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61. 发明申请

WO2021213961A1 FACET ASSEMBLY FOR A FACET MIRROR 审中-公开
公开(公告)号：WO2021213961A1
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：PCT/EP2021/060036
申请日：2021-04-19
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： HARTJES, Joachim , WOLF, Alexander , GRUNER, Toralf
IPC分类号： G03F7/20 , G02B7/185
摘要： A facet assembly (26) is a constituent part of a facet mirror for an illumination optical unit for projection lithography. The facet assembly (26) has a facet (7) with a reflection surface (27) for reflecting illumination light. A facet main body (28) of the facet assembly (26) has at least one hollow chamber (29). A reflection surface chamber wall of the hollow chamber (29) forms at least one portion (27ij) of the reflection surface (27). An actuator control apparatus (30) of the facet assembly (26) is operatively connected to the hollow chamber (29) for the controlled deformation of the reflection surface chamber wall. The result is a facet assembly that is usable flexibly as a constituent part of a facet mirror equipped therewith within an illumination optical unit for projection lithography.

62. 发明申请

WO2021089579A1 PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE FÜR DIE HALBLEITERLITHOGRAPHIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021089579A1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：PCT/EP2020/080875
申请日：2020-11-04
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： GRUNER, Toralf
IPC分类号： G03F7/20 , G02B27/00 , G02B7/00 , G02B7/02
摘要： Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie mit einem optischen Korrekturelement (20) und Mitteln zur mindestens teilweisen Bestrahlung eines optisch aktiven Bereichs (22) des Korrekturelementes (20) mit elektromagnetischer Heizstrahlung (44.x), wobei das optische Korrekturelement (20) außerhalb des optisch aktiven Bereiches (22) mit mindestens einem elektrischen Heizelement (25.x) versehen ist.

63. 发明申请

WO2016041805A1 PROJECTION LENS, PROJECTION EXPOSURE APPARATUS AND PROJECTION EXPOSURE METHOD FOR EUV MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：投影镜头，投影曝光装置和投影曝光方法
公开(公告)号：WO2016041805A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/EP2015/070391
申请日：2015-09-07
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： ANDRÉ, Stephan , GOLDE, Daniel , GRUNER, Toralf , RUOFF, Johannes , WABRA, Norbert , SCHNEIDER, Ricarda , SCHNEIDER, Sonja
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70266 , G03F7/7015 , G03F7/70233 , G03F7/70258
摘要： A projection lens (PO) for imaging a pattern arranged in an object plane (OS) of the projection lens into an image plane (IS) of the projection lens by means of electromagnetic radiation having an operating wavelength λ from the extreme ultraviolet range (EUV) comprises a multiplicity of mirrors (M1 - M6) having mirror surfaces which are arranged in a projection beam path between the object plane and the image plane in such a way that a pattern of a mask (M) that is arranged in the object plane is imagable into the image plane by means of the mirrors. A first imaging scale in a first direction (y-direction) running parallel to a scan direction is smaller in terms of absolute value than a second imaging scale in a second direction (x-direction) perpendicular to the first direction. Provision is made of a dynamic wavefront manipulation system for correcting astigmatic wavefront aberration portions caused by reticle displacement.
摘要翻译：一种投影透镜（PO），用于通过具有来自极紫外线范围的工作波长λ（EUV）的电磁辐射，将布置在投影透镜的物平面（OS）中的图案成像为投影透镜的像平面（IS））包括多个反射镜（M1-M6），其具有布置在物平面和图像平面之间的投影光束路径中的镜面，使得布置在物平面中的掩模（M）的图案通过镜子可以进入图像平面。在与第一方向垂直的第二方向（x方向）上，在与扫描方向平行的第一方向（y方向）上的第一成像刻度在绝对值上小于第二成像刻度。提供了一种用于校正由掩模版位移引起的散光波前像差部分的动态波前操纵系统。

