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31. 发明申请

WO2006029921A1 HALBLEITERANORDNUNG ZUR SPANNUNGSBEGRENZUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件用于电压来控制
公开(公告)号：WO2006029921A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/EP2005/053402
申请日：2005-07-15
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GOERLACH, Alfred
发明人： GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/868
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L27/0788
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung zur Spannungsbegrenzung. Sie weist eine erste Deckelektrode (4), eine mit der ersten Deckelektrode (4) verbundene, stark p-dotierte Halbleiterschicht (2), eine mit der stark p- dotierten Halbleiterschicht (2) verbundene, schwach n-dotierte Halbleiterschicht (1), und eine zweite Deckelektrode (5) auf. Zwischen der schwach n-dotierten Halbleiterschicht (1) und der zweiten Deckelektrode (5) sind nebeneinander im Wechsel mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (6) und zwei hoch n-dotierte Halbleiterschichten (3) vorgesehen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于电压限制的半导体器件。它有一个第一顶电极（4），一个与所述第一顶电极（4）连接的重掺杂的p型半导体层（2），一个与所述高掺杂p型半导体层（2）连接，弱n型掺杂半导体层（1），和第二顶电极（5）。弱n型掺杂半导体层（1）和所述第二顶电极（5）之间被交替地并置的至少一个p-掺杂半导体层（6）和两个高n掺杂的半导体层（3）。

32. 发明申请

WO2005006529A1 GLEICHRICHTERANORDNUNG MIT UNTERSCHIEDLICHEN GLEICHRICHTERELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：与不同整流元件整流器布置
公开(公告)号：WO2005006529A1
公开(公告)日：2005-01-20
申请号：PCT/DE2004/001352
申请日：2004-06-26
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , MUELLER, Markus
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , MUELLER, Markus
IPC分类号： H02M7/06
CPC分类号： H02M7/06
摘要： Gleichrichteranordnung, insbesonders Gleichrichterbrücke für einen Drehstromgenerator, die mehrere Gleichrichterelemente umfasst wobei vorgebbare Gleichrichterelemente sich in wenigstens einer Eigenschaft von den übrigen Gleichrichterelementen unterscheiden. Die Gleichrichterelemente sind beispielsweise Dioden, die sich in den Eigenschaften Schaltzeit, bzw. die Reverse Recovery-Schaltzeit (trr) und/oder Stromdichte und/oder Chipfläche und/oder Chipdicke und/oder die Durchbruchspannung (UZ) und/oder Innenwiderstand (RI) und/oder Bahnwiderstand und/oder durch eine weitere Eigenschaft, die zur Reduzierung der Welligkeit geeignet ist, voneinander unterscheiden.
摘要翻译：整流器布置，特别是桥式整流器对交流发电机，其包括多个整流元件是预先确定的整流元件中的至少一个特性上不同于其他整流元件。整流元件是例如二极管，导致在特性切换时间或反向恢复的切换时间（TRR）和/或电流密度和/或芯片表面和/或芯片的厚度和/或击穿电压（UZ）和/或内部电阻（RI）和/或片材电阻，和/或以其他属性适合于彼此的纹波的减少不同。

33. 发明申请

WO2004030107A1 HALBELEITERDIODE UND VERFAHREN ZUR IHRER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： HALF半导体二极管和方法生产同样
公开(公告)号：WO2004030107A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/DE2003/001809
申请日：2003-06-03
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KEPPELER, Dana , GOERLACH, Alfred , SPITZ, Richard
发明人： KEPPELER, Dana , GOERLACH, Alfred , SPITZ, Richard
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L29/861
摘要： Bei einer aus mehreren Teilschichten (1, 2, 3, 4) bestehenden Halbleiteranordnung (20) grenzt eine Teilschicht (4) über den grössten Teil einer Querschnittsfläche BC im Inneren der Halbleiteranordnung (20) unmittelbar an eine erste Teilschicht (2) und nur in einem vergleichsweise schmalen Randbereich der Querschnittsfläche BC an eine zweite Teilschicht (l). Die Halbleiteranordnung zeichnet sich durch einen geringen Bahnwiderstand und eine hohe Durchbruchsspannung im Randbereich aus. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung dieser Halbleiteranordnung angegeben.
摘要翻译：在若干子层中的一个（1，2，3，4）的现有的半导体器件（20）邻接的部分层（4）上的横截面面积BC的半导体器件（20）内的较大部分直接向第一部分层（2），并且仅在的横截面面积的BC到第二局部层（L）比较窄的边缘部分。由低体积电阻和高击穿电压的半导体器件的特征在于，在边缘区域中。此外，提供了一种用于这些半导体装置的制造方法。

