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51. 发明申请

WO2014016165A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL MIT ELEKTRISCH ISOLIERENDEM ELEMENT 审中-公开
标题翻译：随着电力绝缘元件，光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2014016165A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/EP2013/064977
申请日：2013-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ILLEK, Stefan , SABATHIL, Matthias , SCHWARZ, Thomas
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/64 , H01L33/62
CPC分类号： H01L23/3731 , H01L31/024 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/181 , H01L2933/0075 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Dünnfilmchip und ein thermisch leitendes und elektrisch isolierendes Element. Dabei sind der Dünnfilmchip und das Element gemeinsam in einen Formkörper eingebettet.
摘要翻译：一种光电子半导体器件，包括薄膜光电芯片和热传导且电绝缘的部件。在此，薄膜芯片和元件共同嵌入的模塑制品。

52. 发明申请

WO2013131729A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013131729A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/EP2013/052995
申请日：2013-02-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOEOETZ, Britta , MOOSBURGER, Juergen , PLOESSL, Andreas , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： C23C16/448 , C23C24/04 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/641 , C23C24/04 , C25D7/12 , H01L33/0079 , H01L33/46 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0075 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben mit den Schritten: Aufwachsen einer optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Aufwachssubstrat (1), Ausbilden einer elektrisch isolierenden Schicht (4) auf einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) durch Abscheidung von Partikeln eines elektrisch isolierenden Materials mittels eines Aerosolabscheideverfahrens, zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrats (1) nach dem Ausbilden der elektrisch isolierenden Schicht (4). Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.
摘要翻译：它是用于制造设置有如下步骤的光电子半导体芯片的方法：在生长衬底（1）上生长的光电子半导体层序列（2）中，形成（4）面向远离光电子半导体层序列的生长衬底（1）侧离开的电绝缘层（2 ）（通过由Aerosolabscheideverfahrens的装置，至少部分地去除所述生长衬底（1的电绝缘材料的颗粒的沉积），形成在电绝缘层4）之后。此外，光电子半导体芯片被指定。

53. 发明申请

WO2019137776A1 LEUCHTMODUL, LEUCHTMITTEL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTMODULS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019137776A1
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：PCT/EP2018/085967
申请日：2018-12-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BÖSL, Florian , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/60 , H01L33/62
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Leuchtmodul (100) einen Träger (1) mit zwei einander gegenüberliegenden Hauptseiten (10) und einer die Hauptseiten (10) verbindenden Oberseite (11). Ferner umfasst das Leuchtmodul eine Mehrzahl von Halbleiterchips (2) auf der Oberseite des Trägers. Die Halbleiterchips sind dazu eingerichtet, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren. Die Halbleiterchips sind auf der Oberseite entlang einer Linie aufgereiht. Der Träger ist durchlässig für sichtbares Licht. Der Träger ist selbsttragend und trägt die Halbleiterchips. Die Flächen der Hauptseiten sind jeweils größer als die Fläche der Oberseite.

54. 发明申请

WO2016146665A2 LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：的光用于制造发光器件的发光器件和工艺
公开(公告)号：WO2016146665A2
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/EP2016/055651
申请日：2016-03-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , LINKOV, Alexander , SABATHIL, Matthias , KNOERR, Matthias
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/507 , H01L33/504 , H01L33/508 , H01L2933/0041
摘要： Lichtemittierendes Bauelement (100), bestehend aus einem lichtemittierenden Chip (110), der Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert, und mit mindestens einer Konversionsschicht (30), die Licht der ersten Wellenlänge in Licht mit mindestens einer zweiten Wellenlänge konvertiert, dadurch gekennzeichnet, dass ein Homogenisierungselement (150) zwischen dem lichtemittierenden Chip (110) und der Konversionsschicht (130) vorgesehen ist, wobei eine Oberfläche des Homogenisierungselements (50) an den lichtemittierenden Chip (110) angrenzt und mindestens eine weitere Oberfläche des Homogenisierungselements (150) an die Konversionsschicht (130) angrenzt. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements (100).
摘要翻译：一种发光器件（100），包括发射具有第一波长的光的发光芯片（110）的，和至少一个转换层（30），所述第一波长的光转换成光具有至少转换的第二波长，其特征在于均匀化元件（150）的发光芯片（110）和所述转换层（130），所述Homogenisierungselements（50）的表面相邻的发光芯片（110）和至少一个其它表面的Homogenisierungselements（150）之间设置的转换层（130）抵接。一种用于制造发光器件（100）的过程。

