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41. 发明申请

WO2010079051A1 SILYL- UND HETEROATOM-SUBSTITUIERTE VERBINDUNGEN AUSGEWÄHLT AUS CARBAZOLEN, DIBENZOFURANEN, DIBENZOTHIOPHENEN UND DIBENZOPHOSPHOLEN UND IHRE ANWENDUNG IN DER ORGANISCHEN ELEKTRONIK 审中-公开
标题翻译：甲硅烷基和从咔唑，二苯并呋喃，二苯并噻吩选择的杂原子取代的化合物与DIBENZOPHOSPHOLEN及其在有机电子应用
公开(公告)号：WO2010079051A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：PCT/EP2009/067120
申请日：2009-12-14
申请人： BASF SE , LANGER, Nicolle , SCHILDKNECHT, Christian , WATANABE, Soichi , FUCHS, Evelyn , WAGENBLAST, Gerhard , LENNARTZ, Christian , MOLT, Oliver , DORMANN, Korinna , LOH, Chuanjie , HUNZE, Arvid , KRAUSE, Ralf , SCHMID, Günter , HEUSER, Karsten , ELSBERGEN, VON, Volker , BOERNER, Herbert, Friedrich , KIRSCH, Stefan , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONIC N. V. , PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH
发明人： LANGER, Nicolle , SCHILDKNECHT, Christian , WATANABE, Soichi , FUCHS, Evelyn , WAGENBLAST, Gerhard , LENNARTZ, Christian , MOLT, Oliver , DORMANN, Korinna , LOH, Chuanjie , HUNZE, Arvid , KRAUSE, Ralf , SCHMID, Günter , HEUSER, Karsten , ELSBERGEN, VON, Volker , BOERNER, Herbert, Friedrich , KIRSCH, Stefan
IPC分类号： C07F7/08 , C07F9/572 , C07F9/655 , C07F9/6553 , H01L51/50 , C09K11/06
CPC分类号： C07F7/0814 , C07F7/0854 , C07F9/5728 , C07F9/65517 , C07F9/655354 , C07F9/65683 , C09K11/06 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/5016 , H01L51/5096
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft SiIyI- und Heteroatom-substituierte Verbindungen, ausgewählt aus Carbazolen, Dibenzofuranen, Dibenzothiophenen und Disilylbenzophospholen der Formeln (I) oder (I*), die Verwendung der Verbindungen der Formeln (I) oder (I*) in organisch-elektronischen Anwendungen, bevorzugt in organischen Leuchtdioden, eine organische Leuchtdiode enthaltend mindestens eine Verbindung der Formel (I) oder (I*), eine Licht-emittierende Schicht enthaltend mindestens eine Verbindung der Formel (I) oder (I*), eine Blockschicht für Löcher/Excitonen enthaltend mindestens eine Verbindung der Formel (I) oder (I*) sowie eine Vorrichtung ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus stationären Bildschirmen, mobilen Bildschirmen, Beleuchtungseinheiten, Tastaturen, Kleidungsstücken, Möbeln und Tapeten, enthaltend mindestens eine erfindungsgemäße organische Leuchtdiode.
摘要翻译：本发明涉及甲硅烷基，和选自式（I）或（I *），在有机电子的使用式（I）或（I *）的化合物的咔唑，二苯并呋喃，二苯并噻吩和Disilylbenzophospholen选择的杂原子取代的化合物应用中，优选在有机发光二极管，有机发光二极管，其包括式（I）的至少一种化合物或（I *），一个发射光层，其包含式（I）的至少一种化合物或（I *），空穴阻挡层/ 激子，其包含式（I）或（I *）以及选自静止屏幕，手机屏幕，照明单元，键盘，服装，家具和壁纸的组中选择的装置中的至少一种化合物，其包含至少一种有机光根据本发明的发光二极管。

