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41. 发明申请

WO2003105544A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2003105544A1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：PCT/JP2003/006901
申请日：2003-05-30
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 石橋清隆 , 野沢俊久
发明人：石橋清隆 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：　プラズマ処理装置は、プラズマ処理を内部で行なうためのチャンバ（１）と、このチャンバ（１）の上側を塞ぐ誘電体からなる天板（１５）と、この天板（１５）を介して高周波をチャンバ（１）内に供給する高周波供給手段としてのアンテナ部（３）とを備える。天板（１５）は、その内部に反射部材（２３ａ，２３ｂ）を備える。反射部材（２３ａ，２３ｂ）の側壁は、天板（１５）内を径方向に伝播する高周波を反射するための波反射手段として作用する。あるいは、反射部材がなく、天板（１５）の凹部の側壁を波反射手段としてもよい。
摘要翻译：等离子体处理装置包括用于在室内进行等离子体处理的室（1），用于封闭室（1）的上侧并由电介质形成的顶板（15）和天线部分 3）作为用于通过顶板（15）将高频波提供到腔室（1）中的高频波供给装置。顶板（15）的内部设置有反射构件（23a，23b）。反射构件（23a，23b）的侧壁用作用于反射在顶板（15）中沿其径向传播的高频波的波反射装置。或者，顶板（15）中的凹部的侧壁可以用作波反射装置，而不使用反射构件。

42. 发明申请

WO2009044798A1 プラズマ処理装置およびプラズマ密度分布の調整方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和调节等离子体密度分布的方法
公开(公告)号：WO2009044798A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/067907
申请日：2008-10-02
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32266 , H05H1/46
摘要：【課題】プラズマ処理装置の処理室内に生成されるプラズマ密度を特に円周方向において調整できるようにする。【解決手段】同軸導波管３０から供給されたマイクロ波が遅波板２５を介して処理容器２内に導入され、処理容器２内において処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗが処理されるプラズマ処理装置１であって、同軸導波管３０と遅波板２５との連結箇所に誘電体部材４５が配置され、誘電体部材４５は、同軸導波管３０の外部導体３２の内部において、内部導体３１を中心とする円周方向の一部に配置され、かつ、誘電体部材４５は、内部導体３１を中心とする円周方向の任意の位置に配置される。
摘要翻译：特别是在圆周方向上调整等离子体处理装置的处理室内产生的等离子体密度。在等离子体处理装置（1）中，从同轴波导管（30）供给的微波通过慢波板（25）引入处理容器（2），处理气体进入等离子体状态，基板（W）在处理容器（2）中进行处理。电介质构件（45）布置在同轴波导（30）和慢波片（25）之间的连接区域处。电介质构件（45）在同轴波导（30）的外部导体（32）中在中心部分处于与圆周方向一部分的内部导体（31）。电介质构件（45）以内部导体（31）为中心配置在圆周方向的任意位置。

43. 发明申请

WO2009028376A1 天板及びプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：顶板和等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2009028376A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/064854
申请日：2008-08-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 西塚哲也 , 石橋清隆 , 野沢俊久
发明人：田才忠 , 西塚哲也 , 石橋清隆 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/461 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H05H1/46 , Y10T428/24273
摘要：　真空引き可能な処理容器の天井部に設けられて、並設される平面アンテナ部材のスロットから放射されるマイクロ波を処理容器内へ透過可能な天板であって、天板の処理容器内を臨む面側に放射状に設けられた複数の突起部を備える天板を開示する。
摘要翻译：提供一种布置在能够处于真空状态的处理容器的顶板部分上的顶板。顶板将从顶板平行布置的平面天线构件的槽辐射的微波传输到处理容器中。多个突出部分径向布置在面向处理容器内部的顶板表面上。

44. 发明申请

WO2008096752A1 エッチング方法および記憶媒体审中-公开
标题翻译：蚀刻方法和记录介质
公开(公告)号：WO2008096752A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/JP2008/051862
申请日：2008-02-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 宮谷光太郎 , 堀寿靖 , 廣瀬繁和
发明人：野沢俊久 , 宮谷光太郎 , 堀寿靖 , 廣瀬繁和
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76808 , H01L21/31138 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76835
摘要：　基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜をプラズマによりエッチングするエッチング方法は、酸素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第１段階と、フッ素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第２段階とを有する。
摘要翻译：提供了一种蚀刻方法，其中通过等离子体蚀刻在基板上形成的添加氟的碳膜。该方法包括用含氧处理气体的等离子体进行蚀刻的第一步骤，以及利用含氟处理气体的等离子体进行蚀刻的第二步骤。