64. 发明申请

WO2016008754A1 LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICES 审中-公开
标题翻译： LITHOGRAPHY设备及其制造方法
公开(公告)号：WO2016008754A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/EP2015/065346
申请日：2015-07-06
申请人： ASML NETHERLANDS B.V. , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： VAN SCHOOT, Jan, Bernard, Plechelmus , BIELING, Stig , ENDRES, Martin , ESCALANTE MARUN, Maryana , GRUNER, Toralf , WISCHMEIER, Lars
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70083 , G03F7/70075 , G03F7/70558
摘要： A lithography apparatus using EUV radiation has an illuminator configured to provide Kohler illumination. The illuminator comprises a field mirror (422) having a plurality of individually directable reflectors and a pupil mirror (424) having a plurality of pupil facets (4241-1 - 4241-M), wherein the individually directable reflectors are divided into sets of adjacent individually directable reflectors to form virtual field facets (50) and a pupil facet projects an image of a virtual field facet to fill an illumination field (IS). The individually directable reflectors are controlled between an inactive state and at least one active state in order to control the dose delivered to the substrate.
摘要翻译：使用EUV辐射的光刻设备具有配置成提供科勒照明的照明器。照明器包括具有多个可独立定向的反射器的反射镜（422）和具有多个光瞳面（4241-1至4241-M）的光瞳反射镜（424），其中可单独定向的反射器被分成相邻的一组单独定向的反射器以形成虚拟场面（50）并且瞳孔小面投影虚拟场面的图像以填充照明场（IS）。单独定向的反射器被控制在非活动状态和至少一个活动状态之间，以便控制递送到基底的剂量。

65. 发明申请

WO2014067707A1 DRUCKSCHWANKUNGEN IN EINER PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：投影曝光系统压力波动
公开(公告)号：WO2014067707A1
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：PCT/EP2013/069575
申请日：2013-09-20
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： GRUNER, Toralf , BLEIDISTEL, Sascha , WOLF, Alexander , HARTJES, Joachim , SCHWAB, Markus , HAUF, Markus
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/62 , G02B7/00
CPC分类号： G03F7/7015 , G03F1/62 , G03F7/70825 , G03F7/70866 , G03F7/70883 , G03F7/709
摘要： Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (10) für die Halbleiterlithographie, mit einem Beleuchtungssystem (1) zum Beleuchten einer auf einem beweglichen Maskentisch (2) angeordneten Maske (3) und einem Projektionsobjektiv (4) zum Abbilden der Maske (3) auf ein Halbleitersubstrat (9), wobei mindestens ein Mittel (11,14, 44, 20, 17, 42, 15, 19) vorhanden ist, mindestens Teile des Beleuchtungssystems (1) und/oder des Projektionsobjektives (4) von dem Einfluss von Druckschwankungen in dem das Projektionsobjektiv (4) oder das Beleuchtungssystem (1) umgebende Medium, welche auf Bewegungen des Maskentisches (2) im Betrieb der Anlage (10) zurückgehen, mindestens teilweise zu entkoppeln.
摘要翻译：本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备（10），包括一个照明系统（1）布置用于在可移动的掩模台照明（2）掩模（3）和用于在半导体衬底上成像掩模（3）的投影透镜（4）（ 9），其中，至少一个装置（11,14，44，20，17，42，15，19）存在时，在照明系统（1）和/或所述投射物镜（4）的压力波动的影响的至少一部分，其中所述至少部分地分离所述周围介质，其返回到所述设备（10），投影透镜的操作的掩模台（2）的运动（4）或所述照明系统（1）。

66. 发明申请

WO2013124205A1 PROJECTION EXPOSURE METHOD AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：投影曝光方法和投影曝光装置
公开(公告)号：WO2013124205A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：PCT/EP2013/052963
申请日：2013-02-14
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： GRAESCHUS, Volker , GRUNER, Toralf
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70133 , G03F7/70258 , G03F7/7085
摘要： A projection exposure method for exposing a radiation-sensitive substrate with at least one image of a pattern of a mask comprises the following steps: holding the mask between an illumination system and a projection lens of a projection exposure apparatus in such a way that the pattern is arranged in the region of the object plane of the projection lens; holding the substrate in such a way that a radiation-sensitive surface of the substrate is arranged in the region of an image plane of the projection lens, said image plane being optically conjugate with respect to the object plane; illuminating an illumination region of the mask with an illumination radiation provided by the illumination system; and projecting a part of the pattern lying in the illumination region onto an image field at the substrate with the aid of the projection lens, wherein all rays of the projection radiation which contribute to image generation in the image field form a light quiver in the projection lens. The method is characterized by determining at least one light quiver parameter which describes a property of the light quiver, and by controlling the operation of the projection exposure apparatus taking account of the light quiver parameter.
摘要翻译：一种用于用掩模图案的至少一个图像曝光辐射敏感基板的投影曝光方法包括以下步骤：将掩模保持在投影曝光装置的照明系统和投影透镜之间，使得图案布置在投影透镜的物平面的区域中; 以使得基板的辐射敏感表面布置在投影透镜的图像平面的区域中的方式保持基板，所述图像平面相对于物平面是光学共轭的; 用照明系统提供的照明辐射照射面罩的照明区域; 并且借助于所述投影透镜将位于所述照明区域中的所述图案的一部分投影到所述基板上的图像场，其中，所述投影辐射的有助于所述图像场中的图像生成的所有射线在所述投影中形成光颤抖镜片。该方法的特征在于确定描述光颤抖的性质的至少一个光颤抖参数，以及考虑光颤抖参数来控制投影曝光装置的操作。

