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1. 发明申请

WO2017174776A1 LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：发光组件
公开(公告)号：WO2017174776A1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：PCT/EP2017/058368
申请日：2017-04-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： NEUDECKER, Ingo , MOOSBURGER, Juergen , PLOESSL, Andreas
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62
摘要： Lichtemittierendes Bauteil mit einem Träger (1), wobei auf dem Träger eine elektrische Kontaktfläche (2) ausgebildet ist, wobei auf der Kontaktfläche eine elektrisch leitende Kontaktfolie (6) angeordnet ist, wobei ein lichtemittierendes Bauelement (7, 8, 9) vorgesehen ist, wobei das Bauelement auf einer ersten Seite einen elektrischen Anschluss (11) aufweist, wobei das Bauelement mit der ersten Seite (10) auf der Kontaktfolie (6) aufliegt und mit der ersten Seite mit der Kontaktfolie verbunden ist, wobei der elektrische Anschluss (10) auf der Kontaktfolie (6) aufliegt und mit der Kontaktfolie elektrisch leitend verbunden ist, und wobei der elektrische Anschluss über die Kontaktfolie mit der Kontaktfläche (2) elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：
发光元件具有Tr的AUML; GER（1），其中，所述载体BEAR形成的表面（2）上，其特征在于，在接触BEAR亨特的电Kontaktfl＆AUML布置澈的导电接触箔（6），其特征在于，发光装置（7,8，9）设置，其中，在第一侧上的装置的电端子（11），其中，与在接触箔的第一侧（10）的组件（6）搁置，并用所述第一侧连接到所述接触箔，其中所述电连接（10）搁置在接触箔（6），并连接到接触箔导电的，且其中在所述接触BEAR表面的接触膜的电连接（2）电连接。

2. 发明申请

WO2017081289A1 MODUL FÜR EINE VIDEOWAND 审中-公开
标题翻译：视频墙模块
公开(公告)号：WO2017081289A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/EP2016/077489
申请日：2016-11-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MARTIN, Alexander , SCHWARZ, Thomas , SINGER, Frank , PLOESSL, Andreas
IPC分类号： G09G3/32 , H01L25/075 , G06F3/14 , H01L27/32 , H01L33/62
CPC分类号： G09G3/32 , G06F3/1446 , G09G2300/026 , G09G2300/0426 , G09G2300/0452 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/92247
摘要： Die Erfindung betrifft ein Modul für eine Videowand, mit einer Vielzahl von Bild-pixeln, wobei ein Bildpixel von wenigstens einem ersten und einem zweiten Leuchtchip gebildet wird, wobei jeder Leuchtchip einen ersten und einen zweiten elektrischen Anschluss aufweist, wobei der erste Leuchtchip eines Bildpixels mit dem ersten elektrischen Anschluss mit einer ersten Stromleitung verbunden ist, wobei der erste Leuchtchip eines Bildpixels mit dem zweiten elektrischen Anschluss mit einer dritten Stromleitung verbunden ist, wobei der zweite Leuchtchip eines Bildpixels mit dem ersten elektrischen Anschluss mit einer zweiten Stromleitung verbunden ist, und wobei der zweite Leuchtchip eines Bildpixels mit dem zweiten elektrischen Anschluss mit einer vierten Stromleitung verbunden ist.
摘要翻译：
本发明涉及一种具有多个视频墙的方法，其中一个图像像素的至少一个第一和一个第二发光芯片，每个发光芯片包括第一和第二电形成的模块F导航使用R像素图像具有终端，图像像素的第一发光芯片被连接到具有一个第一电源线，其特征在于，一个图像像素与所述第二电端子与第一发光芯片被连接到第三电源线，所述第一电终端，其中，图像像素的第二发光芯片与所述第一电端子连接到第二电源线，并且其中图像像素的第二光芯片通过第四电源线连接到第二电连接。

