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41. 发明申请

WO2004017430A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES DÜNNSCHICHT-HALBLEITERBAUELEMENT AUF GAN-BASIS 审中-公开
标题翻译：辐射薄膜半导体元件上GaN基
公开(公告)号：WO2004017430A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/DE2003/002071
申请日：2003-06-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISERT, Dominik , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： EISERT, Dominik , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32
摘要： Die Erfindung offenbart ein strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur (12) auf GaN-Basis, die eine aktive, strahlungserzeugende Schicht (14) enthält und eine erste Hauptfläche (16) und eine der ersten Hauptfläche abgewandte zweite Hauptfläche (18) zum Auskoppeln der in der aktiven, strahlungserzeigenden Schicht erzeugten Strahlung aufweist. Weiter ist die erste Hauptfläche (16) der Mehrschichtstruktur (12) mit einer reflektierenden Schicht bzw. Grenzfläche gekoppelt, und der an die zweite Hauptfläche (18) der Mehrschichtstruktur angrenzende Bereich (22) der Mehrschichtstruktur ist ein- oder zweidimensional mit konvexen Erhebungen (26) strukturiert ist.
摘要翻译：本发明公开了一种具有用于连接基于氮化镓的多层结构（12），其中包含的活性，产生辐射的层（14）和一第一主表面（16）和面对从第二主表面（18）远离所述第一主表面中的一个的发射辐射的薄膜半导体装置具有生成的活性层strahlungserzeigenden辐射。接着，对多层结构的第一主表面（16）（12）耦合的多层结构的多层结构邻接的区域（22）为一维或二维具有凸脊的反射层或边界表面，并且所述第二主表面（18）（26 ）的结构。

42. 发明申请

WO2003065420A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2003065420A3
公开(公告)日：2003-08-07
申请号：PCT/DE2003/000260
申请日：2003-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , KAISER, Stephan , OTTE, Frank , PLÖSSL, Andreas
发明人： FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , KAISER, Stephan , OTTE, Frank , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines Dünnschichtbauelements, wobei eine Halbleiterschicht durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl, der ein plateauartiges räumliches Strahlprofil aufweist, von einem Substrat getrennt wird. Weiterhin wird die Halbleiterschicht vor der Trennung auf einen Träger mit einem angepaßten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufgebracht. Die Erfindung eignet sich insbesondere für Halbleiterschichten, die einen Nitridverbindungshalbleiter enthalten.

43. 发明申请

WO2002073705A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2002073705A3
公开(公告)日：2002-09-19
申请号：PCT/DE2002/000514
申请日：2002-02-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit verbesserter Strahlungsausbeute sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Halbleiterbauelement weist eine Mehrschichtstruktur (2) mit einer aktiven Schicht (3) zur Strahlungserzeugung innerhalb der Mehrschichtstruktur (2) sowie ein Fenster (1) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche auf. Die Mehrschichtstruktur grenzt an die erste Hauptfläche (5) des Fensters (1). Von der zweiten Hauptfläche (6) her ist in dem Fenster (1) mindestens eine Ausnehmung zur Erhöhung der Strahlungsausbeute gebildet. Die Ausnehmung weist vorzugsweise einen trapezförmigen, sich zur ersten Hauptfläche (5) hin verjüngenden Querschnitt auf und kann beispielsweise durch Einsägen des Fensters hergestellt werden.

44. 发明申请

WO2021160596A1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND VERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2021160596A1
公开(公告)日：2021-08-19
申请号：PCT/EP2021/053053
申请日：2021-02-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HAHN, Berthold , GOLDBACH, Matthias , BOGNER, Georg
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/50
摘要： Eine Optoelektronische Vorrichtung, die insbesondere für die Verwendung im Automobilbereich eine sehr hohe mechanische Stabilität, sowie eine hohe Effizienz für sehr dünne Lichtleiter bietet umfasst einen Glasträger, wenigstens eine lichtstreuende Schicht, die auf dem Glasträger aufgebracht ist und wenigstens ein oberflächenemittierendes Bauelement in Chip-Size-Package mit einer Emissionsfläche und einer der Emissionsfläche abgewandten Fläche aufweisend ein erstes und ein zweites Kontaktpad. Die Emissionsfläche ist mittels eines Klebers auf der lichtstreuenden Schicht angeordnet und wenigstens eine Kontaktleitung, welche das zweite Kontaktpad des wenigstens einen oberflächenemittierendes Bauelements kontaktiert verläuft entlang einer dem zweiten Kontaktpad benachbarten Seitenfläche des optoelektronischen Bauelements in Richtung des Glasträgers. Weiterhin weist die optoelektronische Vorrichtung eine lichtformende Struktur auf, welche auf der dem optoelektronischen Bauelement abgewandten Oberfläche des Glasträgers angeordnet ist.

