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31. 发明申请

WO2017009331A1 BAUELEMENT MIT VERBESSERTEN AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN 审中-公开
标题翻译：具有改进的AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN COMPONENT
公开(公告)号：WO2017009331A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066525
申请日：2016-07-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MAUTE, Markus , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , SCHWARZ, Thomas , SABATHIL, Matthias , WIRTH, Ralph , LINKOV, Alexander , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (L) eingerichtet ist. Das Bauelement weist außerdem eine elektrische Kontaktschicht (61) auf einer Strahlungsaustrittsfläche auf, wobei das Bauelement in unmittelbarer Umgebung der elektrischen Kontaktschicht eine Abschirmungsstruktur (4) enthält, die dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf die Kontaktschicht zu verhindern.
摘要翻译：据上述（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2），具有载体的组件（100），其中，具有在装置的操作过程中的活性层（23），该组（L），用于产生电磁辐射的半导体主体是。该装置还包括适于产生从所述接触层上的有源层的电磁辐射所产生的的冲击上的辐射出射表面上的电接触层（61），其中，在所述电接触层的附近，该装置包括一个屏蔽结构（4）预防。

32. 发明申请

WO2016170151A2 LUMINESZENZDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LUMINESZENZDIODENANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：发光二极管组件和用于生产发光二极管组件的方法
公开(公告)号：WO2016170151A2
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：PCT/EP2016/059073
申请日：2016-04-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , DIRSCHERL, Georg
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/56 , H01L25/0753 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
摘要： Die Erfindung betrifft eine Lumineszenzdiodenanordnung (1) aufweisend zumindest einen ersten Lumineszenzdiodenchip (2) mit einer ersten Strahlungsaustrittsfläche (3), der über die Strahlungsaustrittsfläche (3) zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, zumindest ein Hybridpolymer (4), dass im Strahlengang des ersten Lumineszenzdiodenchips (2) angeordnet ist, wobei das Hybridpolymer (4) organische und anorganische Bereiche aufweist, die kovalent miteinander verbunden sind, wobei das Hybridpolymer (4) thermisch und/oder durch Strahlung vernetzt ist, wobei die erste Strahlungsaustrittsfläche (3) und das Hybridpolymer (4) in direktem mechanischem Kontakt stehen.
摘要翻译：
本发明涉及一种Lumineszenzdiodenanordnung（1），包括至少一个第一LED芯片（2），具有第一Strahlungsaustrittsfl BEAR表面（3），过的Strahlungsaustrittsfl BEAR表面（3），用于辐射的发射配是（4），其被布置在所述第一发光二极管芯片的光路中的至少一个杂化聚合物（2），所述杂化聚合物（4），其共价连接在一起的有机和无机的区域，所述混合聚合物（4）热和/或通过辐射是交联的，其中第一Strahlungsaustrittsfla（3）和杂化聚合物（4）直接机械接触

33. 发明申请

WO2016165977A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERBAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件和半导体元件的大多数方法
公开(公告)号：WO2016165977A1
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：PCT/EP2016/057408
申请日：2016-04-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SPERL, Matthias , SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2933/0075
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterchip (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben, wobei - der Halbleiterchip eine Vorderseite (201) und eine der Vorderseite gegenüberliegende Rückseite (202) aufweist; - das Halbleiterbauelement einen Formkörper (4) aufweist, der zumindest stellenweise an den Halbleiterchip angeformt ist; - das Halbleiterbauelement an einer der Vorderseite des Halbleiterchips gegenüberliegenden Rückseite (12) des Halbleiterbauelements einen thermischen Anschluss aufweist, der sich bis zur Rückseite des Halbleiterchips erstreckt; und - der Halbleiterchip an der Vorderseite zumindest eine elektrische Anschlussfläche (25) aufweist, die über eine auf dem Formkörper verlaufende Kontaktbahn (55) mit einer elektrischen Kontaktfläche (5) des Halbleiterbauelements elektrisch leitend verbunden ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen angegeben.
摘要翻译：它是一种包含半导体芯片的光电子半导体器件（1）（2），具有与所提供的用于产生辐射激活区（20），提供了一种半导体层序列（200），其中 - 所述半导体芯片具有前（201）和一个前部的相对的后表面（202）; - 该半导体器件包括一成形的主体（4），其至少局部地形成在半导体芯片上; - 在所述半导体元件的与半导体芯片相对后侧（12）的前侧的一个半导体器件具有延伸到半导体芯片的背面侧的热连接; 具有关于所述模体接触幅材（55）上延伸的轴的前侧的至少一个电连接垫（25）的半导体芯片电传导地连接到所述半导体器件（5）的电接触表面 - 和。此外，提供了一种用于制造多个半导体器件的方法。