34. 发明申请

WO2003061015A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT EINEM PN-ÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：根据上述制造半导体器件的pn结和方法功率半导体装置
公开(公告)号：WO2003061015A1
公开(公告)日：2003-07-24
申请号：PCT/DE2002/004255
申请日：2002-11-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , DEL ROCIO MARTIN LOPEZ, Maria , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WILL, Barbara
发明人： DEL ROCIO MARTIN LOPEZ, Maria , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WILL, Barbara
IPC分类号： H01L29/866
CPC分类号： H01L29/66106 , H01L29/866 , Y10S438/965
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung (200) mit einem pn-Übergang und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (200) vorgeschlagen, wobei die Halbleiteranordnung (200) als Chip (10) mit einem Randbereich ausgebildet ist, wobei die Halbleiteranordnung (200) eine erste Schicht (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Schicht (1) eines zweiten, dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten, Leitfähigkeitstyps umfasst, wobei die erste Schicht (2) einen Randbereich (2a) und einen Mittenbereich (2b) aufweist, wobei zwischen der ersten Schicht (2) und der zweiten Schicht (1) der pn-Übergang vorgesehen ist, wobei die zweite Schicht (2) in ihrem Randbereich (2a) schwächer dotiert vorgesehen ist als in ihrem Mittenbereich (2b) und wobei die Grenzfläche (12) des pn-Übergangs am Randbereich (2a) nichtparallel zur Hauptchipebene (13) vorgesehen ist.
摘要翻译：公开的是具有pn结和用于制造半导体器件（200），其中，所述半导体装置（200）被形成为芯片（10）具有边缘区域的方法，一种半导体器件（200），其中半导体器件（200）的第一层（2）第二，在第一导电类型相反，其包括导电型，所述第一层（2）具有边缘区域（2a）和第一导电类型的中心区域（2b）和第二层（1）其中（第一层之间 2），并且其中所述第二层（2）（在其周边区域2a）设有弱掺杂比（在其中间区域2b）中，pn结被提供时，第二层（1），并且其中所述pn的接口（12）在边缘区域（2a）的过渡不平行于所述芯片（13）的主平面设置。

35. 发明申请

WO2018206164A1 VERTIKALER LEISTUNGSTRANSISTOR MIT VERBESSERTER LEITFÄHIGKEIT UND HOHEM SPERRVERHALTEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2018206164A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/EP2018/053281
申请日：2018-02-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： MARTINEZ-LIMIA, Alberto , BARTOLF, Holger , GOERLACH, Alfred , FEILER, Wolfgang , SCHWAIGER, Stephan
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
摘要： Vertikaler Leistungstransistor (100, 200) mit mindestens einer Epitaxieschicht (103, 203), die ein erstes Halbleitermaterial umfasst, das mit ersten Ladungsträgern dotiert ist, und einer Mehrzahl von Gräben (107, 207), wobei sich die Gräben (107, 207) ausgehend von einer Oberfläche der Epitaxieschicht (103, 203) ins Innere der Epitaxieschicht (103, 203) erstrecken, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Graben (107, 207) einen ersten Bereich (108, 208) aufweist, der sich vom Grabenboden bis zu einer ersten Höhe erstreckt, wobei der erste Bereich (108, 208) mindestens teilweise mit einem zweiten Halbleitermaterial verfüllt ist, das mit zweiten Ladungsträgern dotiert ist (109, 209) und der erste Bereich (108, 208) elektrisch mit einem Sourcegebiet (105, 205) verbunden ist, wobei die ersten Ladungsträger und die zweiten Ladungsträger verschieden sind, und zwischen einer Grabenoberfläche des ersten Bereichs (108, 208) und der Epitaxieschicht (103, 203) eine erste Schicht (115, 215) angeordnet ist, die ein drittes Halbleitermaterial umfasst, das mit den zweiten Ladungsträgern dotiert ist, wobei die Grabenoberfläche des ersten Bereichs (108, 208) den Grabenboden des jeweiligen Grabens (107, 207) und Seitenwände des ersten Bereichs (108, 208) des jeweiligen Grabens (107, 207) umfasst, und auf jedem ersten Bereich (108, 208) ein zweiter Bereich (116, 216) angeordnet ist, der eine zweite Höhe aufweist, wobei der zweite Bereich (116, 216) mindestens teilweise mit dem zweiten Halbleitermaterial verfüllt ist.