45. 发明申请

WO2020229043A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, PIXEL, DISPLAYANORDNUNG UND VERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020229043A2
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：PCT/EP2020/058997
申请日：2020-03-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRINGER, Martin , BRICK, Peter , JENTZSCH, Bruno , KREINER, Laura , HAHN, Berthold , HALBRITTER, Hubert , VARGHESE, Tansen , WIESMANN, Christopher , MUELLER, Jens , MUELLER, Christian
IPC分类号： H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/08 , H01L25/0753 , H01L27/156
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit mindestens einem Halbleiterelement mit einer aktiven Zone vorgeschlagen, die zur 5 Erzeugung von Licht ausgebildet ist. das Bauelement umfasst einen dielektrischen Filter, der oberhalb einer ersten Hauptoberfläche des mindestens einen Halbleiterelements angeordnet ist und derart ausgebildet ist, dass er nur Licht in vorgebebenen Richtungen transmittiert, und ein reflektierendes Material, das an mindestens einer Seitenfläche des mindestens einen Halbleiterelements und an mindestens einer Seitenfläche des dielektrischen Filters angeordnet ist.

46. 发明申请

WO2018215309A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018215309A1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：PCT/EP2018/062989
申请日：2018-05-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： OTTO, Isabel , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna , LEIRER, Christian , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/38
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend - einen Halbleiterkörper (2) mit - einer ersten Halbleiterschicht (3) und einer zweiten Halbleiterschicht (4), - einer ersten Hauptfläche (2A) und einer der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche(2B), wobei die erste Hauptfläche (2A) durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (3) und die zweite Hauptfläche (2B) durch eine Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (4) gebildet wird, - mindestens einer Seitenfläche(2C, 2D), welche die erste Hauptfläche (2A) mit der zweiten Hauptfläche (2B) verbindet, - eine elektrisch leitende Trägerschicht(7), die die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt, und - eine elektrisch leitende Verformungsschicht (8), die die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt, wobei die elektrisch leitende Verformungsschicht (8) eine gleich große oder höhere Elastizität aufweist wie die elektrisch leitende Trägerschicht (7). Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

47. 发明申请

WO2017009285A1 BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译： COMPONENT及其制造方法组件
公开(公告)号：WO2017009285A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066428
申请日：2016-07-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , PERZLMAIER, Korbinian , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna , HAHN, Berthold , SCHWARZ, Thomas
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/52 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/52 , H01L33/486 , H01L33/62
摘要： Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, bei dem der Träger eine Metallschicht (4) und einen Formkörper (5) aus einem Kunststoff umfasst, wobei die Metallschicht einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) enthält, welche verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugehörig und so zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet sind. Der Träger weist eine Seitenfläche (10) auf, die als Montagefläche des Bauelements ausgestaltet ist, wobei zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ist und Vereinzelungsspuren aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Bauelemente angegeben.
摘要翻译：据上述（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2），与载体，其中所述载体包括金属层的成分（100）（4）和一个形本体（5）的塑料，其中，所述金属层包括第一容纳部分（41）和第二部分的部件（42）的不同的电的极性与相关联并且适合于半导体本体的电接触。支承具有被构造为所述部件的安装面，其特征在于，所述子区域中的至少一个（41，42）被电过的侧表面，并具有分离的标记接触的侧表面（10）。此外，提供了一种制造多个这样的元件的方法。

48. 发明申请

WO2018192857A1 HALBLEITERLASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2018192857A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/EP2018/059555
申请日：2018-04-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ENZMANN, Roland Heinrich , WOJCIK, Andreas , HALBRITTER, Hubert , BEHRINGER, Martin Rudolf , MARIC, Josip , JAMA, Mariel Grace , HAHN, Berthold , MÜLLER, Christian , OTTO, Isabel
IPC分类号： H01S5/042
摘要： In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). An einander gegenüberliegenden Hauptseiten der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden sich zwei elektrische Anschlussbereiche (21, 22). Ein Kontaktträger (3) umfasst elektrische Kontaktflächen (31, 32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine elektrische Verbindungsleitung (23) reicht von der dem Kontaktträger (3) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) hin zum Kontaktträger (3). Die Verbindungsleitung (23) befindet sich an oder in der Halbleiterschichtenfolge (2).

49. 发明申请

WO2020099574A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT ERSTEN VERBINDUNGSBEREICHEN UND OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020099574A1
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：PCT/EP2019/081352
申请日：2019-11-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TANGRING, Ivar , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/64
摘要： Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) weist eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht (180, 160), eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) sowie eine Vielzahl erster Verbindungsbereiche (125) auf. Die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) bilden einen Halbleiterschichtstapel. Die erste Stromaufweitungsschicht (180) ist auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet. Die erste Stromaufweitungsschicht (180) ist mit der ersten Halbleiterschicht (140) elektrisch verbunden. Die Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) ist geeignet, die zweite Halbleiterschicht (150) mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) elektrisch zu verbinden. Die ersten Verbindungsbereiche (125) sind mit der ersten Stromaufweitungsschicht (180) verbunden und erstrecken sich durch die zweite Stromaufweitungsschicht (160) hindurch. Eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche (125) in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) ist größer als 20 % der Flächenbelegung der zweiten Stromaufweitungsschicht (160).

50. 发明申请

WO2019158465A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019158465A1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：PCT/EP2019/053265
申请日：2019-02-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： OTTO, Isabel , KOCH, Holger , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/50
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement, das elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements aussendet, mit den folgenden Merkmalen angegeben: einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), der elektromagnetische Strahlung erzeugt, und einem Markierungselement (5), das auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements aufgebracht ist, wobei das Markierungselement (5) eine Farbe (4) umfasst, die mit einem Lösungsmittel von der Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements entfernbar und/oder durchlässig für die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements ist. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

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