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31. 发明申请

WO2013107737A1 LIGHT-EMITTING DIODE CHIP 审中-公开
标题翻译：发光二极管芯片
公开(公告)号：WO2013107737A1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：PCT/EP2013/050665
申请日：2013-01-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STRASSBURG, Martin , CALLEJA-PARDO, Enrique , ALBERT, Steven , BENGOECHEA ENCABO, Ana Maria , SANCHEZ-GARCIA, Miguel Angel , MANDL, Martin , KÖLPER, Christopher
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/32 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L27/153 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/32
摘要： A light-emitting diode chip comprising: - a semiconductor body (1) having a plurality of active regions (2), wherein - at least one of the active regions (2) has at least two subregions (21...28), - the active region (2) has at least one barrier region (3) arranged between two adjacent subregions (21...28) of said at least two subregions (21...28), - the at least two subregions (21...28) emit light of mutually different colour during operation of the light- emitting diode chip, - in at least one of the subregions (21...28) the emission of light is generated electrically, and - the barrier region (3) is configured to hinder a thermally activated redistribution of charge carriers between the two adjacent subregions (21...28), is specified.
摘要翻译：一种发光二极管芯片，包括：具有多个有源区（2）的半导体本体（1），其中至少一个有源区（2）具有至少两个子区（21 ... 28） - 所述有源区域（2）具有至少一个屏障区域（3），所述至少一个屏障区域（3）布置在所述至少两个子区域（21 ... 28）的两个相邻子区域（21 ... 28）之间， - 所述至少两个子区域 ... 28）在发光二极管芯片的操作期间发射彼此不同的颜色的光， - 在至少一个子区域（21 ... 28）中，光的发射被电气产生，并且 - 屏障区域 3）被配置为阻止两个相邻子区域（21 ... 28）之间的电荷载流子的热激活重新分配。

32. 发明申请

WO2013057002A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2013057002A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/EP2012/069868
申请日：2012-10-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： AVRAMESCU, Adrian Stefan , RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/06 , H01L27/15 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L2224/48463
摘要： Es wird ein Halbleiterchip mit einem Schichtenstapel angegeben, der eine erste Halbleiterschichtenfolge (21a) und eine zweite Halbleiterschichtenfolge (21b) aufweist. Die erste Halbleiterschichtenfolge (21a) weist einen ersten Halbleiterbereich (2a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweiten Halbleiterbereich (2b) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine dazwischen angeordnete aktive Zone (1a) auf. Die zweite Halbleiterschichtenfolge (21b) weist den zweiten Halbleiterbereich (2b) des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen dritten Halbleiterbereich (2c) des ersten Leitfähigkeitstyps und eine dazwischen angeordnete zweite aktive Zone (1b) auf. Weiter wird ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleitertyps angegeben.
摘要翻译：则表示用栈层，一个半导体芯片，包括：第一半导体层序列（21a）和第二半导体层序列（21B）。第一半导体层序列（21A）具有第一导电类型的第一半导体区域（2a）中，第二导电类型的第二半导体区域（2b）和插入的有源区（图1A）。第二半导体层序列（21B）具有第二半导体区域（2b）中的第二导电类型的，所述第一导电类型的第三半导体区域（2c）和插入的第二有源区（1b）中。接下来提供了一种制造这种半导体类型的方法。

