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1. 发明申请

WO2022228790A1 INTEGRATED OPTICAL WAVEGUIDE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022228790A1
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：PCT/EP2022/057803
申请日：2022-03-24
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , TECHNISCHE HOCHSCHULE WILDAU
发明人： STEGLICH, Patrick , MAI, Christian , MAI, Andreas , VILLASMUNTA, Francesco , VILLRINGER, Claus , SCHRADER, Sigurd
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/136 , G02B6/43 , G02B6/132 , G02B6/42 , G02B6/12
摘要： The present invention regards an integrated optical waveguide (1000) formed in a substrate (10). The integrated optical waveguide (1000) includes a hole (12'), a core (14'), and one or more bridges (16'). The hole (12') extends in an axial direction (z) of the substrate (10). The core (14') is made of the same material as the substrate (10), arranged in the hole (12'), and extends in the axial direction (z). The core (14) has a first refractive index and a sidewall (15') which is at least partly surrounded by a surrounding material (20') which has a second refractive index which is lower than the first refractive index and such that a refractive index difference between the first refractive index and the second refractive index allows to guide light within the core (14'). The one or more bridges extend from the sidewall of the core to a sidewall of the hole.

2. 发明申请

WO2021058672A1 GRADIENT INDEX METAMATERIAL LENS FOR TERAHERTZ RADIATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2021058672A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/EP2020/076771
申请日：2020-09-24
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： CAO, Zhibo , KAYNAK, Mehmet , WIETSTRUCK, Matthias , STOCCHI, Matteo
IPC分类号： H01Q15/08 , H01Q15/10 , H01Q19/06
摘要： A lens (100) for terahertz radiation, which can be used in an antenna arrangement (400), comprises a cylindrical lens body made of silicon having a planar front surface and a planar back surface. The lens body has a front body region (30) which forms a silicon metamaterial with a relative permittivity that decreases in a lateral direction with increasing radial distance from a cylinder axis. A back body region (20) is immediately adjacent to the front body region and extends to the back surface. It consists of bulk silicon having a laterally constant relative permittivity. The front body region comprises holes that are distributed on the front surface in rings that are concentric with respect to the cylinder axis. The holes extend from the front surface to respective hole bottoms at an equal bottom level in a depth direction. The hole bottoms interface with the back body region.

3. 发明申请

WO2012175716A1 VERTIKALER BIPOLARTRANSISTOR MIT LATERALEM KOLLEKTOR-DRIFTGEBIET 审中-公开
标题翻译：具有侧向COLLECTOR电场漂移垂直双极型晶体管
公开(公告)号：WO2012175716A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/EP2012/062155
申请日：2012-06-22
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , SORGE, Roland
发明人： SORGE, Roland
IPC分类号： H01L29/732 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/40 , H01L29/735
CPC分类号： H01L29/732 , H01L29/063 , H01L29/0821 , H01L29/402 , H01L29/735
摘要： Vertikaler Bipolartransistor, mit einer vertikalen Schichtfolge von Emitter (106), Basis (108) und Kollektor (110, 124, 120), bei dem der Kollektor ein dotiertes inneres Kollektorgebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein im Vergleich mit dem inneren Kollektorgebiet höher dotiertes Kollektoranschlussgebiet (120) des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, und bei dem an das innere Kollektorgebiet (110) in einer lateralen Richtung, die quer zu einer vertikalen Stapelrichtung der Schichtfolge weist, ein im Vergleich mit dem inneren Kollektorgebiet schwächer dotiertes Kollektor-Driftgebiet (124) des ersten Leitfähigkeitstyps ohne eine darunter liegende hoch dotierte vergrabene Schicht vom selben Leitfähigkeitstyp, i.e. ohne Subkollektor, anschließt, über welches das innere Kollektorgebiet mit dem Kollektoranschlussgebiet verbunden ist.
摘要翻译：一种垂直双极型晶体管，与发射器垂直的层序列（106），基部（108）和收集器（110，124，120），其中，所述收集器是第一导电类型的掺杂内侧集电区（110）和较高的作为与内集电极区域相比掺杂集电极连接区域（120）的第一导电类型的，并且其中在横向指向的层序列，较弱掺杂的垂直堆叠方向与内集电极区域集电极漂移区比较的横向方向上的内侧集电区（110）（124）第一导电类型不相同的导电类型，即一个潜在的重掺杂掩埋层无子集电极，连接，通过该内侧集电区被连接到集电极连接区域。