3. 发明申请

WO2017081184A1 ANORDNUNG MIT EINEM TRÄGER AUS EINEM GLASMATERIAL UND EINEM OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：使用玻璃材料和光电子半导体元件进行支撑的安排
公开(公告)号：WO2017081184A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/EP2016/077316
申请日：2016-11-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLOESSL, Andreas , SINGER, Frank
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/483 , H01L2224/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153 , H01L2933/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Träger (1) aus einem Glasmaterial, mit wenigstens einer Ausnehmung (4), wobei in der wenigstens einen Ausnehmung (4) des Trägers wenigstens ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (3) angeordnet ist, wobei wenigstens eine Fläche des Halbleiterbauteils (3) über eine Schmelzfläche aus Glas mit dem Träger (1) verbunden ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers aus Glasmaterial mit einem Halbleiterbauteil.
摘要翻译：本发明涉及一种具有由玻璃材料制成的载体（1）的装置，该载体具有至少一个凹部（4），其中在载体的至少一个凹部（4）中设置至少一个光电子半导体部件（3），其中半导体器件（3）的至少一个表面通过玻璃熔合玻璃连接到载体（1）。此外，本发明涉及一种用于制造具有半导体部件的玻璃材料基板的方法

4. 发明申请

WO2016198502A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016198502A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/EP2016/063113
申请日：2016-06-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLOESSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01S5/022 , H01L33/00 , H01L33/54
CPC分类号： H01L33/486 , H01L21/568 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24 , H01L2224/82 , H01L2224/82005 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (16) aufweisend: - einen Formkörper (5), - einen Halbleiterchip (2), - eine elektrische Durchkontaktierung (3), die eine elektrisch leitende Verbindung durch den Formkörper darstellt, wobei die Durchkontaktierung und der Halbleiterchip nebeneinander im Formkörper eingebettet sind, wobei ein elektrischer Kontakt (13) des Halbleiterchips auf einer Oberseite des Halbleiterchips ausgebildet ist, wobei eine erste Kontaktfläche (7) der Durchkontaktierung auf der Unterseite des Formkörpers ausgebildet ist, wobei eine zweite Kontaktfläche (9) der Durchkontaktierung auf der Oberseite des Formkörpers ausgebildet ist, wobei die zweite Kontaktfläche mit dem elektrischen Kontakt des Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden ist, wobei die Durchkontaktierung in der Weise ausgebildet ist, dass wenigstens in einem Abschnitt zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche auf einer Geraden zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche ein Formkörper angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelementes.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件（16），包括： - 成型体（5）， - 一个半导体芯片（2）， - 一个电镀通孔（3），其是通过模体的导电连接，通孔和通过侧的半导体芯片侧的被嵌入在模制体，其特征在于，在半导体芯片的上表面上形成的半导体芯片的电接触（13），第一接触表面（7）形成在所述通孔，其中第二接触表面（9）的通孔上的模制体的下侧成型体的上侧形成，其中，与所述半导体芯片的电接触的第二接触表面导电地连接，其特征在于，以这样的方式所形成的通过至少在所述第一和第二接触表面上的第一和之间的直线之间的部分第二接触区，成形体被布置。此外，本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。

5. 发明申请

WO2008131743A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2008131743A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/DE2008/000715
申请日：2008-04-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
发明人： ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, einer auf dem Halbleiterkörper angeordneten Reflektorschicht (72) und zwei elektrischen Kontakten (7,8) angegeben, wobei ein erster Kontakt (7) der beiden Kontakte auf der der Reflektorschicht zugewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, der zweite Kontakt (8) der beiden Kontakte auf der von der Reflektorschicht abgewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist und die Reflektorschicht zwischen einem Teilbereich des zweiten Kontakts und dem Halbleiterkörper angeordnet ist.
摘要翻译：它是与具有合适的半导体层序列的半导体主体（2），用于生成辐射有源区（4），一个设置在半导体本体反射器层（72）和两个电触头（7,8）上，其中，第一光电装置（7）接触的面对所述有源区域的反射层侧的一侧上的两个触点导电连接到所述半导体主体，所述第二触头（8）上从所述活性区域的所述反射层侧的远程侧的两个触点的导电地连接到所述半导体基体是和半导体主体的第二接触的部分之间的反射层被布置。

6. 发明申请

WO2008131736A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的多个光电元件的
公开(公告)号：WO2008131736A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/DE2008/000704
申请日：2008-04-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
发明人： ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, und mit zwei auf dem Halbleiterkörper angeordneten elektrischen Kontakten (7, 8) angegeben, wobei die Kontakte elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden sind, die Kontakte jeweils eine vom Halbleiterkörper abgewandte Anschlussfläche (70, 80) aufweisen, die Anschlussflächen auf einer Anschlussseite des Bauelements angeordnet sind und eine von der Anschlussseite verschiedene Seite des Bauelements verspiegelt ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl derartiger Bauelemente angegeben.
摘要翻译：它是（1）设置有一个半导体主体（2），其具有适合于产生辐射有源区（4），和两个设置在半导体本体电接触（7,8），其中，所述触点电连接到所述的光电子器件有源区被连接到在每种情况下一个接触面与半导体本体垫（70，80）的距离，其垫被设置在部件的一个端侧，并从部件的连接并排不同被镜像。此外，用于制造多个这样的器件的方法中给出。

