度的装置1。该装置包括与网格线18，它是不渗透到所述第一辐射源的辐射的主要部分的第一光栅结构5.16，第一辐射源8和衬底W之间的晶格结构被放置，以及用于移动所述第一光栅结构的移动单元，此外，第一辐射检测器20存在，它直接面向朝向衬底的网格结构表面上的指向装置，以及用于确定从所述基底发射的由于其自身的热辐射和用于基于一个由所述第一辐射检测器的辐射检测到所述基板的温度。

5. 发明申请

WO2012004002A1 VACCUM SUCTION UNIT AND GRIPPER 审中-公开
标题翻译：真空吸尘器和抓斗
公开(公告)号：WO2012004002A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/003453
申请日：2011-07-11
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , GRAF, Ottmar
发明人： GRAF, Ottmar
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6838
摘要： The application describes a vacuum suction unit for a gripper for holding a disk-shaped substrate, the vacuum suction unit comprising a base body, a nozzle body having a suction nozzle, and a substrate contact element. The nozzle body and/or the substrate contact element is/are movable with respect to the base body, and the nozzle body comprises a receptacle, which is con¬ structed in such a way that the substrate contact element, after being received in the receptacle, radially surrounds the suction nozzle and protrudes over the suction nozzle in an axial direction. Furthermore, a gripper for holding a disk- shaped substrate is described, wherein the gripper comprises a base body, a first vacuum suction unit having a first substrate contact element movable with respect to the base body, and also at least one second vacuum suction unit having a second substrate contact element. The first and second vacuum suction units are arranged in such a way that the first and second substrate contact elements are located in one plane and are able to contact a disk-shaped and preferably planar substrate to be supported at the same time and on the same substrate side. Furthermore, means for applying a vacuum to the vacuum suction units are provided, the means being adapted to independently apply vacuum to the vacuum suction units. Also, a method for loading a wafer boat is described, wherein a wafer is sucked to a wafer gripper by at least one first and one second vacuum suction unit via vacuum, wherein a substrate contact element of the first vacuum suction unit is movable with respect to the wafer gripper. After this, the wafer gripper is moved into a receiving slot between plates of the wafer boat, and thereafter, the vacuum at the second vacuum suction unit is released, such that the wafer is supported only by the first vacuum suction unit. Now, the wafer is moved into receptacles of the wafer boat, wherein the substrate contact element carries out a lateral or rotational movement when the wafer contacts one or more of the receptacles. Thereafter, the vacuum at the first vacuum suction unit is released.
摘要翻译：本申请描述了一种用于夹持盘状基板的夹持器的真空抽吸单元，真空抽吸单元包括基体，具有吸嘴的喷嘴体和基板接触元件。喷嘴主体和/或基板接触元件可相对于基体移动，并且喷嘴主体包括插座，该插座被构造成使得基板接触元件在接收到插座中之后径向地包围吸嘴并在轴向方向上突出于吸嘴上。此外，描述了用于保持盘状基板的夹持器，其中夹持器包括基体，具有可相对于基体移动的第一基板接触元件的第一真空抽吸单元，以及至少一个第二真空抽吸单元具有第二基板接触元件。第一和第二真空抽吸单元被布置成使得第一和第二基板接触元件位于一个平面中，并且能够同时接触被支撑的盘形且优选平面的基板衬底侧。此外，提供了用于向真空抽吸单元施加真空的装置，该装置适于独立地向真空抽吸单元施加真空。另外，描述了一种用于装载晶片舟皿的方法，其中通过真空由至少一个第一和第二个第二真空抽吸单元将晶片吸入晶片夹持器，其中第一真空抽吸单元的衬底接触元件可相对于到晶片夹持器。此后，将晶片夹持器移动到晶片舟皿的板之间的接收槽中，之后释放第二真空抽吸单元处的真空，使得晶片仅由第一真空抽吸单元支撑。现在，将晶片移动到晶片舟皿的容器中，其中当晶片接触一个或多个容器时，衬底接触元件执行横向或旋转运动。此后，释放第一真空抽吸单元处的真空。