4. 发明申请

WO2010108825A1 PROTOKOLLBESCHLEUNIGERMODUL MIT PAKETWEITERLEITUNGSFUNKTION UND BETRIEBSVERFAHREN FÜR EINEN SENDEREMPFÄNGER ZUR SCHNELLEN WEITERLEITUNG VON DATENPAKETEN 审中-公开
标题翻译：带包装转发功能，工作程序协议加速器模块用于接收器，用于快速数据包转发
公开(公告)号：WO2010108825A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/053388
申请日：2010-03-16
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , DIETTERLE, Daniel , LANGENDÖRFER, Peter
发明人： DIETTERLE, Daniel , LANGENDÖRFER, Peter
IPC分类号： H04L12/40 , H04L12/24 , H04L29/12
CPC分类号： H04L12/417 , H04W88/02
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Protokollbeschleunigermodul für ein Datenübertragungsprotokollebene eines Senderempfängers, insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, zur schnellen Weiterleitung von Datenpaketen in drahtlosen Sensornetzwerken im Zeitmultiplex-Verfahren gemäß dem IEEE 802.15.4 Standard. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Betriebsverfahren für einen Senderempfänger zur schnellen Weiterleitung von Datenpaketen, ebenfalls insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, in drahtlosen Sensornetzwerken im Zeitmultiplex-Verfahren gemäß dem IEEE 802.15.4 Standard. Kern der Erfindung ist eine Verweistabelle, in der sowohl Verweise von Kennungen zweiter Senderempfänger auf Kennungen dritter Senderempfänger als auch Verweise von bestimmten Nachrichten auf Kennungen dritter Senderempfänger hinterlegt sind. Ein Senderempfänger kann schon während des Empfangs eines Datenpakets überprüfen, ob es sich um ein weiterzuleitendes Datenpaket handelt und entsprechende Vorkehrungen für das schnelle Versenden eines weiterzuleitenden Datenpakets treffen. Somit können Echtzeitbedingungen vieler Anwendungen erfüllt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于收发机的数据传输协议层的协议加速器模块，特别地但不排他地用于根据IEEE 802.15.4标准中的时分多路复用方法在无线传感器网络中的数据分组的快速转发。此外，本发明涉及一种操作收发机的数据分组的快速转发，也特别的方法，但不排他地，在时分多路复用方法的无线传感器网络根据IEEE 802.15.4标准。本发明的实质是在该标识符第二收发信机的两个链路被沉积在标识符第三收发器，以及指向特定的报文标识符第三收发器的参考表。发射机接收机可以数据分组的接收期间已经检查，是否它是一个weiterzuleitendes数据分组，并采取适当的预防措施，用于快速发送转发的数据包。因此，可满足许多应用的实时情况。

5. 发明申请

WO2010072550A1 MIXED-SIGNAL SENDESCHALTUNG FÜR GESCHALTETE LEISTUNGSVERSTÄRKER 审中-公开
标题翻译：混合信号传输电路的开关功率转换器
公开(公告)号：WO2010072550A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/EP2009/066457
申请日：2009-12-04
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , SCHEYTT, Johann Christoph
发明人： SCHEYTT, Johann Christoph
IPC分类号： H03F3/24 , H03F3/217 , H03F1/32 , H03K7/08 , H04L27/36 , H03F3/19
CPC分类号： H03F3/245 , H03F1/32 , H03F3/19 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H04L25/4902 , H04L27/361
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorschalteinheit (1) für einen geschalteten Leistungsverstärker (2) für eine Hochfrequenz-Sendeschaltung (16). Die Vorschalteinheit (1) führt dem geschalteten Leistungsverstärker (2) ein pulslängenmoduliertes HF-Pulssignal (22) zu, wobei insbesondere die Linearität der Pulslängenmodulation sowie die der Hochfrequenz-Sendeschaltung verbessert ist. Die erfindungsgemäße Vorschalteinheit (1) weist einen ersten Signaleingang (3) für ein hochfrequentes, phasenmoduliertes erstes Eingangssignal (18), einen zweiten Signaleingang (4) für ein im Vergleich mit dem ersten Eingangssignal (18) niederfrequentes zweites Eingangssignal (19), eine steuerbare erste Verzögerungseinheit (5), eine steuerbare zweite Verzögerungseinheit (7), einen Pulsgenerator (9), und eine Steuereinheit (10) auf.
摘要翻译：本发明涉及一种上游单元（1）一种用于开关功率放大器（2），用于高频传输电路（16）。上游单元（1）导致了门控功率放大器（2）的脉冲长度调制的RF脉冲信号（22），特别是脉冲宽度调制和高频传输电路的线性度提高。根据本发明（1）具有用于高频率的第一信号输入端（3），相位调制的第一输入信号（18）的上游部，第二信号输入端（4）为一个，在与所述第一输入信号进行比较（18）的低频率的第二输入信号（19），可控制的第一延迟单元（5），可控制的第二延迟单元（7），一个脉冲发生器（9），以及控制单元（10）。