36. 发明申请

WO2014195131A1 HOCHSPANNUNGS-TRENCH-JUNCTION-BARRIER-SCHOTTKYDIODE MIT P-SCHICHTEN UNTER DEM SCHOTTKY-KONTAKT 审中-公开
标题翻译：肖特基P层肖特基接触在高电压沟槽结势垒
公开(公告)号：WO2014195131A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/EP2014/060400
申请日：2014-05-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schottkydiode, aufweisend ein n + -Substrat (10), eine n-Epischicht (20), die eine Dicke ( D_epi ) aufweist, mindestens zwei in die n-Epischicht (20) eingebrachte Gräben (70), die jeweils eine Breite ( Wt )und eine Tiefe ( Dt ) aufweisen, Mesa-Bereiche (80) zwischen benachbarten Gräben (70), wobei die Mesa-Bereiche jeweils eine Breite ( Wm ) aufweisen, eine einen ohmschen Kontakt bildende und als Kathodenelektrode dienende erste Metallschicht (60) an der Rückseite (R) der Schottkydiode sowie eine einen ohmschen Kontakt zu den Gräben (70) und einen Schottky- Kontakt zu der n-Epischicht (20) bildende und als Anodenelektrode dienende zweite Metallschicht (50) an der Vorderseite (V) der Schottkydiode, wobei p-Schichten (90) mit einer Dicke ( D _p )und einer Dotierkonzentration ( N _p )direkt unter dem Schottky-Kontakt angeordnet sind, die zusammen mit der zweiten Metallschicht (50) und der n-dotierten Epischicht (20) ein Schottky-Kontaktsystem bilden.
摘要翻译：本发明涉及一种肖特基二极管，包括具有引入至少两个在n外延层（20）的沟槽（70）的厚度（D_epi）的n +型衬底（10），一个n外延层（20），每一个都具有宽度（w）和深度（DT），其台面区（80）相邻沟槽之间（70），所述台面区每个具有的宽度的欧姆接触形成和作为阴极电极的第一金属层（WM）（ 60）（在后侧R）的肖特基二极管和欧姆接触，以在沟槽（70）和一个肖特基接触形成并作为在所述前侧的阳极电极的第二金属层（50）（V n型外延层（20）的）肖特基二极管，其特征在于，具有厚度和掺杂浓度（N _p）p-层（90）（_p D）是下肖特基接触直接设置的，其与所述第二金属层（50）和n型掺杂的外延层一起（20 ）形成肖特基接触系统。

37. 发明申请

WO2014146870A1 GLEICHRICHTERDIODE 审中-公开
标题翻译：整流二极管
公开(公告)号：WO2014146870A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/EP2014/053596
申请日：2014-02-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0626 , H01L29/0696 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： Die Erfindung betrifft eine Pseudo-Schottky-Diode, die einen n-Kanal-Trench- MOS-Feldeffekttransistor aufweist, welcher eine Kathode (K), eine Anode (A) und zwischen der Kathode und der Anode ein hoch n + -dotiertes Siliziumsubstrat (1), eine n-dotierte Epischicht (2), sich in die n-dotierte Epischicht (2) erstreckende Gräben (3), zwischen den Gräben (3) vorgesehene, p-dotierte Bodygebiete (6) sowie an der Oberfläche der Bodygebiete (6) vorgesehene hoch n + -dotierte Bereiche (8) und hoch p + -dotierte Bereiche (7) aufweist, wobei das Gate, die Bodygebiete und das Sourcegebiet monolithisch und elektrisch miteinander verbunden sind und bei welchem das Draingebiet als Kathode dient, wobei an den Seitenrändern der Gräben (3) dielektrische Schichten (4) vorgesehen sind, die Gräben (3) mit einer p-dotierten Polysiliziumschicht (5) gefüllt sind, die Böden einiger oder aller Gräben (3) von einer mit der p-dotierten Polysiliziumschicht (5) kontaktierten weiteren p-dotierten Schicht (12) gebildet sind, wobei die weiteren p-dotierten Schichten (12) die Durchbruchsspannung der Pseudo-Schottky-Diode bestimmen.
摘要翻译：本发明涉及一种具有具有阴极（K），阳极（A）的n沟道沟槽MOS场效应晶体管的伪肖特基二极管和所述阴极和阳极，高n +掺杂的硅衬底之间（1 ），n掺杂外延层（2），位于（在n型外延层2）伸展的沟槽（3），（在沟槽之间设置3），p掺杂体区（6）和所述主体区的表面上（6 ）提供高度n +掺杂区（8）和高度的p +掺杂区（7），其特征在于，所述栅极，所述体区和所述源区被单片以及电连接到彼此，并且其中所述漏极区域用作阴极，其中，在所述侧边缘沟槽（3）的电介质（4）的层被提供，其沟槽与p掺杂的多晶硅层（5）被填充时，一些或底部所有沟槽的（3）一个与所述p型多晶硅层（5）接触，（3）进一步p掺杂层（12）形成，所述另外的p掺杂层（12）确定所述伪肖特基二极管的击穿电压。