55. 发明申请

WO2016012232A1 BELEUCHTUNGSMODUL 审中-公开
标题翻译：照明模块
公开(公告)号：WO2016012232A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/EP2015/065475
申请日：2015-07-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALBRECHT, Tony , LAMFALUSI, Tamas , SCHULZ, Roland , SINGER, Frank , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： F21K99/00 , H01L25/075 , H01L33/60 , H01L33/40 , F21Y103/00
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/64 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein Beleuchtungsmodul (1) mit einem Montagekörper (3), der sich zwischen einer Rückseite (31) und einer der Rückseite gegenüberliegenden Vorderseite (30) erstreckt, und mit einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (2), die zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen sind, angegeben, wobei - der Montagekörper an der Rückseite eine Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, in denen die Halbleiterbauelemente angeordnet sind, - der Montagekörper für die in den Halbleiterbauelementen erzeugte Strahlung durchlässig ist und die Strahlung an der Vorderseite des Montagekörpers austritt, - auf der Rückseite des Montagekörpers eine Kontaktschicht (5) angeordnet ist, mit der die Halbleiterbauelemente über Verbindungsleitungen elektrisch leitend verbunden sind, und - auf der Rückseite des Montagekörpers eine Reflektorschicht (6) angeordnet ist, die zumindest die Ausnehmungen vollständig überdeckt.
摘要翻译：它是一种照明模块（1）包括：安装体（3），其后侧（31）和后侧的前侧（30）相对中的一个之间延伸，并且多个半导体元件（2）提供了一种用于产生辐射所指出的，其特征在于， - 在所述背面的安装体具有多个凹部（35），其中半导体部件布置， - 所述安装体以在半导体器件的辐射是透明的产生，并且在前面的辐射的安装体出现， - 上安装体的背面，接触层（5）被布置成，与该半导体元件被电经由连接线连接，以及 - 布置在所述安装体的背面具有反射器层（6），其至少完全覆盖凹部。

56. 发明申请

WO2015107038A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体元件和光电半导体元件的
公开(公告)号：WO2015107038A1
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/EP2015/050477
申请日：2015-01-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SABATHIL, Matthias , SINGER, Frank , HÜTTINGER, Roland
IPC分类号： F21K99/00 , F21Y101/02 , F21Y103/00
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/90 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L33/0095 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32227 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2224/97 , H01L2924/15159 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0091 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/0781 , H01L2224/83
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: A) Erstellen eines Rohlings (21) mittels Strangzug oder Extrusion aus einer Materialschmelze, B) Formen des Rohlings (21) zu einer strangförmigen Optik (2) mit einer Längsachse (A) sowie mit einer Montageseite (23) und mit einer Lichtaustrittsseite (22), C) Erzeugen von Leiterbahnen (4) auf der Montageseite (23), D) Montieren einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) an der Montageseite (23) der Optik (2) und Anschließen an die Leiterbahnen (4), und E) Zerteilen der Optik (2) zu den optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1),
摘要翻译：在至少一个实施例中，当建立用于制造光电子半导体器件的方法（1）。该方法包括以下步骤：a）产生坯料（21）借助于Strangzug或从熔融材料挤出，B）形成坯料（21）（以线料状的光学系统2）（与纵向轴线A）和（与安装侧23 （）和具有光输出侧22），C）形成导体轨道（4）上的安装侧（23），d）关于光学（2）的安装侧（23）安装多个光电子半导体芯片（3）和连接到所述导体轨迹（4），以及e）切割所述光学元件（2）连接到光电半导体部件（1），