42. 发明申请

WO2010040777A1 MIT KONDENSIERTEN RINGSYSTEMEN SUBSTITUIERTE SILOLE UND DEREN VERWENDUNG IN DER ORGANISCHEN ELEKTRONIK 审中-公开
标题翻译：冷凝环系统取代噻咯及其使用在有机电子
公开(公告)号：WO2010040777A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/EP2009/063036
申请日：2009-10-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V. , PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH , BASF SE , HEUSER, Karsten , HUNZE, Arvid , SCHMID, Günter , KRAUSE, Ralf , LANGER, Nicolle , Molt, Oliver , DORMANN, Korinna , FUCHS, Evelyn , RUDOLPH, Jens , LENNARTZ, Christian , WATANABE, Soichi , SCHILDKNECHT, Christian , WAGENBLAST, Gerhard , VAN ELSBERGEN, Volker , BOERNER, Herbert, Friedrich
发明人： HEUSER, Karsten , HUNZE, Arvid , SCHMID, Günter , KRAUSE, Ralf , LANGER, Nicolle , Molt, Oliver , DORMANN, Korinna , FUCHS, Evelyn , RUDOLPH, Jens , LENNARTZ, Christian , WATANABE, Soichi , SCHILDKNECHT, Christian , WAGENBLAST, Gerhard , VAN ELSBERGEN, Volker , BOERNER, Herbert, Friedrich
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/5096 , H01L51/0062 , H01L51/0094
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von mit kondensierten Ringsystemen substituierten Silolen in organisch-elektronischen Anwendungen sowie spezielle mit kondensierten Ringsystemen substituierte Silole und deren Verwendung in organisch-elektronischen Anwendungen.
摘要翻译：本发明涉及使用与在有机电子应用稠环系统噻咯以及特别与稠合环体系噻咯及其在有机电子应用中使用取代基取代。

43. 发明申请

WO2009106068A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER DOTIERTEN ORGANISCHEN HALBLEITENDEN SCHICHT 审中-公开
标题翻译：制造方法掺杂有机半导体层
公开(公告)号：WO2009106068A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000280
申请日：2009-02-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÖÖTZ, Britta , DOBBERTIN, Thomas , DIEKMANN, Karsten , KANITZ, Andreas , SCHMID, Günter , HUNZE, Arvid
发明人： GÖÖTZ, Britta , DOBBERTIN, Thomas , DIEKMANN, Karsten , KANITZ, Andreas , SCHMID, Günter , HUNZE, Arvid
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0083 , H01L51/0084
摘要： Es wird ein Verfahren bereitgestellt zur Herstellung einer dotierten organischen halbleitenden Schicht mit den Verfahrensschritten A) Bereitstellen eines Matrixmaterials, B) Bereitstellen eines Dotierstoffkomplexes, und C) gleichzeitiges Aufdampfen des Matrixmaterials und des Dotierstoffkomplexes auf ein Substrat, wobei der Dotierstoffkomplex im Verfahrensschritt C) zersetzt und der reine Dotierstoff in das Matrixmaterial eingelagert wird.
摘要翻译：其中Dotierstoffkomplex在工艺步骤C）被分解，提供一种用于生产包括以下步骤：A）提供一种基体材料，b）提供一个Dotierstoffkomplexes，和C）同时蒸发基质材料和Dotierstoffkomplexes到衬底，掺杂有机半导体层的方法和纯掺杂剂被结合到基质材料中。

44. 发明申请

WO2009053396A1 ELEKTRISCHE DIREKTANTRIEBSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：电力直接驱动装置
公开(公告)号：WO2009053396A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/EP2008/064296
申请日：2008-10-22
申请人： SCHAEFFLER KG , INA-DRIVES & MECHATRONICS GMBH & CO:OHG , SCHMID, Günter , PFEIFFER, Marko
发明人： SCHMID, Günter , PFEIFFER, Marko
IPC分类号： H02K5/173 , F16C19/00
CPC分类号： F16C19/54 , H02K1/187 , H02K5/1735 , H02K5/20 , H02K21/22
摘要： Eine elektrische Direktantriebsvorrichtung umfasst eine zur Befestigung an einem Maschinengestell (3) vorgesehene Stützvorrichtung (6) und einen relativ zur Stützvorrichtung (6) rotierbaren Zylinder (2), wobei die Stützvorrichtung (6) einen Lagerzapfen (4) sowie einen unter Bildung eines ringförmigen Spaltraumes (14) konzentrisch zum Lagerzapfen (4) angeordneten Stützring (5) umfasst, wobei der Zylinder einen in den ringförmigen Spaltraum (14) eingreifenden inneren Ring (13) aufweist, welcher mittels eines Lagers (11) rotierbar auf dem Lagerzapfen (4) gelagert ist, wobei radial außen am Stützring (5) ein Stator (15) eines Direktantriebsmotors (18) befestigt ist, wobei der Stator (15) vom einem einen Rotor des Direktantriebsmotors (18) bildenden äußeren Ring (17) des Zylinders (2) umgeben ist.
摘要翻译：一种电动直接驱动装置包括一个被固定到机器框架（3）所提供的支撑装置（6）和可旋转的一个相对于所述支撑装置（6）上气缸（2），其中，所述支撑装置（6）具有一个轴承销（4）和一个环形间隙空间的形式包括：（14）同心的轴承轴颈（4）布置（5），其中，所述缸体接合一个进入环形间隙（14）的内圈（13），通过轴承（11）可旋转地安装在轴承销上的装置，支承环（4），其安装，其特征在于，径向支撑环（5），直接驱动马达的定子（15）的外侧（18）被安装时，其特征在于，从形成在气缸的外环（17）的直接驱动电动机（18）的一个转子的定子（15）（2）所包围是。