34. 发明申请

WO2016071307A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016071307A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/075517
申请日：2015-11-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen , SABATHIL, Matthias , HOXHOLD, Björn , SPERL, Matthias
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/40 , H01L33/50 , H01L33/54
CPC分类号： H01L25/167 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/296 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
摘要： Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung Ein optoelektronisches Bauelement (10) weist einen Verbundkörper (100) auf, der einen Formkörper (200) und einen in den Formkörper (200) eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip (300) umfasst. Ein elektrisch leitender Durchkontakt (400) erstreckt sich von einer Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) zu einer Unterseite (102) des Verbundkörpers (100) durch den Formkörper (200). Eine Oberseite (301) des optoelektronischen Halbleiterchips (300) ist zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (200) bedeckt. Der optoelektronische Halbleiterchip (300) weist an seiner Oberseite (301) einen ersten elektrischen Kontakt (310) auf. An der Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) ist eine erste Oberseitenmetallisierung (110) angeordnet, die den ersten elektrischen Kontakt (310) elektrisch leitend mit dem Durchkontakt (400) verbindet. Das optoelektronische Bauelement (10) weist eine obere Isolationsschicht (160) auf, die sich über die erste Oberseitenmetallisierung (110) erstreckt. Das optoelektronische Bauelement (10) weist außerdem eine zweite Oberseitenmetallisierung (120) auf, die über der oberen Isolationsschicht (160) angeordnet und durch die obere Isolationsschicht (160) elektrisch gegen die erste Oberseitenmetallisierung (110) isoliert ist.
摘要翻译：其制备一种光电子器件（10），光电子器件和方法包括复合体（100）包括模制体（200）并进入模体（200）嵌入的光电子半导体芯片（300）。一个通过由模制体（200）从所述复合体（100）的顶表面（101）延伸到所述复合材料主体（100）的下侧（102）（400）导电。光电子半导体芯片（300）的上表面（301）由所述模体（200）至少部分覆盖。光电子半导体芯片（300）具有在其上侧（301）的第一电接触（310）。在复合体（100）的顶部（101）是第一顶部金属化（110）被布置成，它连接所述第一电接触（310）电连接到所述通孔（400）。光电子器件（10）具有延伸穿过所述第一顶部金属化（110）的上绝缘层（160）。光电子器件（10）还包括第二顶部金属化（120）设置在上绝缘层（160）上，并通过上绝缘层（160）电到第一顶部金属化（110）是分离的。

35. 发明申请

WO2015172937A1 HALBLEITERBAUELEMENT, BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体元件，照明装置和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2015172937A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/EP2015/057096
申请日：2015-03-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen , BOGNER, Georg , BRUNNER, Herbert , SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/25 , H01L33/0095 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/82 , H01L2924/0002 , H01L2924/19105 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit - einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweisen; - einer Strahlungsaustrittsseite (10), die parallel zu den aktiven Bereichen verläuft; - einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsseite verläuft; - einem Formkörper (4), der stellenweise an die Halbleiterchips angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet; und - einer Kontaktstruktur (50), die auf dem Formkörper angeordnet ist und zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips elektrisch leitend miteinander verbindet. Weiterhin werden eine Beleuchtungsvorrichtung (9) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：本发明公开了一种半导体器件（1），包括： - 多个半导体芯片（2），每一个都具有与设置用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列（200）; - 一个辐射出射侧（10），其平行于所述有源区; - 安装侧表面，该表面设置用于固定所述半导体器件和倾斜或垂直于所述辐射出射侧（11）; - 这是局部地形成在半导体芯片上并至少部分地成形的主体（4）形成所述安装表面; 和 - 连接其被布置在所述成型体和所述多个半导体芯片彼此电的至少两个半导体芯片的接触结构（50）。此外，提供了用于制造半导体装置的照明装置（9）和一种方法。