33. 发明申请

WO2016087605A1 HALBLEITERSCHICHTENFOLGE ZUR ERZEUGUNG VON SICHTBAREM LICHT UND LEUCHTDIODE 审中-公开
标题翻译：半导体层序列产生可见光和发光二极管
公开(公告)号：WO2016087605A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/EP2015/078569
申请日：2015-12-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHOLZ, Dominik , MANDL, Martin , STOLL, Ion , STRASSBURG, Martin , HUCKENBECK, Barbara
IPC分类号： H01L33/16 , C09K11/00 , H01L33/50 , H01L33/08 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , H01L33/508 , H01L2933/0041
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung von Licht eingerichtet und umfasst Halbleitersäulen (2). Die Halbleitersäulen (2) weisen je einen Kern (21) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Kernumhüllung (23) um den Kern (21) herum aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Zwischen dem Kern (21) und der Kernumhüllung (23) befindet sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mittels Elektrolumineszenz. Auf die Halbleitersäulen (2) ist je eine Konversionsumhüllung (4) aufgebracht, die die zugehörige Kernumhüllung (23) zumindest teilweise formschlüssig umgibt und die die Primärstrahlung mindestens teilweise absorbiert und über Fotolumineszenz in eine langwelligere Sekundärstrahlung umwandelt. Die Konversionsumhüllungen (4), die auf benachbarten Halbleitersäulen (2) aufgebracht sind, füllen einen Zwischenraum zwischen den Halbleitersäulen (2) nur unvollständig aus.
摘要翻译：在至少一个实施例中，用于产生光的半导体层序列（1）被设置，并包括半导体列（2）。半导体柱（2）分别具有围绕上的第二导电类型的半导体材料制成的第一导电类型的半导体材料与芯部包裹（23）围绕芯（21）的芯（21）。所述芯（21）之间，并且所述芯部包裹（23）位于用于通过电致发光来生成初级辐射的有源区（22）。半导体柱（2），具有：（4）被施加围绕各芯包裹（23）至少部分形锁合和初级辐射至少部分地吸收并在更长波长的次级辐射转换上的光致发光，该转换鞘。被施加到相邻的半导体柱（2）中转化的包装材料（4），以填充半导体柱之间的空间（2）仅部分。

34. 发明申请

WO2016087509A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT SOWIE OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2016087509A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/EP2015/078348
申请日：2015-12-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BUTENDEICH, Rainer , STOLL, Ion , MANDL, Martin , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/50 , H01L33/504
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend einen Halbleiterchip (12), der im Betrieb ein blau-grünes Licht (4) emittiert und zumindest eine Lichtdurchtrittsflache (12a) aufweist, durch die das im Betrieb emittierte blaugrüne Licht (4) tritt, und ein Konversionselement (3), das Leuchtstoffpartikel (31), insbesondere nur einer Art, umfasst und zumindest stellenweise auf der Lichtdurchtrittsflache (12a) angeordnet ist, wobei die Leuchtstoffpartikel (31) das blau-grüne Licht (4) zumindest teilweise in ein rotes Licht (5) konvertieren und das optoelektronische Bauelement ein weißes Mischlicht (6), das nicht-konvertierte Teile des blau-grünen Lichts (4) und Teile des roten Lichts (5) enthält, emittiert.
摘要翻译：本发明提供一种光电器件，包括：半导体芯片（12），在（4）和至少一个光通道区域（12A），通过该操作蓝绿光（4）发生期间发出的光的操作发出蓝绿光，和一个转换元件（3）中，磷光体颗粒（31），特别是只有一个类型包括，而在光通过区域（12A）至少局部地被布置，其中，所述磷光体颗粒（31）的蓝 - 绿色光（4）至少部分地（在红光转换5）和光电子器件是白色的混合光（6），蓝 - 绿光（含4）和红色光的部分（5）发射的未转换的部件。

