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    • 32. 发明申请
    • 撮像素子形成ウエハ、固体撮像素子の製造方法および撮像素子チップ
    • 用于形成成像元件的方法,制造固体成像元件的方法和成像元件芯片
    • WO2013145694A1
    • 2013-10-03
    • PCT/JP2013/002010
    • 2013-03-25
    • 富士フイルム株式会社
    • 一木 孝彦
    • H01L27/14H01L27/146
    • H01L27/307G01R31/2831G01R31/2884H01L27/14603H01L51/0031H01L51/441H01L51/448
    • 【課題】撮像素子の製造工程中において、光電変換膜の良否を検査可能とする。 【解決手段】半導体ウエハ(110)上に形成された、多数の光電変換画素からなる撮像領域(112)を含む複数の撮像素子部(101a)と、テストパターン(10)とを備え、テストパターン(10)は、光電変換画素の有機光電変換膜(130)および対向電極(131)とそれぞれ同時に形成された同一構成のテスト用有機光電変換膜(130a)およびテスト用対向電極(131a)、テスト用有機光電変換膜(130a)の下面側に電気的に接続された第1のテスト用端子(127a)、およびテスト用対向電極(131a)に電気的に接続された第2のテスト用端子(127b)を含むものとする。撮像領域(112)およびテストパターン(10)を覆うように半導体ウエハ(110)上の全域に亘って保護膜(132)を形成した後に、テスト用端子(127a,127b)の一部を露出するように部分的に除去する。
    • [问题]能够在制造摄像元件的步骤中检查光电转换膜的质量。 [解决方案]本发明提供有测试图案(10)和多个成像元件部件(101a),其包括包括大量光电转换像素的成像区域(112),成像元件部件(101a)和 测试图案(10)形成在半导体晶片(110)上。 测试图案(10)包括:测试有机光电转换膜(130a)和与有机光电转换膜(130)和对电极(131)同时形成的测试对置电极(131a) 分别为光电转换像素; 电连接到测试有机光电转换膜(130a)的下表面侧的第一测试端子(127a)和电连接到测试对电极(131a)的第二测试端子(127b)。 在整个半导体晶片(110)上形成保护膜(132)以覆盖成像区域(112)和测试图案(10),然后被部分地去除,使得部分测试端子(127a,127b )暴露。
    • 33. 发明申请
    • ウェーハ保持具
    • WAFER HOLDER
    • WO2013122089A1
    • 2013-08-22
    • PCT/JP2013/053369
    • 2013-02-13
    • 株式会社テクノホロン田中 知行池田 穂高横田 満
    • 田中 知行池田 穂高横田 満
    • H01L21/683
    • H01L21/68785G01R31/2831H01L21/67346
    •  薄く加工されたウェーハを容易に特性試験の実施装置の載荷ステージ面に平坦に装着でき、ウェーハ保持具からウェーハを取り外す際にウェーハが破損されることがなく、高温における特性試験が可能であるウェーハ保持具を提供する。 リング状に周辺部を残し中空部が設けられた保持フレーム(10)の中空部をふさぐように金属シート(12)がこの保持フレーム(10)に、金属シートと保持フレームの熱膨張の差を吸収する滑り自由度を有して取り付けられる。この金属シートには、複数の細かな孔が開けられた穿孔領域(14)が形成されている。この穿孔領域の一部または全部を覆うようにウェーハ(30)を配置させることが可能とされていて、金属シート上に配置されたウェーハをこの金属シートに対して動かないように固定する耐熱性素材で形成されたウェーハ固定機構(20)を備えている。
    • 提供了一种晶片保持器,其允许薄切片晶片平坦且容易地安装在特性测试仪的平台台的表面上,这允许晶片从晶片保持器移除而不破坏晶片,并且可以使用 在高温特性试验中。 金属片(12)安装在环形保持框架(10)上,该环形保持框架(10)在其中心具有孔,以便覆盖孔,使得提供滑动自由度以吸收 金属板和夹持框架。 金属片具有形成有多个细孔的穿孔区域(14)。 可以将晶片(30)定位成覆盖穿孔区域的一部分或全部。 提供由耐热材料制成的晶片固定机构(20),并且将放置在金属片上的晶片固定成不会相对于金属片移动。
    • 36. 发明申请
    • プローブウエハ、プローブ装置、および、試験システム
    • 探测器,探头设备和测试系统
    • WO2009118850A1
    • 2009-10-01
    • PCT/JP2008/055790
    • 2008-03-26
    • 株式会社アドバンテスト甲元 芳雄梅村 芳春
    • 甲元 芳雄梅村 芳春
    • H01L21/66G01R1/073G01R31/26
    • G01R1/07378G01R31/2831
    •  複数の半導体チップが形成された半導体ウエハと電気的に接続するプローブウエハであって、ウエハ接続面、および、ウエハ接続面の裏面に形成される装置接続面を有するピッチ変換用ウエハ基板と、ピッチ変換用ウエハ基板のウエハ接続面に形成され、それぞれの半導体チップに対して少なくとも一つずつ設けられ、対応する半導体チップの入出力端子と電気的に接続する複数のウエハ側接続端子と、ウエハ基板の装置接続面に、複数のウエハ側接続端子と一対一に対応して、ウエハ側接続端子とは異なる間隔で形成され、外部の装置と電気的に接続する複数の装置側接続端子と、対応するウエハ側接続端子および装置側接続端子を電気的に接続する複数の伝送路とを備えるプローブウエハを提供する。
