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61. 发明申请

WO2022100538A1 等离子体浸没离子注入设备审中-公开
公开(公告)号：WO2022100538A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/CN2021/129216
申请日：2021-11-08
申请人：北京北方华创微电子装备有限公司
发明人：王桂滨 , 韦刚
IPC分类号： C23C14/48 , H01J37/317 , H01L21/67
摘要：一种等离子体浸没离子注入设备，该设备包括工艺腔（1），在工艺腔（1）中设置有基座（2），该基座（2）包括用于承载晶圆的承载面，并且工艺腔（1）的腔体接地，基座（2）与偏压电源（3）电连接；介质筒（4），设置在工艺腔（1）的顶部，且与工艺腔（1）连通，并且，介质筒（4）的内径由上而下逐渐增大；匀气部件（5），采用第一导电材料制成，且设置在介质筒（4）的顶部，并且匀气部件（5）的下表面具有暴露于介质筒（4）内部的匀气区域（55），且匀气区域（55）中分布有多个出气口（54），用以向介质筒（4）中输送工艺气体；耦合线圈（6），环绕设置在介质筒（4）的外周，且与激励电源（8）电连接；以及导电部件，分别与匀气部件（5）和工艺腔（1）的腔体电导通。

62. 发明申请

WO2021249891A1 GOLD NICKEL ALLOY LAYER HAVING NITROGEN ATOMS INSERTED THEREIN AND RELATED PROCESSING METHOD 审中-公开
公开(公告)号：WO2021249891A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：PCT/EP2021/065049
申请日：2021-06-04
申请人： IONICS SA
发明人： MONTEVERDE, Fabien , GODFROID, Thomas , LANGER, Luc , RENAUX, Fabian
IPC分类号： C23C14/48 , H01L27/00 , H01L29/00 , C23C14/14 , H01R13/03
摘要： The current invention relates to a gold nickel layer comprising nitrogen inserted over a thickness equal to or greater than 0.20 µm, characterized in that the atomic concentration of gold is at least 15% over said thickness, the atomic concentration of nickel is at least 10% over said thickness and the atomic concentration of nitrogen is at least 5% over said thickness. The invention further relates to a process for treating a gold nickel layer. The invention also relates to a connector comprising a portion of a surface which comprises such a gold nickel layer.

63. 发明申请

WO2021231035A1 SURFACE CHARGE AND POWER FEEDBACK AND CONTROL USING A SWITCH MODE BIAS SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2021231035A1
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：PCT/US2021/027927
申请日：2021-04-19
申请人： AES GLOBAL HOLDINGS, PTE. LTD.
发明人： CARTER, Daniel
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/00 , C23C14/48 , H01J37/00 , H05H1/00 , H01J2237/004 , H01J2237/334 , H01J37/32137 , H01J37/32183 , H01J37/32715
摘要： Systems, methods and apparatus for regulating ion energies in a plasma chamber and avoiding excessive and damaging charge buildup on the substrate surface and within capacitive structures being built on the surface. An exemplary method includes placing a substrate in a plasma chamber, forming a plasma in the plasma chamber, controllably switching power to the substrate so as to apply a periodic voltage function (or a modified periodic voltage function) to the substrate, and modulating, over multiple cycles of the periodic voltage function, the periodic voltage function responsive to a defined distribution of energies of ions at the surface of the substrate so as to effectuate the defined distribution of ion energies on a time-averaged basis, and to maintain surface charge buildup below a threshold.

64. 发明申请

WO2020109333A1 PROCEDE DE DETERMINATION D'UNE RESISTANCE CARREE D'UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR APRES IMPLANTATION IONIQUE PAR IMMERSION PLASMA ET RECUIT THERMIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020109333A1
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：PCT/EP2019/082633
申请日：2019-11-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： LANTERNE, Adeline , DUBOIS, Sébastien
IPC分类号： H01L21/66 , H01L31/00 , H01J37/32 , C23C14/48
摘要： Un aspect de l'invention concerne un procédé de détermination d'une résistance carrée d'un substrat semiconducteur après implantation ionique par immersion plasma et recuit thermique, au moyen d'un facteur de réflexion du substrat semiconducteur après son implantation ionique par immersion plasma et avant son recuit thermique, et d'une table de correspondance entre facteur de réflexion avant recuit thermique et résistance carrée après recuit thermique.

65. 发明申请

WO2019238700A1 METHOD FOR PREPARING CATALYTIC NANOPARTICLES, CATALYST SURFACES, AND/OR CATALYSTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019238700A1
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：PCT/EP2019/065239
申请日：2019-06-11
申请人： AGC GLASS EUROPE , AGC INC. , AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA, INC. , AGC VIDROS DO BRASIL LTDA
发明人： BUSARDO, Denis , VENTELON, Lionel
IPC分类号： C23C14/48 , B01J37/34
摘要： The invention relates to a method for preparing catalyst particles, comprising the steps of: - providing a catalyst starting material; - providing an ion beam, - providing an electrostatic charge reduction device selected from a source of UV light, a source of X-rays, an electron beam, and an electrically grounded catalytic starting material carrier, - implanting the catalyst starting material with an ion beam dose primarily comprising monocharged or monocharged and multicharged ions with an energy of the monocharged ions in the ion beam from at least 10 keV to at most 100 keV; thereby obtaining a catalyst The invention further relates to the obtained catalyst particles and the use of such particles in NOx, CO, and/or HC emission reduction devices, fuel cells, or catalyst in chemical, in particular petrochemical, reactions.

