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41. 发明申请

WO2016184828A1 METHOD OF MANUFACTURING NANOSTRUCTURES FOR A FIELD EMISSION CATHODE 审中-公开
标题翻译：制备场致发射阴极纳米结构的方法
公开(公告)号：WO2016184828A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/EP2016/060943
申请日：2016-05-16
申请人： LIGHTLAB SWEDEN AB
发明人： TIRÉN, Jonas , CARLSSON, Jan-Otto , NIKONOVA, Oleysa
IPC分类号： H01J1/304 , C30B7/10 , H01J9/02 , H01J63/02 , H01J63/06
CPC分类号： H01J1/304 , B82Y40/00 , C30B7/10 , C30B7/105 , C30B7/14 , C30B29/16 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/3043 , H01J2201/30496
摘要： The present invention relates to the field of field emission lighting, and specifically to a method for forming a field emission cathode. The method comprises arranging a growth substrate in a growth solution comprising a Zn-based growth agent, the growth solution having a pre-defined pH-value at room temperature; increasing the pH value of the growth solution to reach a nucleation phase; upon increasing the pH of the solution nucleation starts. The growth phase is then entered by decreasing the pH. The length of the nanorods is determined by the growth time. The process is terminated by increasing the pH to form sharp tips. The invention also relates to a structure for such a field emission cathode and to a lighting arrangement comprising the field emission cathode.
摘要翻译：本发明涉及场发射照明领域，具体涉及形成场致发射阴极的方法。该方法包括将生长底物布置在包含Zn基生长剂的生长溶液中，所述生长溶液在室温下具有预定义的pH值; 增加生长溶液的pH值达到成核期; 在增加溶液的pH值后，开始成核。然后通过降低pH进入生长期。纳米棒的长度由生长时间决定。通过增加pH以形成锋利的尖端终止该过程。本发明还涉及用于这种场发射阴极的结构和包括场发射阴极的照明装置。

42. 发明申请

WO2015070109A1 BRIGHT AND DURABLE FIELD EMISSION SOURCE DERIVED FROM REFRACTORY TAYLOR CONES 审中-公开
标题翻译：明亮和耐久的场地排放源由炼铁塔发出
公开(公告)号：WO2015070109A1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：PCT/US2014/064697
申请日：2014-11-07
申请人： HIRSCH, Gregory
发明人： HIRSCH, Gregory
IPC分类号： H01J49/04
CPC分类号： H01J37/073 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/08 , H01J37/3178 , H01J2201/30411 , H01J2237/0805
摘要： A method of producing field emitters having improved brightness and durability relying on the creation of a liquid Taylor cone from electrically conductive materials having high melting points. The method calls for melting the end of a wire substrate with a focused laser beam, while imposing a high positive potential on the material. The resulting molten Taylor cone is subsequently rapidly quenched by cessation of the laser power. Rapid quenching is facilitated in large part by radiative cooling, resulting in structures having characteristics closely matching that of the original liquid Taylor cone. Frozen Taylor cones thus obtained yield desirable tip end forms for field emission sources in electron beam applications. Regeneration of the frozen Taylor cones in-situ is readily accomplished by repeating the initial formation procedures. The high temperature liquid Taylor cones can also be employed as bright ion sources with chemical elements previously considered impractical to implement.
摘要翻译：一种制造具有改善的亮度和耐久性的场致发射体的方法，其依赖于具有高熔点的导电材料产生液体泰勒锥。该方法要求用聚焦激光束熔化线基底的端部，同时在材料上施加高的正电位。随后通过停止激光功率使所得的熔融泰勒锥快速淬火。在很大程度上通过辐射冷却促进快速淬火，导致具有与原始液体泰勒锥的特征密切相似的特征的结构。因此获得的冷冻泰勒锥在电子束应用中产生用于场发射源的期望的尖端形式。通过重复初始形成程序容易地实现冷冻泰勒锥的原位再生。高温液体泰勒锥也可用作具有以前认为不实际实施的化学元素的明亮离子源。