6. 发明申请

WO2011157382A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN VON POLYKRISTALLINEN SILIZIUMBLÖCKEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备制备多晶硅的积木
公开(公告)号：WO2011157382A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/002858
申请日：2011-06-10
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , HUSSY, Stephan , HOESS, Christian
发明人： HUSSY, Stephan , HOESS, Christian
IPC分类号： C03B11/00 , C30B11/04 , C30B29/06
CPC分类号： F27B14/04 , C01B33/021 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/04 , C30B29/06
摘要： Die Anmeldung beschreibt eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Siliziumblocks, in einem in einer Prozesskammer angeordneten Schmelztiegel, der mit Siliziummaterial befüllt ist. Das Siliziummaterial wird im Schmelztiegel aufgeschmolzen um eine Siliziumschmelze zu bilden und wird anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt. Während eines Abschnitts des Prozesses kann ein in der Prozesskammer befindliches, eine Durchgangsöffnung aufweisendes Plattenelement über der Siliziumschmelze angeordnet sein/werden und im Schmelztiegel unter die Erstarrungstemperatur der Siliziumschmelze; und eine Gasströmung wenigstens teilweise über die wenigstens eine Durchgangsöffnung in dem Plattenelement auf die Oberfläche der Siliziumschmelze gerichtet werden. Alternativ sind ein Verfahren und eine Schmelztiegelanordnung bestehend aus einem Schmelztiegel und einem Haltering beschrieben. Der Haltering kann auf oder oberhalb eines mit Siliziummaterial befüllten Schmelztiegel platziert werden, sodass zusätzliches Siliziummaterial derart in dem Haltering aufgenommen werden kann, dass das zusätzliche Siliziummaterial durch den Haltering oberhalb des Schmelztiegels gehalten wird. Beim Aufheizen des Siliziummaterials im Schmelztiegel und des zusätzlichen Siliziummaterials im Haltering wird eine Siliziumschmelze im Schmelztiegel gebildet die anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt werden kann.
摘要翻译：该申请描述了一种装置和用于生产多晶硅锭，在设置于该坩埚，其填充有硅材料的处理腔室的气缸的方法。硅材料在坩埚中熔化到硅熔体中，以形成并随后冷却至低于硅的固化温度。在该过程的一部分可以在处理室中的玩具可以是位于硅熔体之上的通孔参展板构件/是在坩埚和下面的硅熔体的凝固温度; 和气体流至少部分地由通道开口在板构件上的至少所述硅熔体的表面被引导。可替代地，一种方法和一种坩埚组件被描述，由坩埚和一个保持环。保持环可以被放置在或高于填充有硅材料的坩埚，使得额外的硅材料可以在保持环内被接收，该额外的硅材料通过坩埚上方的保持环保持。期间在所述坩埚和在所述保持环的额外的硅材料中的硅材料的加热，形成在其然后可以低于硅的固化温度冷却所述坩埚的硅熔体。