45. 发明申请

WO2008106917A1 ELEKTRISCHES ORGANISCHES BAUELEMENT MIT RHENIUM-DOTIERSTOFF UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：有机电子器件铼掺杂物及其制造方法
公开(公告)号：WO2008106917A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/DE2008/000213
申请日：2008-02-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Günter , GÖÖTZ, Britta , HEUSER, Karsten , SCHERER, Wolfgang , HERRMANN, Rudolf , SCHEIDT, Ernst-Wilhelm
发明人： SCHMID, Günter , GÖÖTZ, Britta , HEUSER, Karsten , SCHERER, Wolfgang , HERRMANN, Rudolf , SCHEIDT, Ernst-Wilhelm
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/002 , H01L51/006 , H01L51/0084 , H01L51/5052 , Y02E10/549
摘要： Die Erfindung betrifft ein elektrisches organisches Bauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Das Bauelement umfasst ein Substrat, eine erste Elektrode, eine erste elektrisch halbleitende Schicht auf der ersten Elektrode, eine organische Funktionsschicht auf der ersten elektrisch halbleitenden Schicht sowie eine zweite Elektrode auf der organischen Funktionsschicht. Es kann die erste oder die zweite Elektrode auf dem Substrat angeordnet sein. Die elektrisch halbleitende Schicht ist mit einem Dotierstoff dotiert, der Rheniumverbindungen umfasst.
摘要翻译：本发明涉及一种电有机组分和其制备方法。所述部件包括基板，第一电极，在第一电极上的第一半导电层，所述第一半导电层上的有机功能层和所述有机功能层上的第二电极。它可以是第一或第二电极被布置在基板上。电半导电层掺杂有掺杂剂包括铼化合物。

46. 发明申请

WO2008006645A1 WÄLZLAGER MIT INTEGRIERTEM DREHWINKELGEBER 审中-公开
标题翻译：轴承带一体式旋转编码器
公开(公告)号：WO2008006645A1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：PCT/EP2007/055377
申请日：2007-06-01
申请人： SCHAEFFLER KG , SCHMID, Günter
发明人： SCHMID, Günter
IPC分类号： F16C19/52 , F16C41/00 , F16C33/58 , G01P3/44
CPC分类号： G01D11/30 , F16C19/08 , F16C33/583 , F16C33/62 , F16C41/007 , G01P3/443 , G01P3/487
摘要： Die Erfindung betrifft ein Wälzlager (1), mit zumindest einem ersten radial außen liegenden Lagerring (3) und zumindest einem zweiten radial innen liegenden Lagerring (4a, 4b), mit zumindest einer zwischen denselben in Laufbahnen geführten Wälzkörper-Reihe (5a, 5b) und zumindest einem Winkelgeber (8) zur Erfassung der Winkellage und/oder der Relativdrehzahl zwischen den zueinander korrespondierenden Lagerringen (3; 4a, 4b), wobei der zumindest eine Winkelgeber (8) zum einen ein kunststoffgebundenes, ferromagnetisches Material (9) aufweist, welches in einer ringförmigen Aussparung (10) oder Nut eines Lagerringes (4a) aufgenommen ist, und zum anderen zumindest einen, dem kunststoffgebundenen, ferromagnetischen Material (9) zugeordneten Sensor (11) umfasst, welcher am anderen Lagerring (3) oder an einem zum Wälzlager (1) benachbarten Bauteil abgestützt ist.
摘要翻译：本发明涉及一种滚动轴承（1），具有至少一个第一径向外轴承环（3）和至少一个第二径向轴承内环（4A，4B）中，用相同的运行之间的至少一个在所述滚道滚动元件排（5A，5B）和至少一个角度传感器（8），用于检测相互对应的轴承圈之间的角位置和/或相对速度（3;图4a，4b），其特征在于，所述至少一个角度传感器（8）上，一方面有一个塑料粘结的铁磁材料（9），其在一个环形凹部（10）或槽的轴承环（4a）的接收，并分配给其他的至少一个，所述塑料粘结铁磁材料（9）传感器（11），其在另一个轴承环（3）上或在一到滚动轴承（1）相邻的构件被支承。