43. 发明申请

WO2015058588A1 针状带电粒子束发射体及制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015058588A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/CN2014/085644
申请日：2014-08-31
申请人：严建新
发明人：严建新
IPC分类号： H01J37/065 , H01J35/06 , H01J9/02
CPC分类号： H01J37/065 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/063 , H01J37/073
摘要：一种带电粒子束的发射体，该发射体为针状，且针顶端部分（200）至少包含两个组分，组分一是具有至少朝针顶指向方向开口的洞状组分（202），组分二是设置于组分一空洞中的针尖组分（204），电子至少从组分二的针尖顶点发射出。该发射体的特点是发射所需施加电压低并且发射带电粒子束的发射面积小，发散角小。

44. 发明申请

WO2014198944A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON NANOSPITZEN 审中-公开
标题翻译：方法和装置的制备纳米TIPS
公开(公告)号：WO2014198944A1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/EP2014/062462
申请日：2014-06-13
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： MEHR, Wolfgang , WOLFF, André
IPC分类号： H01J37/073
CPC分类号： C23F4/00 , B81C1/00111 , C23C16/50 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J37/32963 , H01J37/32981 , H01J2201/30411 , H01J2209/0226 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/3081
摘要： Verfahren zur Herstellung von mindestens einer Nanospitze aus einem Spitzenmaterial, umfassend das Bereitstellen eines Substrates (210), das aus dem Spitzenmaterial besteht oder dieses in Form einer Beschichtung aufweist, das Herstellen einer Maske aus einem Maskenmaterial (220), wobei das Maskenmaterial so gewählt ist, dass in einem vorbestimmten reaktiven lonenatzprozess das Maskenmaterial mit einer geringeren Ätzrate entfernt wird als das Spitzenmaterial und das Durchführen des reaktiven lonenätzprozesses in einer Ätzkammer, wobei Maskenmaterials zusätzlich derart ausgewählt wird, dass beim reaktiven lonenätzprozess aus dem Maskenmaterial eine gasförmige Komponente (230) freigesetzt wird, die beim reaktiven lonenätzprozess aus dem Spitzenmaterial nicht freigesetzt wird und wobei das Verfahren weiterhin die Schritte Detektieren der gasförmigen Komponente während der Durchführung des lonenätzprozesses, wiederholtes Ermitteln während des lonenätzprozesses, ob eine Menge der gasförmigen Komponente in der Ätzkammer einen vorbestimmten unteren Schwellwert erreicht, und sobald der untere Schwellwert erreicht ist: Stoppen des reaktiven lonenätzprozesses, umfasst.
摘要翻译：一种用于至少产生一个顶材料的纳米尖端，其包括：提供衬底（210），它由尖端的材料制成，或该具有涂层的形式，制备由掩模材料（220），的掩模，其中所述掩模材料被选择，以便处理的是，在预定的反应性lonenatzprozess掩模材料被以较慢的蚀刻速度比所述顶部材料取出，并在蚀刻室，其中，所述掩模材料的反应离子蚀刻的气体成分时的掩模材料被进一步选择，使得进行所述反应性lonenätzprozesses（230）被释放未在反应性离子蚀刻工艺从尖端材料释放，并且其中所述方法还包括lonenätzprozesses的执行期间检测所述气态组分，lonenätzprozesses期间反复确定是否量的步骤气体成分达到在蚀刻室的预定下阈值，并且当达到所述下阈值时：停止所述反应性lonenätzprozesses包括。