45. 发明申请

WO2008066173A1 アモルファスカーボン膜、半導体装置、成膜方法、成膜装置及び記憶媒体审中-公开
标题翻译：非晶碳膜，半导体器件，薄膜成型方法，成膜装置和储存介质
公开(公告)号：WO2008066173A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/JP2007/073228
申请日：2007-11-30
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 菊地良幸 , 小林保男 , 川村剛平 , 野沢俊久 , 石川拓
发明人：菊地良幸 , 小林保男 , 川村剛平 , 野沢俊久 , 石川拓
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/26 , H01L21/31 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5329 , C23C16/26 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/3146 , H01L21/76811 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、比誘電率を低く抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率が小さいアモルファスカーボン膜及びその膜を備えた半導体装置、並びにアモルファスカーボン膜を成膜する技術を提供する。　成膜時にＳｉ（シリコン）の添加量を制御しながらアモルファスカーボン膜を成膜する。このため、比誘電率を３．３以下の低い値に抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率の小さいアモルファスカーボン膜を得ることができる。従ってこのアモルファスカーボン膜を、半導体装置を構成する膜として用いた場合に膜剥がれなどの不具合が抑えられる。
摘要翻译：提供具有高弹性和具有抑制的介电常数的低热收缩率的非晶碳膜，设置有该膜的半导体器件和用于形成无定形碳膜的技术。无定形碳膜通过在成膜期间控制Si（硅）的添加量而形成。因此，具有高的弹性和低的热收缩率，具有抑制的比介电常数为3.3以下的无定形碳膜。因此，当将非晶碳膜用作构成半导体器件的膜时，可以抑制诸如膜剥离的问题。

46. 发明申请

WO2008018498A1 成膜装置、成膜システムおよび成膜方法审中-公开
标题翻译：电影成型装置，电影制作系统和电影制作方法
公开(公告)号：WO2008018498A1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：PCT/JP2007/065512
申请日：2007-08-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 茂山和基 , 野沢俊久
发明人：茂山和基 , 野沢俊久
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/56 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/228 , C23C16/54 , H01L51/56
摘要：【課題】有機EL素子などの製造工程で形成される各層における相互汚染を回避でき、しかも、フットプリントも小さく、生産性の高い成膜システムを提供する。【解決手段】基板Ｇに成膜する成膜装置１３であって、処理容器３０の内部において、第１の層を成膜させる第１成膜機構３５と、第２の層を成膜させる第２成膜機構３６を備え、第１成膜機構３５は、処理容器３０の内部に配置された、成膜材料の蒸気を基板に供給するノズル３４と、処理容器の外部に配置された、成膜材料の蒸気を発生させる蒸気発生部４５と、蒸気発生部４５で発生させた成膜材料の蒸気をノズル３４に送る配管４６と、を備える。
摘要翻译： [问题]提供一种成膜系统，其消除了在有机EL元件的制造过程中形成的层的相互污染等，此外，具有小的占地面积和高的生产率。解决问题的手段在基板（G）上形成膜的成膜装置（13）具有形成第一层的第一成膜机构（35）和形成第一层的第二成膜机构（36）第二层，在处理室（30）中。第一成膜机构（35）设置有喷嘴（34），其设置在处理室（30）的内部，并且向基板供给成膜材料的蒸气; 蒸汽发生部分（45），其布置在处理室外部并产生成膜材料的蒸气; 以及用于将由蒸汽发生部分（45）产生的成膜材料的蒸汽供应到喷嘴（34）的管道（46）。

47. 发明申请

WO2007097432A1 アモルファスカーボン膜の成膜方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：形成非晶碳膜的方法和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007097432A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/JP2007/053432
申请日：2007-02-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 石川拓
发明人：野沢俊久 , 石川拓
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/26
CPC分类号： C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L21/3146
摘要：　本発明は、処理容器内に基板を配置する工程と、前記処理容器内に炭素と水素と酸素とを含む処理ガスを供給する工程と、前記処理容器内の基板を加熱することによって前記処理ガスを分解し、当該基板上にアモルファスカーボン膜を堆積する工程と、を備えたことを特徴とするアモルファスカーボン膜の成膜方法である。
摘要翻译：公开了一种形成非晶碳膜的方法，其特征在于包括将基板放置在处理室中的步骤，将含有碳，氢和氧的处理气体供给到处理室中的步骤和用于存储通过在处理室中加热衬底来分解工艺气体，在衬底上形成无定形碳。

