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1. 发明申请

WO2011015394A1 HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件和方法及其
公开(公告)号：WO2011015394A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/EP2010/058067
申请日：2010-06-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L29/0623 , H01L29/0626 , H01L29/66143
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode (TMBS) bestehend aus einer n-Epischicht (2), in der sich in einer zweidimensionalen Darstellungsweise mindestens zwei eingeätzte Gräben (6), auf einem n + -Substrat 1, das als Kathodenzone dient, befinden, vorgeschlagen. Dabei befindet sich in der n-dotierten Epischicht 2 mindestens an einer Stelle unterhalb des Grabenbodens eine elektrisch floatende p-dotiert Schicht, die als Anodenzone der PN-Diode dient. Eine Oxidschicht liegt zwischen einer Metallschicht 4 und der Oberfläche der Graben 6. Die n-dotierte Epischicht 2 kann sich auch aus zwei unterschiedlich hoch dotierten n-Schichten zusammensetzen.
摘要翻译：它具有沟槽MOS型势垒肖特基二极管（TMBS）由n外延层的半导体器件（2），其中，在二维表示中，至少两个蚀刻的沟槽（6），在n +衬底1，其用作阴极区，提出了建议。在这种情况下位于所述n型掺杂的外延层2至少在底部严重下方的位置的电浮置p型掺杂层，其用作PN二极管的阳极区。氧化物层位于金属层4和沟槽6 n型外延层2也可以由两个不同的高度掺杂的n型层的所述表面之间。

2. 发明申请

WO2009077369A1 GENERATOR MIT GLEICHRICHTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：与整流器布置发电机
公开(公告)号：WO2009077369A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/EP2008/067004
申请日：2008-12-08
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GOERLACH, Alfred , BAUR, Markus
发明人： GOERLACH, Alfred , BAUR, Markus
IPC分类号： H02M7/219
CPC分类号： H02M7/219 , H02M7/217 , H02M2007/2195 , Y02B70/1408
摘要： Es wird ein Generator, beispielsweise ein Drehstromgenerator mit einer zugeordneten Gleichrichteranordnung beschrieben, der beispielsweise zur elektrischen Spannungsversorgung eines Kraftfahrzeugs dient. Die vom Generator erzeugte Wechselspannung wird mit Hilfe der Gleichrichteranordnung mit mehreren gleichrichtenden Elementen 2 bzw. 7 gleichgerichtet. Wesentlich ist, dass die gleichrichtenden Elemente 2 des Gleichrichters mehrere Reihenschaltungen eines selbstleitenden n-Kanal JFETs und eines selbstleitenden p-Kanal JFETs aufweisen, wobei die Gateanschlüsse mit den äußeren Source- bzw. Drainkontakten des jeweils anderen Transistors verbunden sind. Alternativ können die selbstleitenden JFETs aus des gleichrichtenden Elements 2 in Figur 1 durch selbstleitende MOS-Feldeffekttransistoren (Depletion MOSFET) ersetzt werden. Der p-Kanal JFET des Ausführungsbeispiels nach Figur 1 ist dabei durch einen selbstleitenden p-Kanal MOSFET und der n-Kanal JFET durch einen selbstleitenden n-Kanal MOSFET ersetzt. Wieder erfolgt die Verschaltung der Gateanschlüsse zu den gegenüberliegenden äußeren Anschlüssen.
摘要翻译：我们将描述一个发电机，例如交流发电机具有关联整流器布置，例如，用于机动车的电力供应。由发电机产生的交流电压被整流器装置与多个分别整流元件2和7的纠正。重要的是，具有多个自导通的n沟道JFET和自导通的p沟道JFET的串联电路的整流器的整流元件2，栅极端子连接到相应的其它晶体管的外部源和漏接触。可替代地，从整流元件2的自导通JFET的可在图1中由自导通MOS场效应晶体管（耗尽型MOSFET）替代。图1的实施例的p沟道JFET被替换一个常通的P沟道MOSFET和一个自导通的n沟道MOSFET的n沟道JFET。同样，栅极端子的至相对的外部端子的互连发生。

