专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

81. 发明申请

WO2011063146A3 PLASMA SOURCE DESIGN 审中-公开
公开(公告)号：WO2011063146A3
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：PCT/US2010057274
申请日：2010-11-18
申请人： APPLIED MATERIALS INC , LUBOMIRSKY DMITRY , YANG JANG-GYOO , MILLER MATTHEW L , PINSON JAY D III , CHUC KIEN N
发明人： LUBOMIRSKY DMITRY , YANG JANG-GYOO , MILLER MATTHEW L , PINSON JAY D III , CHUC KIEN N
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32357
摘要： Embodiments of the present invention generally provide a plasma source apparatus, and method of using the same, that is able to generate radicals and/or gas ions in a plasma generation region that is symmetrically positioned around a magnetic core element by use of an electromagnetic energy source. In general, the orientation and shape of the plasma generation region and magnetic core allows for the effective and uniform coupling of the delivered electromagnetic energy to a gas disposed in the plasma generation region. In general, the improved characteristics of the plasma formed in the plasma generation region is able to improve deposition, etching and/or cleaning processes performed on a substrate or a portion of a processing chamber that is disposed downstream of the plasma generation region.

82. 发明申请

WO2011063146A2 PLASMA SOURCE DESIGN 审中-公开
标题翻译：等离子源设计
公开(公告)号：WO2011063146A2
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：PCT/US2010/057274
申请日：2010-11-18
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , LUBOMIRSKY, Dmitry , YANG, Jang-Gyoo , MILLER, Matthew L. , PINSON, Jay D., III , CHUC, Kien N.
发明人： LUBOMIRSKY, Dmitry , YANG, Jang-Gyoo , MILLER, Matthew L. , PINSON, Jay D., III , CHUC, Kien N.
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32357
摘要： Embodiments of the present invention generally provide a plasma source apparatus, and method of using the same, that is able to generate radicals and/or gas ions in a plasma generation region that is symmetrically positioned around a magnetic core element by use of an electromagnetic energy source. In general, the orientation and shape of the plasma generation region and magnetic core allows for the effective and uniform coupling of the delivered electromagnetic energy to a gas disposed in the plasma generation region. In general, the improved characteristics of the plasma formed in the plasma generation region is able to improve deposition, etching and/or cleaning processes performed on a substrate or a portion of a processing chamber that is disposed downstream of the plasma generation region.
摘要翻译：本发明的实施例通常提供一种等离子体源装置及其使用方法，其能够在等离子体产生区中产生自由基和/或气体离子，该等离子体产生区对称地位于磁体核心元件通过使用电磁能源。通常，等离子体生成区域和磁芯的取向和形状允许将所递送的电磁能量有效且均匀地耦合到设置在等离子体生成区域中的气体。通常，在等离子体生成区域中形成的等离子体的改善的特性能够改善在布置在等离子体生成区域下游的衬底或处理室的一部分上执行的沉积，蚀刻和/或清洁过程。 p>

83. 发明申请

WO2011037757A2 METHOD AND APPARATUS FOR HIGH EFFICIENCY GAS DISSOCIATION IN INDUCTIVE COUPLED PLASMA REACTOR 审中-公开
标题翻译：电感耦合等离子体反应器高效气体分离的方法与装置
公开(公告)号：WO2011037757A2
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/US2010/048269
申请日：2010-09-09
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , NANGOY, Roy, C. , SINGH, Saravjeet , FARR, Jon, C. , PAMARTHY, Sharma, V. , KUMAR, Ajay
发明人： NANGOY, Roy, C. , SINGH, Saravjeet , FARR, Jon, C. , PAMARTHY, Sharma, V. , KUMAR, Ajay
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45508 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32458 , H01L21/30655 , H01L21/67069
摘要： Embodiments of the present invention relate to method and apparatus for providing processing gases to a process chamber with improved plasma dissociation efficiency. One embodiment of the present invention provides a baffle nozzle assembly comprising an outer body defining an extension volume connected to a processing chamber. A processing gas is flown to the processing chamber through the extension volume which is exposed to power source for plasma generation.
摘要翻译：本发明的实施例涉及用于向具有改进的等离子体解离效率的处理室提供处理气体的方法和装置。本发明的一个实施例提供了一种挡板喷嘴组件，其包括限定连接到处理室的延伸体的外部主体。处理气体通过暴露于等离子体产生的电源的延伸体积流到处理室。

