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    • 62. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRISCHEN BAUELEMENTS UND ELEKTRISCHES BAUELEMENT
    • 方法带有电气部件和电气COMPONENT
    • WO2013017531A1
    • 2013-02-07
    • PCT/EP2012/064726
    • 2012-07-26
    • EPCOS AGFEICHTINGER, ThomasBRUNNER, Sebastian
    • FEICHTINGER, ThomasBRUNNER, Sebastian
    • H01C7/18H01C7/04
    • H01C7/008H01C7/041H01C7/12H01C7/18H01C17/00Y10T29/49085
    • Ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements umfasst das Bereitstellen eines keramisch halbleitenden Grundkörpers (10) mit einer Oberfläche (O10) und einer der Oberfläche (O10) gegenüberliegenden ersten Seitenfläche (S10a), wobei innerhalb des Grundkörpers eine metallische Schicht (40) enthalten ist. Nachdem mindestens zwei weitere metallische Schichten (210) getrennt voneinander auf der Seitenfläche (S10a) des Grundkörpers angeordnet werden, erfolgt ein Sintern der Anordnung. Zwischen den mindestens zwei weiteren metallischen Schichten (210) wird eine elektrische isolierende Schicht (30) angeordnet. Mittels eines chemischen Prozesses wird jeweils eine Kontaktschicht (220) auf den metallischen Schichten (210) angeordnet. Dabei wird das Material des Grundkörpers (10) ausgehend von der Oberfläche (O10) des Grundkörpers (10) bis höchstens zu der innerhalb des Grundkörpers angeordneten metallischen Schicht (40) entfernt.
    • 一种制造电气装置的方法包括:提供具有表面(O10),并在第一侧表面(S10A)相对的表面(O10)的陶瓷半导电性基体(10),金属层(40)被包含在所述主体内。 后至少两层金属层(210)彼此的基体的侧表面(S10A)上分开地布置由所述组件的烧结实现。 该至少两个另外的金属层(210)之间,电绝缘层(30)布置。 通过化学处理方法在所述金属层(210)的接触层(220)被布置在每一种情况下。 所述基体(10)的基体(10)的到至多到布置在主体金属层(40)内的材料,从除去表面(O10)开始。
    • 63. 发明申请
    • 무수축 바리스터 기판 및 그 제조 방법
    • 非收缩变压器板及其制造方法
    • WO2012081815A1
    • 2012-06-21
    • PCT/KR2011/007459
    • 2011-10-07
    • (주) 아모엘이디우경환
    • 우경환
    • H01C7/10H01C17/00
    • H01C7/102H01C17/00
    • 소성 시 수축율이 적고, 기계적인 굴곡 강도가 높은 바리스터 기판 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 실시 예에 따른 무수축 바리스터 기판은, 내부 전극 및 외부 전극이 형성된 ZnO 계열의 바리스터 기판이고, 내부 전극이 형성된 바리스터층과 반사층의 사이에 강화층을 포함한다. 강화층은, 바리스터 층과 다른 재질을 포함하며, 이를 통해 수축율을 감소하는 한편, 강화층과 바리스터 층 사이의 표면 및 내부에 반응면이 형성되어, 굴곡 강도가 증가하는 효과가 있다.