38. 发明申请

WO2013017413A1 SUPER-JUNCTION-SCHOTTKY-PIN-DIODE 审中-公开
标题翻译： SUPER-结肖特基PIN二极管
公开(公告)号：WO2013017413A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/EP2012/064146
申请日：2012-07-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/66143 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterchip, der ein n + -dotiertes Substrat, über dem sich eine n-dotierte Epischicht mit in die Epischicht eingebrachten, mit p-dotiertem Halbleitermaterial gefüllten Gräben, die an ihrer Oberseite jeweils einen hoch p-dotierten Bereich aufweisen, derart befindet, dass eine alternierende Anordnung von n-dotierten Bereichen mit einer ersten Breite und p-dotierten Bereichen mit einer zweiten Breite vorliegt. Des Weiteren enthält der Chip eine an seiner Vorderseite vorgesehene erste Metallschicht, die einen Schottky-Kontakt mit der n-dotierten Epischicht und einen ohmschen Kontakt mit den hoch p-dotierten Bereichen bildet und als Anodenelektrode dient. An der Rückseite des Halbleiterchips ist eine zweite Metallschicht vorgesehen, die einen ohmschen Kontakt darstellt und als Kathodenelektrode dient. Zwischen einem n-dotierten Bereich und einem benachbarten p-dotierten Bereich ist jeweils eine dielektrische Schicht vorgesehen.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体芯片，其是n +掺杂的衬底，在其上已经被引入到外延层的n型掺杂的外延层，填充有p型掺杂的半导体材料的沟槽，每一个都具有在其顶部的高p型掺杂的区域，位于以这样的方式那的n型掺杂的区域的交替排列存在具有第一宽度和p掺杂区具有第二宽度。还包括提供形成具有n型掺杂的外延层形成肖特基接触，并且与所述高度p掺杂区形成欧姆接触的前侧的第一金属层上的芯片上，作为阳极电极。在半导体芯片的背面，第二金属层被提供，其是一种欧姆接触和用作阴极电极。 n型掺杂的区域和相邻p掺杂区之间，介电层在每种情况下提供的。

39. 发明申请

WO2012076231A3 GENERATORVORRICHTUNG ZUR SPANNUNGSVERSORGUNG EINES KRAFTFAHRZEUGS 审中-公开
公开(公告)号：WO2012076231A3
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/EP2011/068298
申请日：2011-10-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , TOLKSDORF, Carolin
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , TOLKSDORF, Carolin
IPC分类号： H01L29/861 , H02M7/06
摘要： Die Erfindung betrifft eine Generatorvorrichtung zur Spannungsversorgung eines Kraftfahrzeugs, welche mit mindestens einem Gleichrichterelement zum Gleichrichten einer von einem Generator bereitgestellten Wechselspannung ausgestattet ist. Das Gleichrichterelement weist einen n-Kanal MOS-Feldeffekttransistor auf, bei dem Gate, Bodygebiet und Sourcegebiet fest elektrisch miteinander verbunden sind und bei dem das Draingebiet als Kathode dient.

40. 发明申请

WO2011057841A1 SCHUTZELEMENT FÜR ELEKTRONISCHE SCHALTUNGEN 审中-公开
标题翻译：保护元件电子电路
公开(公告)号：WO2011057841A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/EP2010/063849
申请日：2010-09-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L29/866 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： Es wird ein Schutzelement mit einer integrierten Halbleiteranordnung und ein Herstellungsverfahren für ein solches Schutzelement beschrieben, mit wenigstens einer Schottkydiode (S) und wenigstens einer Z- oder Zenerdiode (Z), die zwischen eines Stromversorgung und einer Elektronik liegen, beschrieben, wobei die Anode der Schottkydiode (S) mit der Stromversorgung und die Kathode der Schottkydiode (S) mit der Elektronik und der Kathode der Zenerdiode verbunden ist und deren Anode mit Masse in Verbindung steht. Die Schottkydiode (S) ist eine Trench-MOS-Barrier-Junction Diode oder Trench-MOS-Barrier-Schottky Diode (TMBS)-Diode oder eine Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode (TJBS)-Diode und umfasst eine integrierte Halbleiteranordnung, die wenigstens eine Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode und ein p-dotiertes Substrat aufweist, das als Anode der Z- oder Zenerdiode (Z) dient.
摘要翻译：有一个保护性元件，其包括集成半导体器件和描述了用于这样的保护元件的制造方法，具有至少一个肖特基二极管（S）和至少一个Z或齐纳二极管（Z），其位于电源和所述的电子设备，的阳极之间肖特基二极管（S）与电源和肖特基二极管（S）与所述电子器件的阴极和所述齐纳二极管的阴极和其阳极被连接到地。肖特基二极管（S）是一种Trench MOS势垒结二极管或沟槽MOS势垒肖特基二极管（TMBS）二极管或沟槽结势垒肖特基二极管（TJBS）二极管和包括集成的半导体装置具有至少一个沟槽MOS势垒肖特基二极管和p掺杂的衬底，其用作齐纳二极管Z或（Z）的阳极。

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