84. 发明申请

WO2010104122A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2010104122A1
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：PCT/JP2010/054019
申请日：2010-03-10
申请人：株式会社イー・エム・ディー , 節原裕一 , 江部明憲
发明人：節原　裕一 , 江部　明憲
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32477 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要：　本発明は、真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。本発明に係るプラズマ処理装置１０は、真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。
摘要翻译：提供一种等离子体处理装置，其中可以在真空容器中形成强感应场，所述装置能够防止天线导体的溅射和温度升高以及颗粒的形成。等离子体处理装置（10）包括真空容器（11），设置在真空容器（11）的壁的内表面（111A）和外表面（111B）之间的高频天线（21）用于将高频天线（21）与真空容器（11）的内部分离的绝缘分隔构件（16）。这使得可以在真空容器（11）中形成比在外部天线型设备中更强的感应场。分隔构件（16）可以抑制高频天线（21）的溅射，高频天线（21）的温度升高和颗粒的形成，所有这些都是由在真空容器中产生的等离子体引起的（11）。

85. 发明申请

WO2010092433A1 APPARATUS FOR LARGE AREA PLASMA PROCESSING 审中-公开
标题翻译：用于大面积等离子体处理的装置
公开(公告)号：WO2010092433A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/IB2009/050549
申请日：2009-02-10
申请人： HELYSSEN Sàrl , GUITTIENNE, Philippe
发明人： GUITTIENNE, Philippe
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211
摘要： An apparatus for large area plasma processing according to the invention comprises at least one plane antenna (A) having a plurality of interconnected elementary resonant meshes (Ml, M2, M3), each mesh (Ml, M2, M3) comprising at least two conductive legs (1, 2) and at least two capacitors (5, 6). A radiofrequency generator excites said antenna (A) to at least one of its resonant frequencies. A process chamber is in proximity of said antenna (A). Said antenna (A) produces an electromagnetic field pattern with a very well defined spatial structure, which allows a great control on the excitation of the plasma.
摘要翻译：根据本发明的用于大面积等离子体处理的装置包括具有多个互连的基本共振网格（M1，M2，M3）的至少一个平面天线（A），每个网格（M1，M2，M3）包括至少两个导电腿部（1,2）和至少两个电容器（5,6）。射频发生器将所述天线（A）激发到其谐振频率中的至少一个。处理室位于所述天线（A）附近。所述天线（A）产生具有非常明确定义的空间结构的电磁场图案，其允许对等离子体的激发的很好的控制。

86. 发明申请

WO2010082327A1 プラズマ処理装置およびプラズマ生成装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理设备和等离子体发生设备
公开(公告)号：WO2010082327A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/JP2009/050428
申请日：2009-01-15
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ , 西尾良司
发明人：西尾良司
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/36
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32651 , H01J37/3266 , H01J2237/334
摘要：　ICPプラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。　プラズマ処理装置であって、真空処理室1と、絶縁材12と、ガス導入口3と、真空処理室１の外部上方に設けた高周波誘導アンテナ（アンテナ）7と、真空処理室1内に磁場を形成する磁場コイル81、82と、真空処理室１内の磁場の分布を制御するヨーク83と、アンテナ7に高周波電流を供給するプラズマ生成用高周波電源51と、磁場コイル81、82に電力を供給する電源とを備え、アンテナ7をｎ個の高周波誘導アンテナ要素7-1（図示せず）、7-2、7-3（図示せず）、7-4に分割し、分割されたアンテナ要素を一つの円周上に縦列に並べ、縦列に配置された各アンテナ要素に遅延手段7-2～7-4を介して順次λ（高周波電源の波長）／ｎずつ遅延させた高周波電流を右回りに順に遅れて流れるようにするとともに、磁場コイル81、82より磁場を印加して電子サイクロトロン共鳴（ECR）現象を発生させる。
摘要翻译：公开了等离子体和等离子体点火的均匀性提高的ICP等离子体处理设备。等离子体处理设备包括真空处理室（1），绝缘材料（12），气体入口（3），设置在真空处理室（1）的上方的高频感应天线（天线）（7），磁性用于在真空处理室（1）中形成磁场的磁场线圈（81,82），用于控制真空处理室（1）中的磁场分布的磁轭（83），高频电源（51）用于产生等离子体并向天线（7）提供高频电流;以及电源，用于向磁场线圈（81,82）供电，其中天线（7）被分成n个高频感应天线元件如图7-1）（未示出），（7-2），（7-3）（未示出）和（7-4），分割天线元件串联排列在一个圆上，使得高频电流延迟顺序地通过π（高频电源的波长）/ n顺时针流过布置在其中的天线元件（7-2至7-4）串联经由延迟装置，并且从磁场线圈（81,82）施加磁场以产生电子回旋共振（ECR）现象。