47. 发明申请

WO2005117024A1 INTEGRIERTER HALBLEITERSPEICHER MIT ORGANISCHEM AUSWAHLTRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：处理有机选择晶体管集成度的半导体存储器
公开(公告)号：WO2005117024A1
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/DE2005/000926
申请日：2005-05-20
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter , DEHM, Christine
发明人： KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter , DEHM, Christine
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C2213/79 , G11C2213/80 , H01L27/105 , H01L27/10805 , H01L27/283
摘要： Die Erfindung betrifft einen integrierten Halbleiterspeicher mit einem Zellenfeld aus einer Vielzahl von in Zeilen und Spalten angeordneten Speicherzellen. In jeder Speicherzelle ist ein organischer Auswahltransistor (T11, T12, T13), der ein Feldeffekttransistor mit einer organischen Halbleiterschicht (os) ist zusammen mit einem organischen Speicherelement (S11, S12, S13), das heißt einer zwischen zwei Elektroden angeordneten organischen Schicht (as) mit wahlweise kapazitivem oder resistivem elektrischem Speicherverhalten zu einer planaren Speicherzelle auf einem beliebigen, vorzugsweise nicht aus Silizium bestehenden Substrat integriert. Die Auswahltransistoren (T11, T12, T13) und die Speicherelemente (S11, S12, S13) des erfindungsgemäßen Halbleiterspeichers sind so angeordnet, dass die Gateelektrode der Auswahltransistoren (T11, T12, T13) als Wortleitung (WL1, WL2, WL3) und der Drain- bzw. Sourcekontakt der Auswahltransistoren (T11, T12, T13) bzw. die Elektroden der Speicherelemente (S11, S12, S13) entweder als Bitleitung (BL1, BL2, BL3), Digitleitung oder Feldplatte ausgeführt sind. Das W/L-Verhältnis der Kanalbreite (W) zur Kanallänge (L) der Auswahltransistoren kann prinzipiell beliebig eingestellt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种具有排列成行和列的存储单元的多个的单元阵列的集成半导体存储器。在每个存储单元是有机选择晶体管的场效应晶体管的（T11，T12，T13）与有机半导体层（OS）是，连同被布置在两个电极的有机层之间的有机存储元件（S11，S12，S13），（如）集成或者电容或电阻蓄电行为到平面存储器单元具有的任何，优选不由硅制成的现有的衬底。根据本发明的选择晶体管（T11，T12，T13）和半导体存储器的存储元件（S11，S12，S13）被布置成使得选择晶体管（T11，T12，T13），为字线（WL1，WL2，WL3）和漏极的栅极电极 - 或选择晶体管（T11，T12，T13）和存储元件（S11，S12，S13），可以是位线（BL1，BL2，BL3）的电极的源极接触，执行数位线或场板。沟道宽度（W）的W / L比的信道的选择晶体管可以原则上任意地设定的长度（L）。

48. 发明申请

WO2005022658A2 VERBINDUNG MIT MINDESTENS EINER SPEICHEREINHEIT AUS ORGANISCHEM SPEICHERMATERIAL, INSBESONDERE ZUR VERWENDUNG IN CMOS-STRUKTUREN, HALBLEITERBAUELEMENT UND EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES 审中-公开
标题翻译：与至少一个储存单元有机记忆材料，尤其是FOR USE IN CMOS结构，半导体元件和方法连接对于的半导体元件
公开(公告)号：WO2005022658A2
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：PCT/DE2004/001936
申请日：2004-08-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , ZSCHIESCHANG, Ute
发明人： HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , ZSCHIESCHANG, Ute
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0591 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L27/28 , H01L51/0012 , H01L51/0094 , H01L51/0595
摘要： Die Erfindung betrifft eine Verbindung mit mindestens einer Speichereinheit aus organischem Speichermaterial, insbesondere zur Verwendung in CMOS-Strukturen, gekennzeichnet durch a) mindestens eine erste Ankergruppe (1) mit einer reaktiven Gruppe zur kovalenten Bindung an eine erste Elektrode (10), insbesondere eine Bottom-Elektrode einer Speicherzelle (102) und b) mindestens eine zweiten Ankergruppe (2) mit einer reaktiven Gruppe zur Bindung an eine zweite Elektrode (20), insbesondere eine Top-Elektrode einer Speicherzelle (102). Die Erfindung betrifft auch ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes. Damit liegen eine Verbindung, ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelementes vor, mit denen es effizient möglich ist, molekulare Speicherschichten auf konventionellen Substraten zu realisieren.
摘要翻译：本发明涉及具有有机记忆材料的至少一个存储器单元，用于在CMOS结构的化合物，特别是，其特征在于：a）至少一个第一锚定基团（1）具有用于共价连接到第一电极（10反应性基团），特别是底部一个存储单元（102），和b）至少一个第二锚定基团（2）具有用于结合第二电极（20），在存储单元（102）的特定的顶部电极的反应性基团的电极。本发明还涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。因此，有一种半导体器件和连接的半导体装置，与它有效地能够实现对传统基材分子存储器层的制造方法。