    • 提供了一种在变形处理期间具有低收缩率和高机械抗弯强度的变阻器板及其制造方法。 非收缩压敏电阻板是包括内部电极和外部电极的ZnO系压敏电阻板。 增强层设置在包括内部电极的可变电阻层和反射层之间。 加强层由与可变电阻层不同的材料形成,以减少收缩。 此外,可以在增强层和可变电阻层之间以及增强层和可变电阻层中的表面上形成反应表面以提高抗弯强度。
    • 65. 发明申请
    • 正特性サーミスタ及び正特性サーミスタの製造方法
    • 积极特性热敏电阻及其制作方法
    • WO2012036142A1
    • 2012-03-22
    • PCT/JP2011/070789
    • 2011-09-13
    • 株式会社 村田製作所後藤 正人阿部 直晃岸本 敦司勝 勇人並河 康訓
    • 後藤 正人阿部 直晃岸本 敦司勝 勇人並河 康訓
    • H01C7/02
    • H01C7/021H01C7/008H01C17/00
    •  部品素体1は、BaTiO 3 系組成物を主成分とし、Baの一部が、アルカリ金属及びBiで置換された半導体セラミックで形成され、室温抵抗が大きく抵抗温度係数の大きい高抵抗層4と、室温抵抗が小さく抵抗温度係数の小さい低抵抗層3a、3bとを有している。高抵抗層4は、外部電極2a、2bと接する外表面部に形成されると共に、低抵抗層3a、3bは、外部電極2a、2bから離間した中央部に形成され、高抵抗層4の厚みy(μm)は、主成分中のアルカリ金属のモル比xとの間で、10≦y≦-3500x+525(0.010≦x≦0.147)の関係を満足している。また、部品素体1は、シート工法で作製することができる。これにより長時間通電してもPTC特性を損なうことなく抵抗値の経時劣化を抑制できる信頼性の良好な非鉛系のPTCサーミスタ、及びその製造方法を実現する。
    • 构成元件(1)由半导体陶瓷形成,其中主要成分是BaTiO 3基组合物,并且一些Ba被碱金属和Bi取代,并且组分元素(1)设置有: 具有高室温电阻和高电阻/温度系数的电阻层(4); 和具有低室温电阻和低电阻/温度系数的低电阻层(3a,3b)。 高电阻层(4)形成在与外部电极(2a,2b)接触的外表面部分上,低电阻层(3a,3b)也形成在与外部电极(2a, 图2b)。 高电阻层(4)的厚度(μm)(μm)和主要成分中碱金属的摩尔比(x)满足关系式10 = y = -3500x + 525(0.010 = x = 0.147 )。 此外,构成要素(1)可以通过片材处理方法制造。 以这种方式,可以实现具有良好的可靠性的非铅基PTC热敏电阻,其中即使当电流长时间通过时也可以在不损害PTC特性的情况下抑制电阻随时间的劣化,并且制造这种 也可以实现PTC热敏电阻。
    • 66. 发明申请
    • チップサーミスタ及びその製造方法
    • 芯片热敏电阻及其制造方法
    • WO2011162260A1
    • 2011-12-29
    • PCT/JP2011/064171
    • 2011-06-21
    • TDK株式会社齋藤 洋山田 孝樹土田 大祐
    • 齋藤 洋山田 孝樹土田 大祐
    • H01C7/04
    • H01C7/008H01C1/1413H01C7/023H01C7/04H01C7/043H01C17/00H01C17/006Y10T29/49085
    •  チップサーミスタ1は、Mn,Ni及びCoの各金属酸化物を主成分とするセラミックスからなるサーミスタ部7と、Ag-PdとMn,Ni及びCoの各金属酸化物との複合材料からなり且つサーミスタ部7を挟むようにその両側に配置される一対のコンポジット部9,9と、一対のコンポジット部9,9それぞれに接続される外部電極5,5とを備えている。このように、一対のコンポジット部9,9をバルク電極として用いているため、チップサーミスタ1の抵抗値を調整するのに、サーミスタ部7における抵抗を主として考慮すればよく、外部電極5,5間の距離等をあまり考慮する必要がなくなる。
    • 热敏电阻(1)包括由陶瓷制成的热敏电阻单元(7),其主要成分是Mn,Ni和Co的金属氧化物; 还包括Ag-Pd和Mn,Ni和Co的金属氧化物的复合材料的一对复合单元(9,9),所述复合单元(9,9)位于热敏电阻单元(7)的两侧 )以夹住相同的方式; 以及分别连接到所述一对复合单元(9,9)的外部电极(5,5)。 由于一对复合单元(9,9)因此被用作体电极,因此在调节芯片热敏电阻(1)的电阻值时,可以主要考虑热敏电阻单元(7)中的电阻,从而避免了需要 考虑诸如外部电极(5,5)之间的距离的因素。