3. 发明申请

WO2006061277A1 HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件和方法及其
公开(公告)号：WO2006061277A1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：PCT/EP2005/055227
申请日：2005-10-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GOERLACH, Alfred , QU, Ning
发明人： GOERLACH, Alfred , QU, Ning
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/866
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/872
摘要： Es werden Halbleitereinrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung beschrieben, wobei die Halbleitereinrichtungen als Trench-Schottky-Barrier-Schottky-Diode mit PN- Diode als Klammerelement (TSBS-PN) ausgestaltet ist und gegenüber herkömmlichen TSBS-Elementen zusätzliche Eigenschaften aufweist, die eine Anpassung der elektrischen Eigenschaften ermöglichen. Die TSBS-PN-Dioden werden mit speziellen Herstellungsverfahren erzeugt und sind in ihren physikalischen Eigenschaften so ausgelegt, dass sie für einen Einsatz in einem Gleichrichter für einen Kraftfahrzeuggenerator geeignet sind und auch als Z-Dioden betrieben werden können.
摘要翻译：将有用于生产半导体装置和工艺，其中所述半导体器件被设计为沟槽肖特基势垒肖特基二极管PN二极管作为夹紧元件（TSB的-PN）和比常规TSB的元件来描述具有其他属性的调整电气性能允许。的TSB的-PN二极管产生具有特殊的制造工艺和设计在它们的物理性能使得它们适合于在一个整流器使用用于车辆用交流发电机，并且也可以用作齐纳二极管。

4. 发明申请

WO2006056505A1 HALBLEITEREINRICHTUNG UND GLEICHRICHTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件和整流器布置
公开(公告)号：WO2006056505A1
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/EP2005/055164
申请日：2005-10-11
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , MUELLER, Markus
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , MUELLER, Markus
IPC分类号： H01L29/872 , H01L27/08 , H01L25/07
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L27/0814 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es werden Halbleitereinrichtungen, insbesondere Hocheffizienz-Schottky-Dioden (HED) und Gleichrichteranordnungen mit derartigen Halbleitereinrichtungen angegeben. Die Hocheffizienz-Schottky-Dioden (HED) setzen sich zusammen aus wenigstens einer Schottky-Diode kombiniert mit einem weiteren Halbleiterelement insbesondere mit Feldplatten (TMBS) oder mit pn-Dioden (TJBS) und weist Trenches bzw. Gräben auf. Solche Hocheffizienz-Schottky-Dioden haben keine Barrier Lowering und weisen daher eine Gesamtverlustleistung auf, die gegenüber herkömmlichen Dioden geringer ist, insbesondere bei höheren Temperaturen. Damit können Gleichrichter aufgebaut werden, die für höhere Temperaturen geeignet sind und daher in Kraftfahrzeuggeneratoren eingesetzt werden können, ohne dass besondere Kühlmaßnahmen wie Kühlkörper erforderlich sind. Eine Kombination von Hocheffizienz-Schottky-Dioden mit weiteren Halbleiterelementen er möglicht spezielle Ausgestaltungen der Gleichrichter und deren Anpassung an bestimmte Erfordernisse.
摘要翻译：有半导体器件，特别是高效率的肖特基二极管（HED）和整流器组件与这样的半导体器件表示。高效率的肖特基二极管（HED）由至少一个肖特基二极管与特别是与场板（TMBS）或PN二极管（TJBS）另一半导体元件组合的，并且具有沟槽或沟槽。这种高效率的肖特基二极管没有势垒降低，并因此具有较少与常规二极管，特别是在较高的温度相比的总功率损失。因此整流器可以构建适于较高的温度，因此可以在车辆用交流发电机，而不如需要散热器特别的冷却措施一起使用。与其它半导体元件的高效率的肖特基二极管的组合，它使所述整流器的具体实施例和它们适应特定要求。

5. 发明申请

WO2006048354A1 HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法SAME
公开(公告)号：WO2006048354A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/EP2005/054538
申请日：2005-09-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GOERLACH, Alfred , QU, Ning
发明人： GOERLACH, Alfred , QU, Ning
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/866 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L29/66143 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung (20), die eine Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode mit integrierter PN-Diode umfasst, sowie Verfahren für deren Herstellung.
摘要翻译：本发明涉及一种包括具有集成PN二极管的沟槽MOS势垒肖特基二极管的半导体器件（20），以及它们的制备方法。