36. 发明申请

WO2015117824A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2015117824A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/EP2015/051148
申请日：2015-01-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , MOOSBURGER, Jürgen , ILLEK, Stefan , SINGER, Frank , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/10 , H01L33/60 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/505 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/10 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit: - einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), umfassend - ein Aufwachssubstrat (21) mit einer Aufwachsfläche (21a), - eine auf der Aufwachsfläche (21a) aufgewachsene Schichtenfolge (22) mit einer Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) mit einer aktiven Zone (222), - Kontaktstellen (29) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) und - eine Isolationsschicht (26), die elektrisch isolierend ausgebildet ist - einem Anschlussträger (4), der an der der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Deckfläche (2a) des optoelektronischen Halbleiterchips angebracht ist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) elektrisch leitend mit dem Anschlussträger (4) verbunden ist und - auf einer der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Bodenfläche (21c) des Aufwachssubstrats (21) und allen Seitenflächen (21b) des Aufwachssubstrats (21) eine Konversionsschicht (5) aufgebracht ist.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件（1），包括： - 具有半导体层序列的在生长表面上（21A）生长的层序列（22） - 的光电子半导体芯片（2），包括： - 具有一生长表面（21a）的在生长衬底（21），（221，222，223）与活性区（222）， - 用于半导体层序列（221，222，223），和电接触的接触点（29） - 一个绝缘层（26）被电形成的绝缘 - 一个连接载体（4 ），则（生长表面21a的从（图2A背向）的光电子半导体芯片的顶面）安装，其特征在于， - 半导体层序列（221，222，223）电连接到所述连接架（4）和 - （在生长表面上21a的一个）底表面（背离21c）中生长衬底（21）和（21B）在生长衬底（21）的，转换层（5）施加的所有侧面。

37. 发明申请

WO2015036231A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2015036231A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/EP2014/068000
申请日：2014-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , STOLL, Ion , SCHWARZ, Thomas , SINGER, Frank , DIRSCHERL, Georg , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/60 , H01L33/54
CPC分类号： H01L33/60 , H01L24/24 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen lichtdurchlässigen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (11) auf dem lichtdurchlässigen Träger (10) und elektrische Anschlussstellen (12) an der dem lichtdurchlässigen Träger (10) abgewandten Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11), - einem lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3), das den optoelektronischen Halbleiterchip (1) stellenweise umschließt, und - Partikeln (41) eines lichtstreuenden und/oder lichtreflektierenden Materials, wobei - die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) frei vom lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3) ist, und - die Partikel (41) die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) und eine Außenfläche des Umhüllungsmaterials (3) stellenweise bedecken.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件，包括： - 在光透射支座（10）上的透光性的载体上的光电子半导体芯片（1），包括具有透光性的支撑体（10），半导体层序列（11）（10）和电连接点（12）背向半导体层序列（11），下侧 - 透光覆盖材料（3），这使包围光电子半导体芯片（1），和 - 游离的半导体层序列的下侧（11） - 一个光散射和/或光反射材料，其特征在于，颗粒（41）是透光性覆盖材料（3），以及 - 所述颗粒（41）局部地覆盖半导体层序列（11）和所述包装材料（3）的外表面的下侧。