57. 发明申请

WO2014048773A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2014048773A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/069040
申请日：2013-09-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LINKOV, Alexander , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/56 , G02B5/02
CPC分类号： G02B5/0294 , G02B5/0242 , G02B5/0247 , G02B5/0263 , G02B5/0278 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (101), umfassend: - eine Halbleiterschichtenfolge (103) aufweisend eine Emitterschicht (105) zum Emittieren von elektromagnetischer Strahlung, - einen Konverter (113) zum Konvertieren von elektromagnetischer Strahlung mit einer ersten Wellenlänge in eine elektromagnetische Strahlung mit einer zweiten Wellenlänge, die von der ersten Wellenlänge verschieden ist, - einen Streukörper (109) zum Streuen zumindest einen Teils der mittels der Emitterschicht (105) emittierten elektromagnetischen Strahlung in Richtung des Konverters (113), um zumindest einen Teil der emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren, wobei der Streukörper (109) einen positiven temperaturabhängigen Streuquerschnitt aufweist, so dass bei zunehmender Temperatur eine Streuung der elektromagnetischen Strahlung in dem Streukörper (109) in Richtung des Konverters zunehmbar ist. Die Erfindung betrifft ferner einen Streukörper (109).
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件（101），包括： - 半导体层序列（103），包括用于发射电磁辐射的发射器层（105）， - 一个转换器（113），用于以电磁辐射转换电磁辐射的第一波长带用于散射至少所述发射极层的装置的一部分（105）在所述转换器（113）的方向上的电磁辐射的发射的电磁辐射的至少一个部分发射的扩散器（109） - 第二波长不同于所述第一波长不同，进行转换，其中所述散射体（109）具有正的温度相关的散射横截面，以使得随着温度的电磁辐射的散射体（109）的散射是zunehmbar在转换器的方向。本发明还涉及一种扩散器（109）。

58. 发明申请

WO2014032938A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2014032938A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/EP2013/066726
申请日：2013-08-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , PLÖSSL, Andreas , GÖÖTZ, Britta , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/44 , H01L31/0216 , H01L25/075 , H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/00 , H01L33/56 , H01L31/0203
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/02167 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, das zumindest eine optoelektronische Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (2), die geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen, und auf zumindest einem Oberflächenbereich (10) der Halbleiterschichtenfolge (1) eine transparente Keramikschicht (5), die durch ein mittels Aerosolabscheidung aufgebrachtes Keramikmaterial gebildet wird und die den Oberflächenbereich verkapselt, aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件，所述（1），具有一个有源层的至少一个光电半导体层序列（2），其适合于在操作中发射光或接收，和在半导体层序列的至少一个表面区域（10）（1）的透明陶瓷层（5），其通过由陶瓷材料制成的气溶胶沉积所施加的并封装表面区域形成。此外，用于制造光电子半导体器件的方法中给出。

59. 发明申请

WO2014029642A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHT EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产发光半导体元器件与发光半导体元件
公开(公告)号：WO2014029642A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/EP2013/066727
申请日：2013-08-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GÖÖTZ, Britta , MOOSBURGER, Jürgen , PLÖSSL, Andreas , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/56 , H01L33/0066 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L2933/0041
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben, bei dem - eine Licht emittierende Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3) bereitgestellt wird, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements Licht abzustrahlen, - eine Wellenlängenkonversionsschicht (4) mit zumindest einem Wellenlängenkonversionsstoff auf der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird und - auf der Wellenlängenkonversionsschicht (4) eine Keramikschicht (5) mittels eines Aerosolabscheideverfahrens aufgebracht wird. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于制造发光半导体元件，其中一个方法： - 与活性层（3），其适于在所述半导体器件的操作期间发光，提供了一种发光半导体层序列（2） - 的波长转换层（4）与至少一种波长转换材料施加在半导体层序列（2），以及 - 波长转换层（4）上是陶瓷层（5）由一个Aerosolabscheideverfahrens施加。此外，发光半导体装置。

60. 发明申请

WO2014016164A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2014016164A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/EP2013/064974
申请日：2013-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ILLEK, Stefan , SABATHIL, Matthias , SCHWARZ, Thomas
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L31/00 , H01L31/02322 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L51/5271 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer ersten Oberfläche. Dabei ist der Halbleiterchip in einen Formkörper eingebettet. Die erste Oberfläche ist gegenüber einer Oberseite des Formkörpers erhaben. Auf der Oberseite des Formkörpers ist eine reflektierende Schicht angeordnet.
摘要翻译：一种光电子半导体器件，包括具有第一表面的光电子半导体芯片。在这种情况下，半导体芯片被嵌入的模塑制品。该第一表面相对于所述模制的顶面凸起。对成型的上表面上，反射层被布置。

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