35. 发明申请

WO2014108289A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014108289A1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：PCT/EP2013/077199
申请日：2013-12-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GÖÖTZ, Britta , MÖNCH, Wolfgang , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/18 , C09K11/06 , C08G61/02
CPC分类号： H01L33/502 , C08G61/02 , C08G2261/3142 , C08G2261/3422 , C08G2261/5222 , C08G2261/95 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/56
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, umfassend - eine Vielzahl aktiver Elemente, die beabstandet voneinander angeordnet sind, und - einen Träger, der quer zu den aktiven Elementen angeordnet ist, wobei - die aktiven Elemente jeweils eine Hauptachse aufweisen, die senkrecht zu dem Träger verläuft, - die Hauptachsen parallel zueinander ausgerichtet sind, - zumindest ein Konvertermaterial die Vielzahl aktiver Elemente an den Mantelflächen umgibt, - das Konvertermaterial einen Konversionsstoff oder einen Konversionsstoff und ein Matrixmaterial umfasst - die aktiven Elemente jeweils einen zentralen Kernbereich aufweisen, der mindestens zweischichtig ummantelt ist, wobei eine aktive Schicht den Kernbereich ummantelt und eine Deckschicht die aktive Schicht ummantelt, - wobei der Kernbereich mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - die aktive Schicht ein lichtemittierendes Material umfasst, - die Deckschicht mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist, und - die Deckschicht eine Schichtdicke zwischen 0,1 nm und 100 nm aufweist.
摘要翻译：它是提供一种光电子半导体芯片，包括： - 多个有源元件，它们被彼此间隔开，以及 - 其被横向布置到有源元件的载体，其特征在于， - 所述有源元件的每个具有长轴垂直于所述载体 - 主轴线平行地对准彼此， - 至少一个转换器材料包围所述多个外表面上有源元件， - 所述转换器材料包括转换物质和转换物质和基质材料 - 有源元件的每一个包括一个中央芯区，其上涂覆至少两层，具有形成在第二半导体材料，所述覆盖层 - 其中的活性层包围所述芯区和外层包围所述有源层， - 其中，所述纤芯区域与第一半导体材料形成， - 所述有源层包括发光材料，以及 - 覆盖层具有0.1纳米至100纳米之间的层厚度。

36. 发明申请

WO2014056762A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2014056762A2
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/EP2013/070449
申请日：2013-10-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MANDL, Martin , STRASSBURG, Martin , KÖLPER, Christopher , PFEUFFER, Alexander F. , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/18 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L25/075 , H01L33/24
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/385 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahren umfasst dieses die folgenden Schritte: A) Erzeugen von strahlungsaktiven Inseln (4) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), wobei die Inseln (4) je mindestens eine aktive Zone (33) der Halbleiterschichtenfolge (3) aufweisen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (4), in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 10 ym beträgt, B) Erzeugen einer Trennschicht (5) an einer dem Aufwachssubstrat (2) zugewandten Seite der Inseln (4), wobei die Trennschicht (5) die Inseln (4) ringsum umgibt, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat (2) gesehen, C) Anbringen eines Trägersubstrats (6) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite der Inseln (4), und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von den Inseln (4), wobei bei dem Ablösen mindestens ein Teil der Trennschicht (5) zerstört und/oder mindestens zeitweise erweicht wird.
摘要翻译：在所述方法的至少一个实施例中，它包括以下步骤：A）制备辐射有源岛（4）具有生长衬底（2），其中，所述岛（4）每一个具有在半导体层序列中的至少一个有源区（33）上的半导体层序列（3），（3）具有和形成（5）在（所述生长衬底2）侧朝向岛屿的释放层的岛（4），在平面图中看到的生长衬底上，的纳米和10 YM是在50的平均直径，（B）第4页），其特征在于，包围所述岛（4）圆形（在可见C中的生长衬底2）的俯视图）附接（6）的面向远离一个岛（4）的支撑基板（生长基板2）剥离层（5），和D）从分离的岛屿（4），其中，在所述剥离至少破坏分离层的一个部分（5）和/或至少部分软化的生长衬底（2）。

37. 发明申请

WO2013083438A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013083438A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：PCT/EP2012/073729
申请日：2012-11-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MANDL, Martin , STRASSBURG, Martin , KÖLPER, Christopher , PFEUFFER, Alexander , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/18 , H01L33/42 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/44 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/60
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: - einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und - einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei - zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, - einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, - der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und - die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片，包括： - 所述上侧（1a）中的反射层（2）的多个有源区（1）的布置， - 被布置彼此间隔开;以及多个有源区（1）的其中， - 具有所述有源区中的至少一个（1）具有主延伸方向（R）， - 所述有源区中的一个（1）的芯部，其与第一半导体材料（10）形成， - 所述有源区（1）的有源层（11），至少所述芯区（10）在方向（x，y）的横向于覆盖有源区（1）的主延伸方向（R）， - 覆盖层（12），所述有源区（1），具有第二半导体材料形成，并且所述活性层（11）至少在方向（x，y）的横向于所述主延伸方向的有源区（R）（11）覆盖，并且 - （2）在有源层中的操作的反射的反射层（11）产生的电磁辐射被建立。

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