    • 提供了与其上形成有多个半导体芯片的半导体晶片电连接的探针晶片。 探针晶片包括用于间距转换的晶片衬底,其具有晶片连接表面和形成在晶片连接表面的后表面上的器件连接表面,多个晶片侧连接端子形成在晶片衬底的晶片连接表面上 对于每个半导体芯片至少一个地提供并且各自与相应的半导体芯片的输入/输出端子电连接的间距转换,形成在器件连接表面上的多个器件侧连接端子 的晶片侧连接端子之间的间隔与晶片侧连接端子对应的晶片侧连接端子间隔开,并与外部装置电连接的多个传输路径, 相应的晶片侧连接端子和器件侧连接 终奌站。
    • 37. 发明申请
    • EMBEDDED STRUCTURE FOR PASSIVATION INTEGRITY TESTING
    • 嵌入式结构进行钝化测试
    • WO2009077986A1
    • 2009-06-25
    • PCT/IB2008/055356
    • 2008-12-17
    • NXP B.V.ROUSSEVILLE, Lucie, A.SEBASTIEN, JacquelineGAMAND, PatriceYON, Dominque
    • ROUSSEVILLE, Lucie, A.SEBASTIEN, JacquelineGAMAND, PatriceYON, Dominque
    • G01R31/28H01L21/66
    • H01L22/12G01R31/2831
    • The present invention relates to a method and system for testing integrity of a passivation layer (108) covering a semiconductor device. A structured layer of electrically conducting material (104) is deposited onto at least a portion of a top surface of a substrate (102) of the semiconductor device. The structured layer (104) comprises a plurality of bands (104.1, 104.2) connected to at least two contacts (106.1, 106.2) and disposed on the at least a portion of the top surface such that one of consecutive bands (104.1, 104.2) and consecutive portions of the bands (104.1, 104.2) are connected to different contacts (106.1, 106.2). A passivation layer (108) is deposited onto the at least a portion of the top surface of the substrate (102) and the structured layer (104) such that material of the passivation layer(108) is disposed between the bands of conducting material (104.1, 104.2) and on top of the structured layer (104). Electrically conducting material is then deposited onto the passivation layer (108) and a resistance is measured between the at least two contacts (106.1, 106.2). An indication with respect to integrity of the passivation layer (108) is determined in dependence upon the measured resistance.
    • 本发明涉及一种用于测试覆盖半导体器件的钝化层(108)的完整性的方法和系统。 在半导体器件的衬底(102)的顶表面的至少一部分上沉积结构化的导电材料层(104)。 结构化层(104)包括连接到至少两个触点(106.1,106.2)并设置在顶表面的至少一部分上的多个带(104.1,104.2),使得连续带(104.1,104.2)中的一个 并且带(104.1,104.2)的连续部分连接到不同的触点(106.1,106.2)。 钝化层(108)沉积在衬底(102)和结构化层(104)的顶表面的至少一部分上,使得钝化层(108)的材料设置在导电材料带( 104.1,104.2)并且在结构化层(104)的顶部。 然后将导电材料沉积到钝化层(108)上,并且在至少两个触点(106.1,106.2)之间测量电阻。 关于钝化层(108)的完整性的指示根据所测量的电阻来确定。