6. 发明申请

WO2010066630A1 BIPOLARTRANSISTOR MIT SELBSTJUSTIERTEM EMITTERKONTAKT 审中-公开
标题翻译：自对准双极发射极接触
公开(公告)号：WO2010066630A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/EP2009/066316
申请日：2009-12-03
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , FOX, Alexander , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMEYER, Steffen
发明人： FOX, Alexander , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMEYER, Steffen
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/732 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/161
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/8222 , H01L21/8249 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/161 , H01L29/66272 , H01L29/7322 , H01L29/7371
摘要： Halbleitervorrichtung, umfassend eine Substratschicht aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einem ersten Isolationsgebiet, und einen vertikalen Bipolartransistor mit einem in einer Öffnung des ersten Isolationsgebietes angeordneten ersten Höhenabschnitt eines Kollektors aus einkristallinem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einem zweiten Isolationsgebiet, das teils auf dem ersten Höhenabschnitt des Kollektors und teils auf dem ersten Isolationsgebiet aufliegt und im Bereich des Kollektorseine Öffnung besitzt, in der ein zweiter Höhenabschnitt des Kollektors aus einkristallinem Material angeordnet ist, der einen inneren Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst, einer Basis aus einkristallinem Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps, einem Basisanschlussgebiet, das in lateraler Richtung die Basis umgibt, einem T-förmigen Emitter aus Halbleitermaterial des zweiten Leitfähigkeitstyps, der das Basisanschlussgebiet überlappt, wobei das Basisanschlussgebiet, abgesehen von einer zum Substrat hin angrenzenden Ankeimschicht oder einer zu einem Basiskontakt hin angrenzenden Metallisierungsschicht, aus einem Halbleitermaterial besteht, das vom Halbleitermaterial des Kollektors, der Basis und des Emitters in seiner chemischen Zusammensetzung verschieden ist und im Vergleich mit diesem eine höhere Beweglichkeit von Majoritätsladungsträgern des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist.
摘要翻译：一种半导体器件，其包括具有第一隔离区域上的第一导电类型的半导体材料的基板层;以及具有设置在制成的第二导电型，第二隔离区域，在高度的第一部分的部分的单晶半导体材料的收集器的第一绝缘区域的第一高度部分的开口的圆柱体的垂直双极晶体管集电极和部分地搁置在第一隔离区域和具有在集电体的第二垂直部分的开口设置单晶材料的集电极，其包括第二导电类型的内部区域，所述第一导电类型，一个基极连接区域的单晶半导体材料的基极的面积包围在横向方向上的基极，第二导电类型，所述基极连接区域，溢出的半导体材料的T形发射器 APPT，其中，所述基极连接区域，除了一个朝向基底相邻的籽晶层或朝向相邻的金属化层的基体接触由是从集电体的半导体材料，基底，并在其化学组成和与该比较的发射极不同的半导体材料的具有第一导电类型的多数载流子的较高迁移率。

7. 发明申请

WO2022043513A1 DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION 审中-公开
公开(公告)号：WO2022043513A1
公开(公告)日：2022-03-03
申请号：PCT/EP2021/073776
申请日：2021-08-27
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： LISCHKE, Stefan
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G02F1/025
摘要： The present invention relates to a diode (300) comprising a p-doped region (312), an n-doped region (314), and a light-sensitive intrinsic region (310) sandwiched laterally between the p-doped region (312) and the n-doped region (314) in a direction transverse to a direction of light propagation in the diode (300). The p-doped region (312) is made of a first material doped with a first type of dopant and the n-doped region (314) is made of a third material doped with a second type of dopant. The first material includes Si or SiGe. The third material includes Si or SiGe. The intrinsic region (310) is made of a second material different to at least one of the first material and the second material. The second material includes Ge, GeSn, or SiGe. The intrinsic region (310) has a maximal lateral extension between two lateral ends (318, 320) of the intrinsic region (310) of equal to or below 400 nm. The p-doped region (312) and the n-doped region (314) are in-situ doped such that the intrinsic region (310) is not doped when the diode (300) is produced.

8. 发明申请

WO2021122723A1 SUBSTRATE AND METHOD FOR MONOLITHIC INTEGRATION OF ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC DEVICES 审中-公开
公开(公告)号：WO2021122723A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：PCT/EP2020/086390
申请日：2020-12-16
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： MAI, Andreas , KNOLL, Dieter
IPC分类号： H01L27/06 , G02B6/13 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L21/84 , G02B6/131 , G02B6/4274 , H01L21/76283 , H01L27/0617 , H01L27/0635 , H01L27/1207
摘要： The invention relates to a silicon-based multifunction substrate. The silicon-based multifunction substrate comprises bulk silicon regions (102) extending from a front surface to a back surface of the silicon- based multifunction substrate and at least one buried oxide layer (108.1, 108.2) laterally arranged between the bulk silicon regions. The buried oxide layer is covered by a structured silicon layer (110.1, 110.2) extending up to the front surface. The structured silicon layer comprises, laterally arranged between the bulk silicon regions, at least two silicon-on-insulator regions, herein SOI regions, with different thicknesses above the buried oxide layer. The SOI regions of the structured silicon layer are electrically insulated from each other by a respective first trench isolation extending from the front surface to the buried oxide layer.