45. 发明申请

WO2014057570A1 電子源の製造方法审中-公开
标题翻译：制造电子源的方法
公开(公告)号：WO2014057570A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/JP2012/076381
申请日：2012-10-12
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：市村　崇 , 新田　久雄 , 薗部　信之 , 趙　福來 , 村越　久弥
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/16 , H01J1/30 , H01J37/06
CPC分类号： H01J37/065 , C25F3/26 , H01J1/16 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J9/042 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/285 , H01J2237/063 , H01J2237/06316 , H01J2237/06341
摘要：　従来のチップの加工方法では、先端の形状の寸法を指定して作製することができず、所望の任意の径を持つチップを得ることができない。また、チップに不純物が付着する可能性がある。　チップ先端直径とチップ先端を加工しているときの印加電圧または囲う時間の相関関係を利用し、所望の先端直径を得る印加電圧を制御し、チップを加工する。これにより、タングステン単結晶細線の先鋭化した先端直径が０.１μｍ以上２.０μｍ以下の範囲で、所望の任意の径を持つチップを製造することができる。
摘要翻译：用于处理芯片的常规方法不会产生具有指定尺寸的尖端形状的芯片，因此不能产生具有任何数量所需直径的芯片。此外，杂质可能附着在芯片上。在本发明中，通过控制施加的电压来处理芯片，以便在处理芯片的尖端时，使用芯片的尖端直径与所施加的电压或封闭时间之间的关系来获得期望的尖端直径。由此，可以使用直径在0.1μm〜2.0μm之间的钨单晶细线的尖锐尖端来制造具有任意所需直径的芯片。

46. 发明申请

WO2013050570A1 METHOD FOR MANUFACTURING NANOSTRUCTURES AND CATHODE FOR FIELD EMISSION LIGHTING ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：用于制造场发射照明装置的纳米结构和阴极的方法
公开(公告)号：WO2013050570A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/EP2012/069787
申请日：2012-10-05
申请人： LIGHTLAB SWEDEN AB
发明人： HU, Qiu-Hong , YANG, Shang-Ray , BOHLIN, Kjell
IPC分类号： H01J9/02 , H01J63/04 , H01J1/304
CPC分类号： H01J1/304 , C30B7/10 , C30B29/16 , H01J1/3044 , H01J1/36 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/30496
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a plurality of nanostructures comprising the steps of providing a plurality of protruding base structures (104) arranged on a surface of a first substrate (102), providing a seed layer mixture, comprising a solvent/dispersant and a seed material, in contact with the protruding base structures, providing a second substrate arranged in parallel with the first substrate adjacent to the protruding base structures, thereby enclosing a majority of the seed layer mixture between the first and second substrates, evaporating the solvent, thereby forming a seed layer (110) comprising the seed material on the protruding base structures, removing the second substrate, providing a growth mixture, comprising a growth agent, in contact with the seed layer, and controlling the temperature of the growth mixture so that nanostructures (114) are formed on the seed layer via chemical reaction in presence of the growth agent.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造多个纳米结构的方法，包括以下步骤：提供布置在第一基底（102）的表面上的多个突出的基底结构（104），提供种子层混合物，其包含溶剂/分散剂以及与所述突出的基部结构接触的种子材料，提供与所述第一基板平行布置的与所述突出的基部结构相邻的第二基板，从而在所述第一和第二基板之间封闭所述种子层混合物的大部分，蒸发所述溶剂，从而在突出的基部结构上形成包含种子材料的种子层（110），去除第二基底，提供包含与种子层接触的生长剂并且控制生长混合物的温度的生长混合物纳米结构（114）通过生长剂存在下的化学反应在种子层上形成。

47. 发明申请

WO2011160532A1 一维纳米材料植入金属电极表面的方法审中-公开
公开(公告)号：WO2011160532A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/CN2011/074838
申请日：2011-05-30
申请人：上海交通大学 , 丁桂甫 , 王艳 , 汪红 , 崔雪梅 , 邓敏
发明人：丁桂甫 , 王艳 , 汪红 , 崔雪梅 , 邓敏
IPC分类号： H01J9/12 , C01B31/02
CPC分类号： H01J9/025 , C01B32/05 , H01J1/3044