87. 发明申请

WO2009084901A3 METHOD FOR CONTROLLING PLASMA DENSITY DISTRIBUTION IN PLASMA CHAMBER 审中-公开
标题翻译：用于控制等离子体室内等离子体密度分布的方法
公开(公告)号：WO2009084901A3
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/KR2008007780
申请日：2008-12-30
申请人： NEST CORP , KIM YOUNG
发明人： KIM YOUNG
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32091 , H01J37/321
摘要： A method for controlling plasma density distribution in a plasma chamber in order to control a critical dimension (CD) and obtain uniformity of an etching rate. The plasma density distribution control method is used to fabricate a semiconductor device in the plasma chamber and comprises the steps of establishing an intended plasma density distribution in the plasma chamber and controlling a voltage distribution in the plasma chamber with relation to the established plasma density distribution.
摘要翻译：一种用于控制等离子体室中的等离子体密度分布的方法，以便控制临界尺寸（CD）并获得蚀刻速率的均匀性。等离子体密度分布控制方法用于在等离子体室中制造半导体器件，包括以下步骤：在等离子体室中建立预期的等离子体密度分布，并根据已建立的等离子体密度分布控制等离子体室内的电压分布。

88. 发明申请

WO2009093459A1 原子層成長装置および薄膜形成方法审中-公开
标题翻译：原子层生长装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：WO2009093459A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/JP2009/000240
申请日：2009-01-22
申请人：三井造船株式会社 , 村田和俊 , 鷲尾圭亮
发明人：村田和俊 , 鷲尾圭亮
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/509 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/403 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01L21/3141
摘要：　成膜容器内には、酸化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、基板が載置される基板ステージとが配設されている。アンテナアレイは、棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆された複数のアンテナ素子が平行に配設されて構成されている。また、アンテナアレイは、基板ステージ上に基板が載置される位置よりも、成膜容器の側壁に形成された供給孔から基板ステージに向けて供給される酸化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設されている。
摘要翻译：通过使用氧化物气体产生等离子体的天线阵列和用于放置基板的基板台布置在成膜容器中。通过用电介质材料涂覆棒状天线主体来提供天线元件，并且天线阵列通过彼此并联布置多个天线元件而构成。此外，与形成在成膜容器的侧壁上的供给口相比，天线阵列被布置在从供给到基板载台的氧化气体的气体流动方向的上游的空间中，与基板的位置放置在基材台上。

89. 发明申请

WO2009063631A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2009063631A1
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：PCT/JP2008/003291
申请日：2008-11-12
申请人：株式会社イー・エム・ディー , 節原裕一 , 江部明憲
发明人：節原裕一 , 江部明憲
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , C23C16/503 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3266 , H01J37/3277
摘要：　本発明は、生成されたプラズマを効率よく利用することができるプラズマ処理装置を提供することを目的としている。本発明に係るプラズマ処理装置１０は、真空容器１１と、真空容器１１の内部空間１１１に突出するように設けられたアンテナ（プラズマ生成手段）支持部１２と、アンテナ支持部１２に取り付けられた高周波アンテナ（プラズマ生成手段）１３と、を備えることを特徴とする。これにより、高周波アンテナが取り付けられる部分の面積が小さくなり、プラズマの利用効率が向上する。
摘要翻译：公开了能够有效地利用所产生的等离子体的等离子体处理装置。等离子体处理装置（10）包括真空室（11），设置成投影到真空室（11）的内部空间（111）中的天线（等离子体产生装置）支撑部分（12）和高频天线（等离子体产生装置）（13），其附接到天线支撑部分（12）。高频天线附着的区域由此变小，等离子体使用效率提高。

90. 发明申请

WO2008094297A3 A MULTI-SOURCE PLASMA FOCUSED ION BEAM SYSTEM 审中-公开
标题翻译：多源等离子体聚焦离子束系统
公开(公告)号：WO2008094297A3
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/US2007073618
申请日：2007-07-16
申请人： FEI CO , SMITH NOEL , CHANDLER CLIVE D , UTLAUT MARK W , TESCH PAUL P , TUGGLE DAVE
发明人： SMITH NOEL , CHANDLER CLIVE D , UTLAUT MARK W , TESCH PAUL P , TUGGLE DAVE
IPC分类号： G21G5/00
CPC分类号： H01J37/3007 , C23C14/0031 , C23C14/221 , H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/305 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J37/32082 , H01J37/3211 , H01J2237/006 , H01J2237/0817 , H01J2237/0827 , H01J2237/31 , H01J2237/31749
摘要： The present invention provides a plasma ion beam system that includes multiple gas sources and that can be used for performing multiple operations using different ion species to create or alter submicron features of a work piece. The system preferably uses an inductively coupled, magnetically enhanced ion beam source, suitable in conjunction with probe-forming optics sources to produce ion beams of a wide variety of ions without substantial kinetic energy oscillations induced by the source, thereby permitting formation of a high resolution beam.
摘要翻译：本发明提供了一种等离子体离子束系统，其包括多个气体源并且可以用于使用不同的离子种类来执行多个操作以创建或改变工件的亚微米特征。该系统优选地使用电感耦合的磁增强离子束源，其适合与探针形成光学器件源结合以产生多种离子的离子束而没有由源引起的实质的动能振荡，从而允许形成高分辨率光束。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式