7. 发明申请

WO2019105862A1 HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019105862A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/EP2018/082375
申请日：2018-11-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , PLOESSL, Andreas , SORG, Jörg
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L33/48
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von opto- elektronischen Bauelementen. Das Verfahren umfasst ein Be- reitstellen eines metallischen Trägers, wobei der Träger eine Vorderseite und eine der Vorderseite entgegengesetzte Rück- seite aufweist, ein vorderseitiges Entfernen von Trägermate- rial, so dass der Träger im Bereich der Vorderseite hervor- stehende Trägerabschnitte und dazwischen angeordnete Vertie- fungen aufweist, ein Ausbilden eines an Trägerabschnitte an- grenzenden Kunststoffkörpers, ein Anordnen von optoelektroni- schen Halbleiterchips auf Trägerabschnitten, ein rückseitiges Entfernen von Trägermaterial im Bereich der Vertiefungen, so dass der Träger in separate Trägerabschnitte strukturiert wird, und ein Durchführen einer Vereinzelung. Hierbei wird der Kunststoffkörper zwischen separaten Trägerabschnitten durchtrennt undwerdenvereinzelte optoelektronische Bauele- mente mit wenigstens einem optoelektronischen Halbleiterchip gebildet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelekt- ronisches Bauelement.

8. 发明申请

WO2016162433A1 LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：的光用于制造发光器件的发光器件和工艺
公开(公告)号：WO2016162433A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/EP2016/057641
申请日：2016-04-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HAUSHALTER, Martin , SINGER, Frank , SCHWARZ, Thomas , PLOESSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/642 , H01L33/005 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Ein lichtemittierendes Bauelement umfasst einen lichtemittierenden Chip und ein Gehäuse, wobei das Gehäuse einen Kunststoffkörper aufweist. Das Gehäuse ist so geformt, dass ein Reflektor entsteht, wenn das Gehäuse mit einer elektrisch leitfähigen Schicht bedeckt wird. Der lichtemittierende Chip weist eine Oberseite und eine Unterseite auf, wobei die Unterseite des lichtemittierenden Chips auf dem Kunststoffkörper angeordnet ist. Ein elektrischer Anschluss auf der Oberseite des lichtemittierenden Chips ist mittels einem Bonddraht mit dem Reflektor elektrisch leitend verbunden. Die Unterseite des lichtemittierenden Chips und der Reflektor sind voneinander elektrisch isoliert. Ein Leitungsbereich innerhalb des Kunststoffkörpers, dessen thermische Leitfähigkeit größer ist als die thermische Leitfähigkeit des Kunststoffkörpers, der an die Unterseite des lichtemittierenden Chips angrenzt und der sich von der dem lichtemittierenden Chip zugewandten Seite des Kunststoffkörpers bis zu der von dem lichtemittierenden Chip abgewandten Seite des Kunststoffkörpers 123 erstreckt, ist zur Abführung der Abwärme des lichtemittierenden Chips vorgesehen. Außerdem wird ein Herstellungsverfahren für ein lichtemittierendes Bauelement angegeben.
摘要翻译：一种发光器件，包括：发光芯片和外壳，其中所述外壳具有一个塑料体。壳体被成形为使得当所述壳体覆盖有导电层上形成的反射器。发光芯片具有顶部和底部，其中，所述发光芯片的底设置在所述塑料体。在发光芯片的上侧的电连接器导电地通过接合线到反射器的连接。发光芯片和所述反射器的底部是相互电隔离。的导电区域，所述内塑料体，其热导率比邻近所述发光芯片和从侧面面向发光塑料体的芯片侧到从发光塑料体123的芯片侧背向侧延伸的侧上的塑料体的热导率延伸，提供一种用于消散发光芯片的废热。此外，提供了一种用于制造发光器件的方法。