9. 发明申请

WO2021115793A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021115793A1
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：PCT/EP2020/083492
申请日：2020-11-26
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN , IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： CARTA, Corrado , PANIC, Goran , KLUKAS, Ralf
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01Q1/22 , H01Q23/00 , H01Q13/10 , H01Q19/06 , H01Q21/00 , H01Q21/06
摘要： A semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure are disclosed, wherein the semiconductor structure (100) includes: a substrate (102), comprising a first side (104) and a second side (106); a metal layer stack (108) disposed over the first side (104) of the substrate (102), wherein the metal layer stack (108) includes a plurality of metallization layers (110) and interdielectric layers and wherein an antenna element (112) is formed in the metal layer stack (108); wherein the antenna element (112) is configured to align the main radiation direction of the antenna element (112) in direction of the substrate (102); and wherein the second side (106) of the substrate is configured as a dielectric resonator (114).

10. 发明申请

WO2016120362A1 INTRINSISCHE AUTHENTIFIZIERUNG VON PROGRAMCODE 审中-公开
标题翻译：程序代码固有鉴别
公开(公告)号：WO2016120362A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/EP2016/051756
申请日：2016-01-28
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： STECKLINA, Oliver , LANGENDÖRFER, Peter
IPC分类号： H04L9/06 , H04L9/00 , G06F21/12 , G09C1/00
CPC分类号： H04L9/0662 , G06F21/125 , G09C1/00 , H04L9/002 , H04L9/0637 , H04L2209/12 , H04L2209/20
摘要： Krypto-Prozessor, umfassend einen Prozessorkern zum Empfang und zur Ausführung von Instruktionen eines Programmcodes, dem ein Programmablaufplan zugrundeliegt, eine Programmspeichereinheit, die den Programmcode mit Instruktionen in einzeln verschlüsselter Form speichert, wobei die Instruktionen jeweils mindestens ein Instruktionsdatenwort und einen der jeweiligen Instruktion zugeordneten Instruktions-Datenschlüssel enthalten, eine jeweilige Instruktion unter Verwendung eines Programm-Datenschlüssels und des Instruktions-Datenschlüssels einer jeweiligen Vorgängerinstruktion verschlüsselt ist, welche gemäß dem Programmablaufplan unmittelbar vorher auszuführen ist, und wobei nur in dem Fall, dass eine betreffende Instruktion im Programmablaufplan eine Mehrzahl möglicher Vorgängerinstruktionen hat, den betreffenden möglichen Vorgängerinstruktionen derselbe Instruktions-Datenschlüssel zugeordnet ist, die jeweiligen Instruktions-Datenschlüssel ansonsten aber instruktions-individuell sind; und eine Entschlüsselungseinheit, die ausgebildet ist, von der Programmspeichereinheit her die verschlüsselten Instruktionen zu empfangen und eine jeweilige empfangene verschlüsselte Instruktion unter Verwendung des Programm-Datenschlüssels und des Instruktions-Datenschlüssels der betreffenden Vorgängerinstruktion zu entschlüsseln, das so aktuell entschlüsselte mindestens eine Instruktionsdatenwort der Instruktion dem Prozessorkern zur Ausführung der Instruktion zuzuführen sowie den so aktuell entschlüsselten Instruktions-Datenschlüssel zur Verwendung bei der Entschlüsselung der unmittelbar nächsten empfangenen verschlüsselten Instruktion vorzuhalten.
摘要翻译：密码处理器，包括：用于接收并执行的程序代码，这是设置流程图，其存储与在单独加密形式的指令的程序代码的程序存储单元，指令的处理器核心，其特征在于在每种情况下的指示的至少一个指令数据字与相应的指令相关联的指令中的一个 -Datenschlüssel包含相应的指令利用程序数据密钥和相应的前导指令的指令数据密钥进行加密，以根据流程图来立即执行的上方，并且其中，仅在所讨论中的程序中的指令调度多个可能的前驱指令的情况下已经有问题的可能的前驱指令与所述相同的指令数据项，相应的指令数据密钥，但是否则指令INDI相关联是vidually; 以及被配置的解密单元，用于接收从所述程序存储单元产生的加密的指令，并使用该程序的数据密钥和相应的前导指令的指令数据密钥，这作为局部解密的指令的至少一个指令数据字到解密各自的接收加密的指令用于指令的执行，以及在如此自责供给处理器核心当前解码为在接收到的加密立即下一指令的解密使用指令的数据密钥。

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