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51. 发明申请

WO2006049125A1 成膜装置及び成膜方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型设备和薄膜成型方法
公开(公告)号：WO2006049125A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/020004
申请日：2005-10-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 石橋清隆
发明人：野沢俊久 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0212 , C23C16/4581 , C23C16/46 , C30B25/08 , C30B25/10 , C30B25/12 , H01L21/02274 , H01L21/3127
摘要：　本発明は、内部が真空引き可能な処理容器と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内へ成膜用ガスを含む所定のガスを供給するためのガス供給手段と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、前記被処理体を加熱するための加熱手段と、前記載置台の上面の周辺部に、前記被処理体の周辺部よりも外側で当該被処理体から隙間を介して僅かに離間するように設けられた補助加熱手段と、装置全体の動作を制御するための制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。
摘要翻译：成膜设备的特征在于设备具有能够被抽真空的处理室; 处理室中的放置台，用于放置待处理的工件; 用于向处理室供应包括用于成膜的气体的规定气体的气体供给装置; 用于在处理室中形成等离子体的等离子体形成装置; 用于加热待加工的加工装置; 辅助加热装置，设置在所述放置台的上平面的周边的外边缘处，待加工的工件的周边与待加工的工件略微分开; 以及用于控制整个设备的操作的控制装置。

52. 发明申请

WO2006038672A1 マイクロ波プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：微波等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2006038672A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/018545
申请日：2005-10-06
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 野沢俊久
发明人：田才忠 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32266
摘要：　プロセス条件等の変化に対応してプラズマの均一性と安定性を容易に確保することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること。　マイクロ波によって前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを形成し、そのプラズマにより被処理体にプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置１００であって、マイクロ波透過板２８の外周を覆う導電体からなるプレート２７に、マイクロ波透過板２８の端部からその内部に向かってマイクロ波が伝搬される２以上の孔４２を形成し、体積調節機構４３，４５により孔の体積を調設してマイクロ波透過板２８を孔４２の各々が属するユニット毎に分割した場合における各ユニットのインピーダンスを調節し、マイクロ波透過板２８の電界分布を制御する。
摘要翻译：微波等离子体处理装置，其能够根据工艺条件等的变化容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。微波等离子体处理装置（100）通过微波产生室内的处理气体的等离子体，并通过使用等离子体对待处理的工件进行等离子体处理。在由覆盖微波发射板（28）的外周的导体构成的板（27）上，用于从微波发射板（28）的边缘部分向内部传播微波的两个或多个孔（42）形成。当微波发射板（28）被每个孔（42）所属的单位划分，并且微波的电场分布时，音量调节机构（43,45）调节孔的体积以调节每个单元的阻抗传输板（28）被控制。

53. 发明申请

WO2005038896A1 プラズマエッチング方法审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：WO2005038896A1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/JP2004/015256
申请日：2004-10-15
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 西塚哲也 , 野沢俊久
发明人：西塚哲也 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：　本発明は、Ｃｘ　Ｆｙ　ガス（ｘ、ｙは自然数）を含む処理ガスのプラズマを発生させる工程と、基板上に予め形成されたフッ素添加カーボン膜を、前記プラズマによってエッチングする工程と、を備えたことを特徴とするプラズマエッチング方法である。
摘要翻译：等离子体蚀刻方法的特征在于包括产生含有C x F y气体（x和y为自然数）的工艺气体的等离子体的步骤，以及用于蚀刻预先通过等离子体在衬底上形成的氟化碳膜的步骤。

54. 发明申请

WO2004066379A1 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：WO2004066379A1
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：PCT/JP2004/000147
申请日：2004-01-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 川上聡
发明人：野沢俊久 , 川上聡
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67173 , B25J5/02 , B25J9/042 , H01L21/67742
摘要：本発明は、フットプリントの向上を図ることができ、しかも拡張性に優れた基板処理装置を提供することを目的とする。　本発明に係る基板処理装置では、回転動作を伴うことなく、直線状に移動可能なステージと搬送手段である１軸多関節ロボットとによって、ロードロック室、ＣＶＤ処理部及びエッチング処理部との間でウェハＷの受け渡しを行っているので、フットプリントの向上を図ることができる。また、ＣＶＤ処理部やエッチング処理部等の処理室の数が増えた場合に、単に搬送路を直線状に延ばしていけば良いので、拡張性にも優れている。
摘要翻译：提供了能够改善脚印并且具有优异的延伸特性的基板处理装置。在基板处理装置中，能够进行不需要旋转操作的直线运动的台和作为输送装置的单轴多关节机器人通过载荷锁定室，CVD处理部和蚀刻处理部之间的晶片（W）。因此，可以改善脚印。此外，当诸如CVD处理部分和蚀刻处理部分的处理室的数量增加时，仅需要直线地延伸输送路径。因此，延伸特性也优异。

55. 发明申请

WO2004017684A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2004017684A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2003/010274
申请日：2003-08-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 石橋清隆 , 野沢俊久
发明人：石橋清隆 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32458 , H01J37/32192
摘要：　プラズマ処理装置は、チャンバー（１）と高周波電源とアンテナ部（３）とを備えている。アンテナ部（３）は、スロット板（３ｃ）、遅波板（３ｂ）およびアンテナカバー（３ａ）を有して構成される。チャンバー（１）の上部に平板部（４ａ）と側壁部（４ｂ）を有する天板部（４）が配設されている。平板部（４ａ）は、収容された基板（１１）と対向するように配置されスロット板（３ｃ）に接している。側壁部（４ｂ）は、平板部（４ａ）の周部から基板（１１）の配置される側に向かって延在するように形成されている。側壁部（４ｂ）の外周面はチャンバー（１）に接している。側壁部（４ｂ）の厚さは、天板部（４）の誘電率に基づくマイクロ波の波長をλgとすると、λg／４以上に設定されている。これにより、プラズマ密度をより高め、かつ、そのプラズマ密度分布の均一性を向上することができる。
摘要翻译：一种等离子体处理装置，包括室（1），高频电源和天线单元（3）。天线单元（3）包括槽板（3c），慢波板（3b）和天线罩（3a）。具有平板（4a）和侧壁（4b）的顶板单元（4）设置在室（1）的上部。平板（4a）接触与被容纳的基板（11）相对设置的槽板（3c）。侧壁（4b）形成为从平板（4a）的周边朝向基板设置侧延伸。侧壁（4b）的外周表面与腔室（1）接触。侧壁（4b）的厚度设定为至少lambdag / 4，其中lambdag是基于顶板（4）的介电常数的微波的波长。因此，可以进一步提高等离子体密度，并且可以提高等离子体密度分布的均匀性。

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