6. 发明申请

WO2006037711A2 HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：半导体部件
公开(公告)号：WO2006037711A2
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/EP2005/054523
申请日：2005-09-12
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FLOHRS, Peter , GOERLACH, Alfred , URBACH, Peter , FEILER, Wolfgang , QU, Ning , HEYERS, Klaus
发明人： FLOHRS, Peter , GOERLACH, Alfred , URBACH, Peter , FEILER, Wolfgang , QU, Ning , HEYERS, Klaus
IPC分类号： H01L29/8605
CPC分类号： H01L28/20 , G01K7/22 , H01L27/0802 , H01L29/8605 , H01L29/8611
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes angegeben, das ein Widerstandsverhalten aufweist, das stark von der Temperatur abhängt. Dieses Widerstandsverhalten wird durch eine spezielle mehrschichtige Struktur des Halbleiterbauelements erhalten, wobei eine Schicht so ausgestaltet ist, dass beispielsweise in einem n-dotierten Gebiet mehrere p-dotierte Gebiet vorhanden sind, die auf einer Seite mittels Metallisierungsschicht kurzgeschlossen sind. Das Halbleiterbauelement kann beispielsweise zur Verringerung von Stromspitzen eingesetzt werden, wobei es dann in einen Leiter integriert wird. In kaltem Zustand weist das Halbleiterbauelement einen hohen Widerstand auf, der nach Erwärmung des Halbleiterbauelementes in Folge des fließenden Stromes signifikant kleiner wird.
摘要翻译：提供了一种半导体器件以及制造这种半导体器件的方法，该半导体器件具有强烈依赖于温度的电阻特性。此电阻器的行为，是由半导体器件，其中一个层被设计成使得多个p掺杂区的存在，例如，在n型掺杂的区域，该区域被短路通过金属化的手段在一侧的一个特殊的多层结构得到的。例如，可以使用半导体器件来减小电流峰值，然后将其集成到导体中。当冷时，半导体器件具有高电阻，其在半导体器件加热之后由于流动电流而变得明显更小

7. 发明申请

WO2003049198A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT EINEM PN-ÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：根据上述制造半导体器件的pn结和方法功率半导体装置
公开(公告)号：WO2003049198A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/DE2002/004358
申请日：2002-11-27
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GOERLACH, Alfred
发明人： GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/36
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung (200), insbesondere eine Diode, mit einem pn-Übergangdie vorgeschlagen, welche als Chip mit einem Randbereich ausgebildet ist, die eine erste Schicht (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Schicht (1, 3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfaßt, wobei die zweite Schicht (1, 3) mindestens zwei Teilschichten (1, 3) umfaßt, wobei beide Teilschichten (1, 3) einen pn-Übergang mit der ersten Schicht (2) bilden, wobei der pn-Übergang der ersten Schicht (2) mit der ersten Teilschicht (3) ausschließlich im Inneren des Chips und der pn-Übergang zwischen der ersten Schicht (2) und der zweiten Teilschicht (1) im Randbereich des Chips vorgesehen ist, wobei für jeden Querschnitt der Chipfläche parallel zur Chipebene, die erste Teilschicht (3) lediglich einem Teil eines solchen Querschnitts entspricht.
摘要翻译：它是一种半导体装置200，尤其是二极管，具有PNÜbergangdie，其被设计为具有边缘区域中的芯片，其包括具有第一导电类型和第二导电类型的第二层1,3的第一层2，其特征在于，所述第二层建议 1，3中的至少两个子层1，3，其中，两个局部层1,3形成pn结与第一层2中，第一层2的与所述第一子层3的pn结仅在芯片和PN的内部第一层2和在芯片的边缘区域中的第二子层1之间的接合处，平行于芯片平面的芯片区域的每个横截面中，第一子层3只对应于这样的横截面的一部分。

