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    • 74. 发明申请
    • LICHTEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS
    • 半导体芯片的光用于制造发光器件的发光器件和工艺
    • WO2017178421A1
    • 2017-10-19
    • PCT/EP2017/058536
    • 2017-04-10
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • HERRMANN, Siegfried
    • H01L33/52H01L33/62H01L33/38
    • Es wird ein lichtemittierender Halbleiterchip angegeben, bei dem - eine erste Stromverteilungstruktur (31) und eine zweite Stromverteilungstruktur (32) von einer einem Substrat (1) abgewandten Seite eines Halbleiterkörpers (2) frei zugänglich sind, - der Halbleiterchip (10) an der dem Substrat (1) abgewandten Seite des Halbleiterkörpers (2) und an einer Bodenfläche (1b) des Substrats (1) frei von jeglicher Anschlussstelle ist, die zur elektrischen Kontaktierung der ersten und zweiten Stromverteilungstrukturen (31, 32) ausgebildet ist, - die erste Stromverteilungstruktur (31) zu einer ersten Seitenfläche (1c) einen kleineren Abstand aufweist, als die zweite Stromverteilungstruktur (32), und - die zweite Stromverteilungstruktur (32) zu einer zweiten Seitenfläche (1e) einen kleineren Abstand aufweist, als die erste Stromverteilungstruktur (32).
    • 这是一个发光半导体芯片被指示,以及 - 第一配电结构(31)和从Halbleiterk&OUML的基板(1)侧的背向的第二功率分配结构(32);自由rpers(2)列车Ä 是可访问的, - 从所述半导体&oUML的侧背向所述基板(1)上的半导体芯片(10); rpers(2),并在一个Bodenfl BEAR表面(1b)的所述衬底(1)是不含任何​​连接点,这对于所述的电接触 形成第一和第二电力分配结构(31,32), - 所述第一电流分布结构(31)的第一Seitenfl BEAR表面(1C)具有比所述第二功率分配结构(32)更小的距离,以及 - 所述第二功率分配结构(32),以 第二侧面(1e)具有比第一电流分布结构(32)更小的距离。

    • 75. 发明申请
    • OPTOELEKTRONISCHES MULTI-CHIP HALBLEITERBAUTEIL
    • 光电子多芯片半导体
    • WO2017153244A1
    • 2017-09-14
    • PCT/EP2017/054893
    • 2017-03-02
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • HERRMANN, Siegfried
    • H01L25/075H01L33/62H01L33/46H01L33/48H01L33/60
    • Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) ein Gehäuse (2) mit einer Ausnehmung (20) sowie einen ersten Halbleiterchip (31) zur Erzeugung von Licht einer ersten Farbe und einen zweiten Halbleiterchip (32) zur Erzeugung von Licht einer zweiten Farbe, wobei die zweite Farbe von der ersten Farbe verschieden ist. Im Betrieb wird entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) eine Mischstrahlung, umfassend zumindest Licht der ersten Farbe, emittiert. Der erste Halbleiterchip (31) ist in einer ersten Ebene (P1) und der zweite Halbleiterchip (32) in einer zweiten Ebene (P2) in der Ausnehmung (20) angeordnet, wobei die beiden Ebenen (P1, P2) entlang der Hauptabstrahlrichtung (M) aufeinander folgen. In Draufsicht parallel zur Hauptabstrahlrichtung (M) gesehen sind aktive Zonen (33) der Halbleiterchips (31, 32) nebeneinander angeordnet. Die Ausnehmung ist, in Draufsicht gesehen, zu mindestens 20 % von den Halbleiterchips (31, 32) ausgefüllt. Eine elektrische Anschlussfläche (61) des ersten Halbleiterchips (31) bildet einen Teil einer Montagefläche (22) des Halbleiterbauteils (1).
    • 它包括光电子半导体器件(1)的壳体BEAR使用(2)具有用于第一颜色和第二半导体芯片的产生光的凹部(20)和第一半导体芯片(31)(32) 用于产生第二颜色的光,其中第二颜色不同于第一颜色。 在操作中,沿着主发射方向(M)发射至少包括第一颜色的光的混合辐射。 在第一半导体芯片(31)是在第一平面(P1)和在所述凹部中的第二平面(P2)的第二半导体芯片(32)(20),所述两个平面(P1,P2)(沿着主辐射方向M )跟着彼此。 如在平面图中看到的,平行于主发射方向(M),半导体芯片(31,32)的有源区(33)彼此并排布置。 如在平面图中看到的那样,凹部至少填充20%的半导体芯片(31,32)。 第一半导体芯片(31)的电连接表面(61)形成半导体部件(1)的安装表面(22)的一部分,

    • 78. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    • 方法制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片的多个
    • WO2013092004A1
    • 2013-06-27
    • PCT/EP2012/072403
    • 2012-11-12
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • RODE, PatrickHÖPPEL, LutzVON MALM, NorwinILLEK, StefanKIESLICH, AlbrechtHERRMANN, Siegfried
    • H01L33/36H01L21/321
    • H01L31/1876H01L33/005H01L33/36H01L33/382H01L2933/0016
    • Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, wobei ein Schichtverbund (10) mit einer Hauptebene (3), die den Schichtverbund (10) in einer vertikalen Richtung begrenzt, und mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung und/oder Detektion von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) bereitgestellt wird, wobei in dem Schichtverbund (10) eine Mehrzahl von Ausnehmungen (31) ausgebildet ist, die sich von der Hauptebene (3) in Richtung des aktiven Bereichs (20) erstrecken. Auf der Hauptebene (3) wird eine Planarisierungsschicht ausgebildet, sodass die Ausnehmungen zumindest teilweise mit Material der Planarisierungsschicht (6) befüllt werden. Material der Planarisierungsschicht (6) wird zumindest bereichsweise zum Einebenen der Planarisierungsschicht entfernt. Die Halbleiterchips (1) werden fertiggestellt, wobei für den Halbleiterchip (1) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest ein Halbleiterkörper (200) hervorgeht. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.
    • 本发明提供一种方法,用于在垂直方向上产生多个光电子半导体芯片(1),其特征在于,具有主面的层复合结构(10)(3),该层复合材料是有限的(10),以及与半导体层序列(2)与 提供用于产生和/或在活性区域检测的辐射(20)被提供,其中,在层状复合结构(10)包括从所述主平面延伸形成的多个凹部(31)(3)在有源区的方向(20) 扩展。 在主面(3)形成的平坦化层,使得所述凹部至少部分地填充有所述平坦化层(6)的材料。 所述平坦化层(6)的材料在所述平坦化层的单个水平至少部分地去除。 在半导体芯片(1)完成,其中,从所述半导体层序列(2)的至少一个半导体主体(200)的半导体芯片(1)是显而易见的。 此外,光电子半导体芯片被指定。