9. 发明申请

WO2014154637A1 VERFAHREN ZUM VERBINDEN VON FÜGEPARTNERN MITTELS ISOTHERMER ERSTARRUNGSREAKTION ZUR BILDUNG EINER IN-BI-AG-VERBINDUNGSSCHICHT UND ENTSPRECHENDE ANORDNUNG VON FÜGEPARTNERN 审中-公开
标题翻译：一种通过等温固化反应 - 加入加盟合作伙伴形成In-BI AG链路层和妥善安排加盟合作伙伴的
公开(公告)号：WO2014154637A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2014/055848
申请日：2014-03-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLOESSL, Andreas
IPC分类号： H01L23/62 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/2855 , H01L21/2885 , H01L21/76874 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/27444 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29109 , H01L2224/29113 , H01L2224/29139 , H01L2224/29166 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/83054 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83359 , H01L2224/83539 , H01L2224/83825 , H01L2224/83902 , H01L2224/83948 , H01L2924/12041 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zum Verbinden von Fügepartnern (1, 2), beispielsweise von einen optoelektronischen Halbleiterchip (z.B. einen Leuchtdiodenchip) und einer Leiterplatte oder einem metallischen Leiterrahmen mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines ersten Fügepartners (1) und eines zweiten Fügepartners (2), Aufbringen einer ersten Schichtenfolge (10) auf den ersten Fügepartner (1), die zumindest eine Schicht (11, 15) umfasst, die Silber enthält oder aus Silber besteht, Aufbringen einer zweiten Schichtenfolge (20) auf den zweiten Fügepartner (2), die zumindest eine Schicht (29) umfasst, die Indium und Wismut enthält, oder eine Schicht (23), die Indium enthält und eine Schicht (22, 24), die Wismut enthält, Zusammenpressen der ersten Schichtenfolge (10) und der zweiten Schichtenfolge (20) an ihren dem ersten Fügepartner (1) und dem zweiten Fügepartner (2) jeweils abgewandten Stirnflächen unter Anwendung eines Fügedrucks (p) bei einer Fügetemperatur, die höchstens 120 °C beträgt, für eine vorgegebene Fügezeit, wobei die erste Schichtenfolge (10) und die zweite Schichtenfolge (20) zu einer Verbindungsschicht (30) verschmelzen, die direkt an den ersten Fügepartner und den zweiten Fügepartner grenzt und derer Aufschmelztemperatur wenigstens 260 °C beträgt.
摘要翻译：将被接合的用于接合件的方法（1，2），（发光二极管芯片，例如）和印刷电路板或金属引线框架，其特征在于指定的光电子半导体芯片的例子的步骤：提供一第一接合部分（1）和第二接合部（2 ），将第一系列的第一对接件（1），所述至少一个层（11层（10）的方法，包括15）含有银或由银，沉积在所述第二对接件的第二层序列（20）（2）的至少一个层（29）含有铟和铋，或层（23）含有铟和一个层（22,24）中，铋含有，第一系列的层（10）的压在一起并在第二层序列（20）在其第一次加入伴侣（1）和所述第二接合部件（2）分别面向从端部开槽面使用的接合压力（p）在接合温度，这ħ öchstens120℃，持续预定接合时间，其中合并所述第一系列的层（10）和所述层的第二堆叠（20）以形成化合物层（30），其邻接第一接合部件和第二接合部件和那些回流温度至少260° 是C.

10. 发明申请

WO2013131729A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013131729A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/EP2013/052995
申请日：2013-02-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOEOETZ, Britta , MOOSBURGER, Juergen , PLOESSL, Andreas , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： C23C16/448 , C23C24/04 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/641 , C23C24/04 , C25D7/12 , H01L33/0079 , H01L33/46 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0075 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben mit den Schritten: Aufwachsen einer optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Aufwachssubstrat (1), Ausbilden einer elektrisch isolierenden Schicht (4) auf einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) durch Abscheidung von Partikeln eines elektrisch isolierenden Materials mittels eines Aerosolabscheideverfahrens, zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrats (1) nach dem Ausbilden der elektrisch isolierenden Schicht (4). Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.
摘要翻译：它是用于制造设置有如下步骤的光电子半导体芯片的方法：在生长衬底（1）上生长的光电子半导体层序列（2）中，形成（4）面向远离光电子半导体层序列的生长衬底（1）侧离开的电绝缘层（2 ）（通过由Aerosolabscheideverfahrens的装置，至少部分地去除所述生长衬底（1的电绝缘材料的颗粒的沉积），形成在电绝缘层4）之后。此外，光电子半导体芯片被指定。

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