67. 发明申请

WO2013110518A1 OPTICAL ARRANGEMENT FOR EUV LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于EUV光刻的光学装置
公开(公告)号：WO2013110518A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/EP2013/050553
申请日：2013-01-14
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： BAER, Norman , GRUNER, Toralf , LÖRING, Ulrich
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70891 , G02B17/0663 , G03F7/70316 , G03F7/706 , G03F7/70958
摘要： The invention relates to an optical arrangement, in particular a projection lens for microlithography, comprising: at least one optical element (21) comprising an optical surface (31a) and a substrate (32), wherein the substrate (32) is formed from a material whose temperature-dependent coefficient of thermal expansion at a zero crossing temperature ΔT zc = T zc - T ref related to a reference temperature T ref is equal to zero, wherein the optical surface (31a) has, during the operation of the optical arrangement, a location-dependent temperature distribution ΔΤ(χ, y) that is dependent on a local irradiance (5a), is related to the reference temperature T ref and has an average temperature ΔΤ aν , a minimum temperature ΔT min and a maximum temperature ΔT max, wherein the average temperature ΔΤ aν is less than the average value 1/2 (ΔT max + ΔT min ) formed from the minimum temperature ΔT min and the maximum temperature ΔT max, and wherein the zero crossing temperature ΔT zc is greater than the average temperature ΔΤ aν. The invention likewise relates to an EUV lithography apparatus comprising such an optical arrangement in the form of a projection lens, and to an associated method for configuring the optical arrangement.
摘要翻译：本发明涉及一种光学装置，特别是用于微光刻的投影透镜，包括：至少一个包括光学表面（31a）和基底（32）的光学元件（21），其中基底（32）由与参考温度Tref相关的过零点温度下的温度依赖性热膨胀系数ΔTzc= Tzc-Tref等于零，其中光学表面（31a）在光学装置的操作期间具有位置 - 依赖于温度分布的DeltaTau（chi，y）取决于局部辐照度（5a），与参考温度Tref相关，并且具有平均温度DeltaTauanu，最低温度DeltaTmin和最大温度DeltaTmax，其中平均温度DeltaTauanu为小于由最小温度DeltaTmin和最大温度DeltaTmax形成的平均值1/2（DeltaTmax +ΔTmin），并且其中零交叉唱歌温度DeltaTzc大于平均温度DeltaTauanu。本发明同样涉及包括投影透镜形式的这种光学装置的EUV光刻设备以及用于配置光学布置的相关方法。

68. 发明申请

WO2009065819A2 OPTICAL SYSTEM 审中-公开
标题翻译：光学系统
公开(公告)号：WO2009065819A2
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：PCT/EP2008/065733
申请日：2008-11-18
申请人： CARL ZEISS SMT AG , MÜLLER, Ralf , GRUNER, Toralf
发明人： MÜLLER, Ralf , GRUNER, Toralf
IPC分类号： G02B5/30 , G02B1/08 , G03F7/20
CPC分类号： G02B5/3083 , G02B1/08 , G03F7/70141 , G03F7/70191 , G03F7/70258 , G03F7/70308 , G03F7/70566 , G03F7/70966
摘要： The invention concerns, according to one aspect, an optical system having an optical axis OA (OA) and comprising at least one polarization manipulator (100, 200) having a first subelement (110, 210) which has a non-planar, optically effective surface and for light passing therethrough causes a change in the polarization state, wherein a maximum effective retardation introduced by the first subelement along the optical axis (OA) is less than a quarter of the working wavelength of the optical system, and a second subelement (120, 220), wherein said first subelement and said second subelement have mutually facing surfaces (110a, 120a; 210a, 220a) which are mutually complementary, and a position manipulator (150, 250) for manipulation of the relative position of said first subelement (110, 210) and said second subelement (120, 220).
摘要翻译：根据一个方面，本发明涉及一种具有光轴OA（OA）并且包括至少一个具有第一子元件（110,210）的偏振操纵器（100,200）的光学系统，该第一子元件具有非平面的，光学有效的表面和穿过其的光引起偏振状态的变化，其中由第一子元件沿着光轴（OA）引入的最大有效延迟小于光学系统的工作波长的四分之一，以及第二子元件 120,220），其中所述第一子元件和所述第二子元件具有相互互补的相互面对的表面（110a，120a; 210a，220a）和用于操纵所述第一子元件的相对位置的位置操纵器（150,250）（110,210）和所述第二子元件（120,220）。