8. 发明申请

WO2022122870A1 VERTIKALER FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DESSELBEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2022122870A1
公开(公告)日：2022-06-16
申请号：PCT/EP2021/084903
申请日：2021-12-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
发明人： HEYERS, Klaus , GOERLACH, Alfred , FEILER, Wolfgang
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/06
摘要： Es wird ein vertikaler Feldeffekttransistor (200) bereitgestellt, aufweisend: einen Driftbereich (2) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp; eine erste Grabenstruktur (3a) auf oder über dem Driftbereich (2), wobei eine Gate-Elektrode (5) in der ersten Grabenstruktur (3a) angeordnet ist und wobei die erste Grabenstruktur (3a) mindestens eine Seitenwand aufweist und die erste Grabenstruktur (3a) an der mindestens einen Seitenwand eine Gate-Dielektrikum- Schicht (4) aufweist; eine zweite Grabenstruktur (3b), die lateral neben der mindestens einen Seitenwand der ersten Grabenstruktur (3a) angeordnet ist und sich vertikal bis in den Driftbereich (2) oder vertikal weiter in Richtung des Driftbereichs (2) erstreckt als die erste Grabenstruktur (3a), wobei die zweite Grabenstruktur (3b) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, der sich von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet; und eine Source-Elektrode (9) auf oder über dem Driftbereich (2), die mit der zweiten Grabenstruktur (3b) elektrisch leitfähig verbunden ist.

9. 发明申请

WO2019020255A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT EINER PIN-DIODE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019020255A1
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：PCT/EP2018/065301
申请日：2018-06-11
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： GOERLACH, Alfred , FEILER, Wolfgang
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/32 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/16
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer PIN-Diode mit einer stark n-dotierten Schicht (1), einer auf der stark n-dotierten Schicht (1) angeordneten schwach n-dotierten Schicht (2) und einer auf der schwach n-dotierten Schicht (2) angeordneten p-dotierten Schicht (3) vorgeschlagen, wobei die p-dotierte Schicht (3) mit einer ersten Metallisierung (5) einen ohmschen Kontakt bildet und die stark n-dotierte Schicht (1) einen ohmschen Kontakt zu einer zweiten Metallisierung (7) bildet. Bei einem Betrieb in Vorwärtsrichtung erfolgt eine Hochinjektion bei der die schwach n-dotierte Schicht (2) mit Ladungsträgern überflutet wird. In der schwach n-dotierten Schicht (2) sind mindestens zwei Grabenstrukturen (4) eingebracht, wobei die Grabenstrukturen (4) auf einer mit der n-dotierten Oberfläche in Kontakt stehenden Oberfläche eine dielektrische Schicht (6) aufweisen. Die mit der dielektrischen Schicht (6) in Kontakt stehende Oberfläche (10) der schwach n-dotierten Schicht (2) weist eine erhöhte Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit für Ladungsträger auf.

10. 发明申请

WO2018206163A1 VERTIKALER LEISTUNGSTRANSISTOR MIT VERBESSERTER LEITFÄHIGKEIT UND HOHEM SPERRVERHALTEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2018206163A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/EP2018/053278
申请日：2018-02-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： MARTINEZ-LIMIA, Alberto , BARTOLF, Holger , GOERLACH, Alfred , FEILER, Wolfgang , SCHWAIGER, Stephan
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
摘要： Vertikaler Leistungstransistor (200, 300) mit mindestens einer Epitaxieschicht (203, 303), die ein erstes Halbleitermaterial umfasst, das mit ersten Ladungsträgern dotiert ist, und einer Mehrzahl von ersten Gräben (207, 307) und zweiten Gräben (220, 320), wobei die ersten Gräben (207, 307) und die zweiten Gräben (220, 320) alternierend angeordnet sind und sich ausgehend von einer Oberfläche der Epitaxieschicht (103, 203) ins Innere der Epitaxieschicht (203, 303) erstrecken, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Gräben (220, 320) mit einem zweiten Halbleitermaterial (218, 318) verfüllt sind, das mit zweiten Ladungsträgern dotiert ist, wobei die ersten Ladungsträger und die zweiten Ladungsträger verschieden sind und zwischen einer Grabenoberfläche der zweiten Gräben (220, 320) und der Epitaxieschicht (203, 303) eine erste Wannenschicht (219, 319) angeordnet ist, die ein drittes Halbleitermaterial umfasst, das mit den zweiten Ladungsträgern dotiert ist, und die Grabenoberfläche der zweiten Gräben den Grabenboden des jeweiligen Grabens (207, 307) und Seitenwände des jeweiligen Grabens (207, 307) umfasst.

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