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    • 51. 发明申请
    • GATE DRIVE CIRCUIT FOR POWER CONVERSION APPARATUS
    • 用于电力转换装置的闸门驱动电路
    • WO2018015924A2
    • 2018-01-25
    • PCT/IB2017/054410
    • 2017-07-20
    • HELLA GMBH & CO. KGAA
    • LU, JunchengBAI, Hua
    • H03K17/16H02M1/08
    • H03K17/284H01L27/0605H01L27/0629H01L27/0635H01L29/16H01L29/2003H01L29/7787H01L29/7805H02M3/3376H03K17/04123H03K17/122H03K17/163H03K17/602H03K17/6871H03K17/6872
    • An apparatus includes a gate drive circuit and a GaN HEMT switch where the gate drive circuit has a gate drive output to produce a gate drive signal in response to a gate control signal. The switch has a gate connected to the gate drive circuit through a gate drive resistor. The gate drive circuit includes a NPN (or NMOS) turn-on transistor and a PNP (or PMOS) turn-off transistor. The gate drive circuit includes a turn-on resistor with a first resistance coupled to the turn-on transistor and a turn-off resistor with a second resistance coupled to the turn-off transistor. The turn-on and turn-off transistors, gate drive resistor, the switching device, but not the turn-on and turn-off resistors are disposed in an integrated circuit to reduce a gate-drive loop inductance. The first and second resistances can be different to adjust the turn-on and turn-off speeds of the switching device.
    • 一种装置包括栅极驱动电路和GaN HEMT开关,其中栅极驱动电路具有栅极驱动输出以响应于栅极控制信号而产生栅极驱动信号。 开关的栅极通过栅极驱动电阻连接到栅极驱动电路。 栅极驱动电路包括NPN(或NMOS)导通晶体管和PNP(或PMOS)截止晶体管。 栅极驱动电路包括具有耦合到导通晶体管的第一电阻和具有耦合到关断晶体管的第二电阻的截止电阻器的导通电阻器。 开启和关闭晶体管,栅极驱动电阻器,开关器件,但不包括导通和关断电阻器被置于集成电路中以减小栅极驱动回路电感。 第一和第二电阻可以不同,以调节开关装置的导通和关断速度。
    • 54. 发明申请
    • スイッチング素子駆動回路
    • 开关元件驱动电路
    • WO2016132630A1
    • 2016-08-25
    • PCT/JP2015/084606
    • 2015-12-10
    • アイシン・エィ・ダブリュ株式会社
    • 中村恭士▲高▼倉 裕司
    • H03K17/04H02M1/08H03K17/687
    • H03K17/04123H02M1/08H03K17/04126H03K17/163H03K17/687
    • スイッチング素子の制御端子の寄生容量による影響を抑制すると共に回路内の負荷バランスの偏りが少なくなるように構成されたスイッチング素子駆動回路を提供する。ソース端子又はエミッタ端子に基準電位Vrefが接続された主スイッチング素子TRの制御端子に駆動信号を与えて、主スイッチング素子TRを駆動するスイッチング素子駆動回路1は、一方の端子が制御端子の側に接続され、他方の端子が基準電位Vrefの側に接続されたインダクタL1を含む共振制御回路3が、主スイッチング素子TRの寄生容量PCと共振回路を構成するように、制御端子と基準電位Vrefとの間に接続され、さらに、共振制御回路3における、制御端子の側とは反対側の端子の電位を、基準電位Vrefとは異なるバイアス電位Vbに設定するバイアス回路5を備える。
    • 提供一种开关元件驱动电路,其抑制寄生电容对开关元件的控制端子的影响,并且被构造为使得电路中的负载平衡不足减小。 开关元件驱动电路1通过向主开关元件TR的控制端子提供驱动信号来驱动基准电位Vref连接到源极端子或发射极端子的主开关元件TR。 包括具有连接到控制端侧的一个端子的电感器L1和连接到参考电位Vref侧的另一个端子的谐振控制电路3连接在控制端子和参考电位Vref之间,以便与 主开关元件TR的寄生电容PC。 此外,开关元件驱动电路设置有偏置电路5,其将与谐振控制电路3中的控制端侧相反的端子的电位设定为与参考电位Vref不同的偏置电位Vb。
    • 56. 发明申请
    • 駆動回路のタイミング調整方法及び駆動回路のタイミング調整回路
    • 用于驱动电路的驱动电路和时序调整电路的时序调整方法
    • WO2015155962A1
    • 2015-10-15
    • PCT/JP2015/001889
    • 2015-04-02
    • 株式会社デンソー
    • 小林 敦山本 聖金森 淳赤間 貞洋
    • H03K17/56H02M1/08
    • H03K17/162G11C29/023G11C29/028H03K3/012H03K5/1534H03K17/163H03K17/168H03K17/28H03K2005/00065H03K2005/00247H03K2005/00273
    •  電圧駆動型半導体素子(3)がターンオフする際の立ち上り開始の立上り検出部(5)と、前記立上り開始時点から所定遅延時間が経過すると、速度変更タイミング信号を出力するタイミング信号出力部(6)と、前記タイミング信号を用いた前記半導体素子の導通制御端子の導通制御部(4)とを備えた駆動回路について、遅延時間調整方法は、立上り完了時間が経過した時点の前記導通制御端子の推定端子電圧を定義して、駆動信号をターンオフレベルに変化させた時点から反転させるまでに前記導通制御端子が前記推定端子電圧以下にならなければ、遅延時間を所定の単位時間増加させて、駆動信号を再度ターンオフレベルに変化させ、前記導通制御端子の電圧が最初に前記推定端子電圧以下になった時点の遅延時間を設定値とする。
    • 对于具有上升检测单元(5)的驱动电路,用于在电压驱动半导体元件(3)截止时检测上升的开始;时序信号输出单元(6),用于当 从上升时刻起经过了预定的延迟时间,以及使用了定时信号的半导体元件的导通控制端子的导通控制单元(4),延迟时间调整方法包括:将估计端子电压 在通过上升完成时间时的导通控制端子; 如果导通控制端子在已经被改变为关断电平之后在驱动信号反相之前没有下降到估计端电压或更低,则将延迟时间增加预定单位时间,以将驱动信号改变为 再次关闭; 以及确定当导通控制端子的电压首次成为等于或低于估计端电压时的延迟时间作为设定值。