69. 发明申请

WO2008152087A1 PROJECTION EXPOSURE SYSTEM FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：投影曝光系统
公开(公告)号：WO2008152087A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/EP2008/057369
申请日：2008-06-12
申请人： CARL ZEISS SMT AG , HETZLER, Jochen , GRUNER, Toralf
发明人： HETZLER, Jochen , GRUNER, Toralf
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70825 , G03F7/70258 , G03F7/70308
摘要： A projection exposure system for microlithography comprises at least one optical system, for example a lithography lens comprising at least one bi-asphere (1) with two aspheres (2,3). In accordance with the invention, the projection exposure system has a manipulator which compensates tilting of the aspherical axes A2, A3 of the two aspheres (2,3) by tilting bi-asphere (1) about two mutually perpendicular axes RX and RY such that the projection properties of the optical system are optimized. In addition, a centering manipulator can be provided that executes translations TX and TY for the purpose of aligning the axes A2 and A3 with respect to the optical axis OA. With the aid of the inventive system, it is possible, with the bi-asphere (1) already mounted at the lens, using the projection parameters from the system itself, to perform an alignment of the lens (1), in particular tilting, for the purpose of optimizing the projection parameters of the lithography lens.
摘要翻译：用于微光刻的投影曝光系统包括至少一个光学系统，例如包括至少一个具有两个非球面（2,3）的双 - 非球面（1）的光刻透镜。根据本发明，投影曝光系统具有通过围绕两个相互垂直的轴线RX和RY倾斜双非球面（1）来补偿两个非球面（2,3）的非球面轴线A2，A3的倾斜的操纵器，使得优化了光学系统的投影特性。此外，可以提供定心操纵器，其执行平移TX和TY以便相对于光轴OA对准轴A2和A3。借助于本发明的系统，借助于系统本身的投影参数，双透镜（1）已经安装在透镜上，可以执行透镜（1）的对准，特别是倾斜，为了优化光刻透镜的投影参数。

70. 发明申请

WO2005036272A1 VERFAHREN ZUR STRAHLUNGSBEHANDLUNG EINES OPTISCHEN SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：方法的光学系统的放射治疗
公开(公告)号：WO2005036272A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/EP2003/010362
申请日：2003-09-18
申请人： CARL ZEISS SMT AG , GRUNER, Toralf , DOCHNAHL, Axel
发明人： GRUNER, Toralf , DOCHNAHL, Axel
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70091 , G03F7/70925
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Behandlung eines optischen Systems mit Strahlung eines vorgeschalteten Beleuchtungssystems. Erfindungsgemäss werden nacheinander verschiedene Teilbeleuchtungsaperturen des Beleuchtungssystems eingestellt, die jeweils nur einen Teilbereich des Gesamtbehandlungsbereichs des optischen Systems strahlungsbehandelnd beleuchten, wobei sich die nacheinander strahlungsbehandelnd beleuchteten Teilbereiche zum Gesamtfeld des optischen Systems ergänzen. Verwendung z.B. zur Photoreinigung von Projektionsobjektiven in Lithographiebelichtungsanlagen.
摘要翻译：本发明涉及治疗具有上游辐射照明系统的光学系统的方法。根据照明系统的相继不同Teilbeleuchtungsaperturen设置本发明，每个仅照亮光学系统中的治疗放射线的总治疗区域的一部分，其特征在于，连续地处理所述光学系统的总场的辐射照射部分之间的互补性。例如使用照片在光刻曝光工具的投影镜头的清洁。

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