7. 发明申请

WO2011134653A1 APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING THE LOCATION OF PLATE ELEMENTS OF A WAFER BOAT 审中-公开
标题翻译：用于确定波浪板的板元件位置的装置和方法
公开(公告)号：WO2011134653A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/EP2011/002115
申请日：2011-04-27
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , KNÖPFLE, Daniel , HARTMANN, Andreas , GRAF, Ottmar
发明人： KNÖPFLE, Daniel , HARTMANN, Andreas , GRAF, Ottmar
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67265
摘要： An apparatus and a method for determining the location of plate elements of a wafer boat having a plurality of plate elements that are arranged substantially parallel to each other and each have top and bottom edges is described. In the method the wafer boat is arranged in a predetermined orientation and then at least three sensors, each directed at a top or bottom edge of a plate element, are moved along predetermined travel paths perpendicular to the plate elements, wherein at least a first travel path is above, at least a second travel path is below the wafer boat and at third travel path is laterally spaced from the first or second travel paths above or below the wafer boat. During this movement the position of the sensors along a respective travel path is determined continuously, and it is determined, in which position a respective plate element enters the measuring area of a sensor and exits the same. Additionally a respective distance between a sensor and an edge of a plate element is measured and the location of a respective plate element is determined by means of the sensor signals. The apparatus comprises the required elements for performing the method above. Furthermore an apparatus and a method for loading and/or unloading a wafer boat are described.
摘要翻译：描述了一种用于确定具有多个平板元件的晶片舟板的板元件的位置的装置和方法，所述多个板元件基本上彼此平行地布置并且各自具有顶部和底部边缘。在该方法中，晶片舟以预定方向布置，然后每个指向板元件的顶部或底部边缘的至少三个传感器沿着垂直于板件的预定行进路径移动，其中至少第一行程路径在上方，至少第二行进路径在晶片舟皿下方，并且第三行进路径与晶片舟皿上方或下方的第一或第二行进路径横向间隔开。在该移动期间，连续地确定传感器沿相应的行进路径的位置，并且确定相应的板元件进入传感器的测量区域并将其退出的位置。此外，测量传感器和板元件的边缘之间的相应距离，并且通过传感器信号确定相应板元件的位置。该装置包括用于执行上述方法的所需元件。此外，描述了用于装载和/或卸载晶片舟皿的装置和方法。

8. 发明申请

WO2011116991A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEHANDELN VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：装置和方法处理基材
公开(公告)号：WO2011116991A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2011/001553
申请日：2011-03-28
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
发明人： NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32862
摘要： Es ist eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten beschrieben, die ein eine Prozesskammer umgebendes Gehäuse, sowie wenigstens eine Substrataufnahme in dem Gehäuse aufweist. Ferner ist eine rohrförmige Mikrowellenelektrode zum Erzeugen eines Plasmas vorgesehen, wobei die Rohrachse auf die Substrataufnahme gerichtet ist, sowie eine Bewegungseinheit, welche die Mikrowellenelektrode oder die Substrataufnahme trägt und geeignet ist die Mikrowellenelektrode oder die Substrataufnahme so zu bewegen, dass die Rohrachse die Substrataufnahme während einer Behandlung überstreicht. Darüber hinaus weist die Vorrichtung eine erste Gasführung mit einem ersten Auslass auf, der sich in die rohrförmige Mikrowellenelektrode öffnet und der auf die Substrataufnahme gerichtet ist und eine zweite Gasführung, die die erste Gasführung wenigstens teilweise umgibt und einen zweiten Auslass aufweist, der koaxial zum ersten Auslass ausgerichtet ist, wobei die erste und zweite Gasführung mit der Bewegungseinheit verbunden sind, um gemeinsam mit der Mikrowellenelektrode bewegt zu werden, und wobei die erste und zweite Gasführung mit unterschiedlichen Gasquellen beaufschlagbar sind. Es ist auch ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, mit folgenden Schritten beschrieben, Leiten eines Strahls eines Wasserstoff-und/oder Deuterium enthaltenden Gases durch ein erstes Mikrowellenplasma, das vom zu behandelnden Substrat beabstandet ist, um einen Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen zu bilden, wobei der Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen auf das zu behandelnde Substrat gerichtet ist, Leiten eines Strahls aus Prekursorgasen durch das Mikrowellenplasma derart, dass der Strahl aus Prekursorgasen von dem Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen umgeben ist, und sie einen gemeinsamen Prozessstrahl bilden, der auf das zu behandelnde Substrat gerichtet ist, und Überstreichen des Prozessstrahls über das zu behandelnde Substrat zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf dem Substrat, wobei das Überstreichen durch eine entsprechende Bewegung einer ersten Mikrowellenelektrode und von Gaseinleitungsdüsen für das Wasserstoff- und/oder Deuterium enthaltende Gas und die Prekursorgase bewirkt wird
摘要翻译：它是用于治疗所述的基板，其包括围绕工艺腔室和在所述壳体中的至少一个基片支撑的壳体的装置。此外，管状微波电极提供用于产生等离子，其中所述管轴线被引导到衬底的接收，和支撑微波电极或基板接收和合适的微波电极或基板支撑件的移动单元将被移动，使得在一个基板支撑件的管轴治疗扫描。此外，该装置包括第一气体导管，其中通入所述管状微波电极与被引导到衬底接收和其中至少围绕第一气体引导部的第二气体引导件和具有与所述第一的第二出口同轴的第一出口与出口，其中，所述第一和第二气体导被连接到移动单元将与微波电极一起移动，并且其中，与不同的气源，第一和第二气体导的作用时对准。还有用于治疗被描述，包括以下步骤的衬底，将氢的光束的方法和/或通过第一微波等离子体，其从衬底隔开气体含氘待治疗，氢和/或氘自由基的光束形式，其中氢和/或氘自由基的光束被引导到衬底的待处理，传递Prekursorgasen的光束，由微波等离子体，使得由氢和/或氘自由基的光束从Prekursorgasen光束被包围，并且它们形成被引导到衬底的待处理的公共处理光束，以及用于在衬底上沉积外延层，待处理的衬底上的过程束的重新涂复，其中通过一个第一微波电极的相应运动的吹扫管和一个气体入口喷嘴的氢和 /或气体含氘和Prekursorgase被实现