66. 发明申请

WO2019218610A1 掩膜板、掩膜组件及掩膜板制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019218610A1
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：PCT/CN2018/113501
申请日：2018-11-01
申请人：昆山国显光电有限公司
发明人：刘明星 , 王徐亮 , 高峰 , 张玄 , 甘帅燕
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/48 , B23K37/00
摘要：一种掩膜板（100），用于张紧焊接于支撑框架（10）上，掩膜板（100）为电铸掩膜板，掩膜板（100）包括蒸镀区（20）、非蒸镀区（40）和用于与支撑框架（10）焊接的焊接区（60），至少在焊接区（60）内掺杂有磁性金属离子，以提高焊接区（60）的焊接性能。还包括一种掩膜组件及掩膜板制作方法

67. 发明申请

WO2019149684A1 REUSABLE ION IMPLANTATION MASK 审中-公开
公开(公告)号：WO2019149684A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：PCT/EP2019/052082
申请日：2019-01-29
申请人： AGC GLASS EUROPE , AGC INC. , AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA INC. , AGC VIDROS DO BRASIL LTDA
发明人： NAVET, Benjamine , JACQUES, Amory , BOULANGER, Pierre
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/48 , C23C16/04 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/042 , C23C16/042 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/31711
摘要： The present invention relates generally to a reusable ion implantation mask useful for repeatedly implanting selected areas of substrates with ions on a large scale. The present invention further relates to a method for partial ion implantation by means of a reusable ion implantation mask.

68. 发明申请

WO2018098002A1 PHOSPHINE CO-GAS FOR CARBON IMPLANTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018098002A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：PCT/US2017/061920
申请日：2017-11-16
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人： COLVIN, Neil , HSIEH, Tseh-Jen
IPC分类号： C23C14/48 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/08 , H01J2237/31701
摘要： Processes and systems for carbon ion implantation include utilizing phosphine as a co-gas with a carbon oxide gas in an ion source chamber 300. In one or more embodiments, carbon implantation with the phosphine co-gas is in combination with the lanthanated tungsten alloy ion source components, which advantageously results in minimal oxidation of the cathode 306 and cathode shield 316, among other components within the ion source chamber.

69. 发明申请

WO2017223132A1 IMPLANTATION USING SOLID ALUMINUM IODIDE (ALI3) FOR PRODUCING ATOMIC ALUMINUM IONS AND IN SITU CLEANING OF ALUMINUM IODIDE AND ASSOCIATED BY-PRODUCTS 审中-公开
标题翻译：使用固体铝酸盐（ALI3）生产原子铝离子以及原位清洗铝酸盐和相关副产物的植入
公开(公告)号：WO2017223132A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：PCT/US2017/038422
申请日：2017-06-21
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人： KAMENITSA, Dennis , RZESZUT, Richard , SILVA, Fernando , COLVIN, Neil
IPC分类号： C23C14/48 , H01J37/317 , H01L21/265
摘要： An ion implantation system and method is provided for forming an ion beam from aluminum iodide. A water vapor source further introduces water to react residual aluminum iodide to form hydroiodic acid, where the residual aluminum iodide and hydroiodic acid is evacuated from the system.
摘要翻译：提供了一种用于由碘化铝形成离子束的离子注入系统和方法。水蒸气源进一步引入水以使残留的碘化铝反应形成氢碘酸，其中残余的碘化铝和氢碘酸从系统中排出。

70. 发明申请

WO2017090606A1 ガスバリアーフィルム、その製造方法及びそれを用いた電子デバイス审中-公开
标题翻译：气体隔离膜及其制造方法
公开(公告)号：WO2017090606A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：PCT/JP2016/084592
申请日：2016-11-22
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：八代　晋之介 , 森　孝博
IPC分类号： B32B9/00 , B32B27/00 , C23C14/48 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10
CPC分类号： B32B9/00 , B32B27/00 , C23C14/48 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10
摘要：本発明の課題は、ガスバリアー性が顕著に改善されたガスバリアーフィルム、その製造方法及びそれを用いた電子デバイスを提供することである。　本発明のガスバリアーフィルムは、基材上に少なくとも第１のガスバリアー層及び第２のガスバリアー層が積層されており、前記第１のガスバリアー層は、少なくともケイ素（Ｓｉ）を含有し、かつ当該第１のガスバリアー層の表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、前記酸素原子の存在割合が６０～７５％、前記窒素原子の存在割合が０～１０％、前記ケイ素原子の存在割合が２５～３５％の範囲内であり、かつ、前記第１のガスバリアー層の表層部における膜密度が、２．４～４．０ｇ／ｃｍ３の範囲内であり、前記第２のガスバリアー層は、長周期型周期表の第３族～第１１族の遷移金属を含有する層であることを特徴とする。
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种气体阻隔性显着改善的气体阻隔膜，其制造方法以及使用该气体阻隔膜的电子装置。在本发明的阻气膜中，至少第一气体阻隔层和第二阻气层层压在基材上，第一气体阻隔层至少包含硅（Si）第一阻气层的表层部分中的氮原子和硅原子，氧原子的存在比例为60〜75％，氮原子的存在比例为0〜10％，硅原子的存在比例为25〜35％，第一气体阻隔层的表层部分的膜密度为2.4〜4.0g / cm 3，第二气体阻隔层是含有长周期型周期表第3〜11族的过渡金属的层。

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