49. 发明申请

WO2005001952A1 VERBINDUNG ZUR BILDUNG EINER SELBSTORGANISIERENDEN MONOLAGE, EINE SCHICHTSTRUKTUR, EIN HALBLEITERBAUELEMENT UND EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHTSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译： CONNECTION受教育的自组装单分子层，层结构，ON半导体部件及其制造方法的层结构
公开(公告)号：WO2005001952A1
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：PCT/DE2004/001342
申请日：2004-06-23
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK, Marcus , SCHMID, Günter , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute
发明人： HALIK, Marcus , SCHMID, Günter , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L51/0545 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/0075 , H01L51/0094 , H01L51/0541 , H01L51/0595
摘要： Die Erfindung betrifft eine Verbindung zur Bildung einer selbstorganisierenden Monolage, insbesondere zur Bildung einer Schichtstruktur für einen organischen Feldeffekttransistor, gekennzeichnet durch a) mindestens eine Ankergruppe (1) zur Bindung des Moleküls (10) an ein Substrat, insbesondere ein Elektrodenmaterial (6), b) mindestens eine dielektrische Gruppe (2), c) mindestens eine halbleitende Gruppe (3). Ferner betrifft die Erfindung eine Schichtstruktur aus der Verbindung, ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung der Schichtstruktur. Damit ist es möglich, die Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere für organische Feldeffekttransistoren zu vereinfachen.
摘要翻译：本发明涉及的化合物用于形成自组装单层，特别是用于一种用于向基底，特别是电极材料（6），b中的分子（10）结合形成用于有机场效应晶体管的层结构，其特征在于：a）至少一个锚定基团（1））至少一个介电基团（2），c）至少一个半导电基团（3）。此外，本发明涉及的化合物中，一种半导体器件以及制造该薄膜结构的方法的一个分层结构。这使得可以简化半导体器件的制造，特别适用于有机场效应晶体管。

50. 发明申请

WO2004113419A3 SYNTHESEVERFAHREN FÜR EINE VERBINDUNG ZUR BILDUNG EINER SELBSTORGANISIERENDEN MONOLAGE, VERBINDUNG ZUR BILDUNG EINER SELBSTORGANISIERENDEN MONOLAGE UND EINE SCHICHTSTRUKTUR FÜR EIN HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2004113419A3
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：PCT/DE2004/001319
申请日：2004-06-18
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , EFFENBERGER, Franz , SCHÜTZ, Markus , MAISCH, Steffen , SEIFRITZ, Steffen , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , HOLBERG, Stefan
发明人： EFFENBERGER, Franz , SCHÜTZ, Markus , MAISCH, Steffen , SEIFRITZ, Steffen , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , HOLBERG, Stefan
IPC分类号： H01L51/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein Syntheseverfahren für eine Verbindung zur Bildung einer selbstorganisierenden Monolage, insbesondere einer Monolage für ein Halbleiterbauelement, gekennzeichnet durch : a) einen ersten Syntheseschritt, bei dem bei einem ω-Halogen-Alk-1-en (I), eine endständige nukleophile Substitution des Halogens mit einer Gruppe mit der Fähigkeit einer p-p Wechselwirkung, insbesondere einer Gruppe mit mindestens einer aromatischen Gruppe (Ar), erfolgt; b) das Produkt des ersten Syntheseschritts in einem zweiten Syntheseschritt hydrosilyiert wird. Ferner betrifft die Erfindung Verbindungen zur Bildung einer selbstorganisierenden Monolage und eine Schichtenstruktur. Damit ist eine effiziente Herstellung von Verbindungen möglich, da eine hohe Ausbeute und ein niederiger Aufreinigungsaufwand vorliegt.

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