9. 发明申请

WO2010115542A1 CLAMPING AND CONTACTING DEVICE FOR THIN SILICON RODS 审中-公开
标题翻译：用于薄硅棒的夹紧和接触装置
公开(公告)号：WO2010115542A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/EP2010/001985
申请日：2010-03-29
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , STUBHAN, Frank , LECK, Michael
发明人： STUBHAN, Frank , LECK, Michael
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C01B33/035 , C23C16/24 , C30B13/285
摘要： A clamping and contacting device for mounting and electrically contacting thin silicon rods in silicon deposition reactors is disclosed, the clamping and contacting device having a rod holder for receiving one end of a thin silicon rod. The rod holder comprises at least three contact elements disposed around a receiving space for the thin silicon rod. Each of the contact elements forms a contact surface facing towards a receiving space for electrically and mechanically contacts the thin silicon rod, wherein the contact surfaces of adjacent contact elements are spaced apart.
摘要翻译：公开了一种用于在硅沉积反应器中安装和电接触薄硅棒的夹紧和接触装置，夹紧和接触装置具有用于容纳薄硅棒的一端的杆保持器。棒保持器包括围绕用于薄硅棒的容纳空间设置的至少三个接触元件。每个接触元件形成面向容纳空间的接触表面，用于电和机械地接触薄硅棒，其中相邻接触元件的接触表面间隔开。

10. 发明申请

WO2020074623A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR STABILISIERUNG VON PRÄKURSORFASERN ODER -FOLIEN FÜR DIE HERSTELLUNG VON CARBONFASERN ODER -FOLIEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020074623A1
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：PCT/EP2019/077438
申请日：2019-10-10
申请人： CENTROTHERM INTERNATIONAL AG
发明人： CLAUSS, Manuel , KELLER, Andreas
IPC分类号： D01F9/22 , D01F9/17 , D01F9/16
摘要： Es ist ein Verfahren zum Stabilisieren von Präkursorfasern für die Herstellung von Carbonfasern, offenbart. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: kontinuierliches Einführen, Hindurchführen und Ausführen der Präkursorfasern in, durch und aus einer Prozesskammer; Einstellen einer vorbestimmten, sich in der Zusammensetzung von der Umgebungsluft unterscheidenden Prozessgasatmosphäre in der wenigstens einen Prozesskammer, wobei die Prozessgasatmosphäre wenigstens eine reaktive Komponente und/oder einen Katalysator mit einem vorbestimmten Partialdruck enthält; während sich die Präkursorfasern in der Prozesskammer befinden, Erwärmen derselben auf wenigstens eine erste Temperatur und Halten der ersten Temperatur für eine vorbestimmte Zeitdauer.

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