48. 发明申请

WO2007091435A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2007091435A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/051294
申请日：2007-01-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 野沢俊久
发明人：田才忠 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32477
摘要：　プラズマを用いた処理容器内において不要な付着膜が堆積するのを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。　プラズマ処理装置３２は開口された天井部５４ａと、側壁３４ａと、底部３４ｂとを有し、内部が真空引き可能になされた処理容器３４と、被処理体Ｗを載置するために前記処理容器３４内に設けた載置台３６と、天井部５４ａに気密に装着されマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板５４と、天板５４の上面に設けられてマイクロ波を処理容器内へ導入するための平面アンテナ部材５８と、平面アンテナ部材にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段６０と、処理容器３４内へ必要な処理ガスを導入するガス導入手段４４と、を有する。処理容器３４内に、不要な付着膜が堆積し易い部分に対応させて、天板５４から延びる誘電体製の膜付着防止手段７８が設けられている。膜付着防止手段７８は棒状部材１０４からなっている。
摘要翻译：本发明提供一种等离子体处理装置，其能够防止不必要的粘贴膜沉积在使用等离子体的处理容器中。等离子体处理装置（32）包括具有敞开的顶部（54a），侧壁（34a）和底部（34b）并被内部抽真空的处理容器（34），安装在处理中的放置床用于在其上放置工件（W）的容器（34），气顶安装在天花板部分（54a）中并由用于透过微波的电介质材料制成的顶板（54），安装在其上的平面天线构件用于将微波引入处理容器的顶板（54）的上表面，用于将微波馈送到平面天线构件的微波馈送装置（60）以及用于将必要的处理气体引入处理容器（34）。该处理容器（34）中设置有由电介质材料制成并且从顶板（54）延伸的薄膜棒防止装置（78），以便对应于不需要的粘贴膜容易沉积的部分。胶片防止装置（78）由杆状构件（104）制成。

49. 发明申请

WO2007083795A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2007083795A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2007/050914
申请日：2007-01-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 野沢俊久 , 石橋清隆
发明人：田才忠 , 野沢俊久 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/507 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/32449
摘要：　プラズマ処理装置は、真空処理容器（３４）と、この容器内に設けられ、被処理体（Ｗ）が載置される載置台（３６）とを備える。処理容器（３４）は、上部開口が形成された筒状の容器本体（３４Ａ）と、この本体の上部開口に気密に装着されて電磁波を透過する誘電体製の天板（５０）とを有する。天板を通じてプラズマ発生用の電磁波を容器内へ供給する電磁波供給系（５４）と、容器内へ処理ガスを含むガスを供給するガス供給系（１１０）とが備えられる。天板（５０）には、ガス供給系より供給されるガスを容器内に噴き出すガス噴射穴（１０８）が形成される。各噴射穴（１０８）内に、通気性を有する誘電体製の放電防止部材（１２０）が配置される。
摘要翻译：等离子体处理设备包括真空处理容器（34）和用于放置布置在容器中并被处理的物品（W）的放置台（36）。处理容器（34）包括具有上开口的管状容器主体（34A）和密封地施加到主体的上部开口并传输电磁波的电介质顶板（50）。等离子体处理设备还包括电磁波供给系统（54），用于通过顶板将用于产生等离子体的电磁波提供到容器中;以及气体供应系统（110），用于将含有处理气体的气体供应到容器中。用于将从气体供给系统供给的气体喷射到容器中的气体喷射孔（108）形成在顶板（50）上。在每个喷射孔（108）中布置有具有磁导率的介电放电防止部件（120）。

50. 发明申请

WO2006049125A1 成膜装置及び成膜方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型设备和薄膜成型方法
公开(公告)号：WO2006049125A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/020004
申请日：2005-10-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 石橋清隆
发明人：野沢俊久 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0212 , C23C16/4581 , C23C16/46 , C30B25/08 , C30B25/10 , C30B25/12 , H01L21/02274 , H01L21/3127
摘要：　本発明は、内部が真空引き可能な処理容器と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内へ成膜用ガスを含む所定のガスを供給するためのガス供給手段と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、前記被処理体を加熱するための加熱手段と、前記載置台の上面の周辺部に、前記被処理体の周辺部よりも外側で当該被処理体から隙間を介して僅かに離間するように設けられた補助加熱手段と、装置全体の動作を制御するための制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。
摘要翻译：成膜设备的特征在于设备具有能够被抽真空的处理室; 处理室中的放置台，用于放置待处理的工件; 用于向处理室供应包括用于成膜的气体的规定气体的气体供给装置; 用于在处理室中形成等离子体的等离子体形成装置; 用于加热待加工的加工装置; 辅助加热装置，设置在所述放置台的上平面的周边的外边缘处，待加工的工件的周边与待加工的工件略微分开; 以及用于控制整个设备的操作的控制装置。

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