48. 发明申请

WO2011159012A2 전도성 나노구조물 및 이의 성형 방법 및 이를 이용하는 전계 방출 에미터의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：导电性纳米结构，其成型方法以及使用其制造场致发射体的方法
公开(公告)号：WO2011159012A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/KR2011/001250
申请日：2011-02-23
申请人： 서울대학교산학협력단 , 김용협 , 김왈준
发明人： 김용협 , 김왈준
IPC分类号： H01B1/04 , H01B1/02 , H01J1/30
CPC分类号： H01J9/025 , B23H9/00 , H01B1/04 , H01B1/08 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J2201/30411 , H01J2201/30434 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469
摘要： 본 발명은 전도성 나노구조물 및 이의 성형 방법 및 이를 이용하는 전계 방출 에미터의 제조 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 전도성 기판; 상기 전도성 기판 상에 배열되는 전도성 나노구조물; 및 상기 전도성 기판 및 상기 전도성 나노구조물 사이의 계면에 배치되는 전도성 계면 화합물을 포함하는 전계 방출 나노구조물 및 이의 성형 방법 및 이를 이용하는 전계 방출 에미터의 제조 방법을 제공한다.
摘要翻译：导电性纳米结构体及其成型方法技术领域本发明涉及导电性纳米结构体，其成型方法以及使用该场合的场致发射体的制造方法。更具体地说，本发明涉及一种场致发射纳米结构，包括：导电基片; 布置在导电基板上的导电纳米结构; 以及设置在导电基板和导电纳米结构之间的界面中的导电界面化合物，以及其成型方法以及使用其的场致发射体的制造方法。

49. 发明申请

WO2008058527A3 FIELD EMISSION DEVICE 审中-公开
标题翻译：场发射装置
公开(公告)号：WO2008058527A3
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：PCT/DE2007002065
申请日：2007-11-15
申请人： KEESMANN TILL
发明人： KEESMANN TILL
IPC分类号： H01J1/304 , H01J29/04
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J29/04 , H01J2201/30446
摘要： The invention relates to a field emission device comprising a cathode having an emission region (1) for electrons (2). The field emission device is embodied for generating technically useful electron currents at a voltage which is as low as possible, in such a way that the emission region (1) has an arrangement of a plurality of individually positioned or positionable atoms (4) or molecules.
摘要翻译：具有用于电子（2）阴极（3）被设计对于技术上有用的电子电流的产生尽可能少的电压的发射区（1）的场致发射装置，使得所述发射区（1）的多个单独定位或可定位原子的阵列（4）或分子包含。

50. 发明申请

WO2007092499A3 METHOD OF FORMING GATED, SELF-ALIGNED MICRO-STRUCTURES AND NANO-STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：形成选通，自对准微结构和纳米结构的方法
公开(公告)号：WO2007092499A3
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/US2007003256
申请日：2007-02-05
申请人： UNIV WAYNE STATE , BAIRD RONALD J , GEORGIEV DANIEL G , AVRUTSKY IVAN , NEWAZ GOLAM , AUNER GREGORY W
发明人： BAIRD RONALD J , GEORGIEV DANIEL G , AVRUTSKY IVAN , NEWAZ GOLAM , AUNER GREGORY W
IPC分类号： H01J1/02 , H01L21/00
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/3044 , Y10T428/24802
摘要： Methods of forming a gated, self-aligned nano-structures for electron extraction are disclosed. One method of forming the nano-structure comprises irradiating a first surface of a thermally conductive laminate to melt an area across the first surface of the laminate. The laminate comprises a thermally conductive film and a patterned layer disposed on the first surface of the film. The patterned layer has a pattern formed therethrough, defining the area for melting. The film is insulated at a second surface thereof to provide two-dimensional heat transfer laterally in plane of the film. The liquid density of the film is greater than the solid density thereof. The method further comprises cooling the area inwardly from the periphery thereof to form the nano-structure having an apical nano-tip for electron emission centered in an electrically isolated aperture that serves as a gate electrode to control electron extraction in a gated field emitter device.
摘要翻译：公开了形成用于电子提取的门控自对准纳米结构的方法。一种形成纳米结构的方法包括照射导热层压材料的第一表面以熔化层压材料的第一表面上的区域。该层压板包括导热膜和设置在膜的第一表面上的图案化层。图案化层具有穿过其形成的图案，限定用于熔化的区域。该膜在其第二表面处被绝缘以在膜的平面内侧向地提供二维热传递。该膜的液体密度大于其固体密度。该方法进一步包括从其周边向内冷却该区域以形成具有用于电子发射的顶端纳米尖端的纳米结构，该顶端纳米尖端以电隔离孔隙为中心，该电隔离孔隙用作门电极以控制门控场发射器装置中的电子提取。

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