38. 发明申请

WO2015011205A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片光电子器件及其制造方法半导体芯片
公开(公告)号：WO2015011205A1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/EP2014/065850
申请日：2014-07-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/483 , H01L33/22 , H01L33/60 , H01L33/62
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Träger (2) und einen Halbleiterkörper (1) umfassend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) aufweist, wobei der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, der Halbleiterkörper eine dem Träger abgewandte erste Hauptfläche (1A) und eine dem Träger zugewandte zweite Hauptfläche (1B) aufweist, der Halbleiterchip eine Seitenfläche (1C) mit einer Verankerungsstruktur (4) aufweist, und die zweite Hauptfläche zwischen der ersten Hauptfläche und der Verankerungsstruktur angeordnet ist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einensolchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（2）和半导体主体（1），包括设置用于产生电磁辐射的活性层（13），其中半导体本体被设置在支承体，半导体本体中的载流子中的开口的光电子半导体芯片（10）背离第一主表面（1A）和一个离开穿着者面对（1b）中的半导体芯片，一个侧表面（1C）与锚定结构（4），并且所述第一主表面和锚定结构之间的第二主表面设置在第二主表面上。此外，光电子器件（100），其具有给定的这样的半导体芯片及其制造多个这样的半导体芯片的方法。

39. 发明申请

WO2014207037A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014207037A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/EP2014/063380
申请日：2014-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , STOLL, Ion , SCHWARZ, Thomas , RICHTER, Markus , DIRSCHERL, Georg
IPC分类号： H01L33/60 , H01L25/16 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/005 , H01L24/24 , H01L25/167 , H01L27/15 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (200), der derart in einen Formkörper (100) eingebettet ist, dass eine Oberseite (201) des optoelektronischen Halbleiterchips (200) zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (100) bedeckt ist. Auf einer Oberseite (101) des Formkörpers (100) ist eine erste Metallisierung (510) angeordnet. Die erste Metallisierung (510) ist elektrisch gegen den optoelektronischen Halbleiterchip (200) isoliert. Auf der ersten Metallisierung (510) ist ein erstes Material (610, 615) angeordnet.
摘要翻译：的光电元件（10，20，30，40）包括嵌入在这样的方式中的成型体的光电子半导体芯片（200）（100），使得所述光电子半导体芯片（200）至少部分地不的顶表面（201）（通过成型 100）被覆盖。上成形的主体（100），其具有第一金属化（510）的上表面（101）被布置。第一金属化（510）是从所述光电子半导体芯片（200）是分离的电绝缘。在第一金属化（510）的第一材料（610，615）被布置。

40. 发明申请

WO2019029985A1 VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER AUTOSTEREOSKOPISCHEN ANZEIGEVORRICHTUNG UND AUTOSTEREOSKOPISCHE ANZEIGEVORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019029985A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：PCT/EP2018/070029
申请日：2018-07-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , HALBRITTER, Hubert , BRICK, Peter , PERÄLÄ, Mikko
IPC分类号： H04N13/351 , H04N13/302 , H04N13/194
摘要： In einer Ausführungsform werden mit den Verfahren mit einer autostereoskopischen Anzeigevorrichtung (1) Bilder und/oder Filme angezeigt. Die Anzeigevorrichtung (1) weist mindestens 100 x 70 Bildpunkte (2) zur dreidimensionalen Darstellung der Bilder und/oder Filme auf. Jeder der Bildpunkte (2) bedient mindestens N Abstrahlrichtungen (R) und weist dazu mindestens N Subpixel (3) auf. N ist eine natürliche Zahl größer oder gleich 12. Für jede Abstrahlrichtung (R) wird ein Teilbild ausgesandt, dass aus dem zu dieser Abstrahlrichtung (R) gehörigen Subpixeln (3) aller Bildpunkte (2) zusammengesetzt wird. Ansteuerdaten für zumindest einige der Subpixel (3) werden mittels eines Datenkompressionsalgorithmus, insbesondere einer Delta-Kodierung, an die Anzeigevorrichtung (1) übertragen.

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