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21. 发明申请

WO2018005619A1 SYNTHESIS AND PROCESSING OF PURE AND NV NANODIAMONDS AND OTHER NANOSTRUCTURES FOR QUANTUM COMPUTING AND MAGNETIC SENSING APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：量子计算和磁感应应用中纯N和纳米纳米及其他纳米结构的合成和处理
公开(公告)号：WO2018005619A1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：PCT/US2017/039694
申请日：2017-06-28
申请人： NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY
发明人： NARAYAN, Jagdish
IPC分类号： C01B31/06 , C01B31/00 , C01B31/02 , C09K11/65 , C30B29/04 , G01N21/64
CPC分类号： C30B19/00 , C30B11/003 , C30B11/005 , C30B11/006 , C30B13/06 , C30B13/22 , C30B29/04 , C30B29/60 , C30B31/04 , G06N10/00 , H01L29/122 , H01L29/1602
摘要： Using processes disclosed herein, materials and structures are created and used. For example, processes can include melting amorphous carbon doped with nitrogen and carbon-13 into an undercooled state followed by quenching. Materials disclosed herein may include dopants in concentrations exceeding thermodynamic solubility limits.
摘要翻译：使用这里公开的工艺，创建和使用材料和结构。例如，工艺可以包括将掺杂有氮和碳-13的无定形碳熔融成过冷状态，然后淬火。本文公开的材料可以包括浓度超过热力学溶解度极限的掺杂剂。

22. 发明申请

WO2017127081A1 DIAMOND NITROGEN VACANCY SENSOR WITH CIRCUITRY ON DIAMOND 审中-公开
标题翻译：金刚石电路的钻石氮空调传感器
公开(公告)号：WO2017127081A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：PCT/US2016/014291
申请日：2016-01-21
申请人： LOCKHEED MARTIN CORPORATION
发明人： HAHN, Joseph W. , HUYNH, Duc , LEW, Wilbur
IPC分类号： C30B29/04 , G01N21/64
CPC分类号： G01R33/032 , G01R33/0052
摘要： A magnetic sensor assembly includes a base substrate and a material assembly. The material assembly is formed on the base substrate. The material assembly includes an assembly substrate. A magneto-optical defect center material having a plurality of magneto-optical defect centers is formed on the assembly substrate. A radio frequency (RF) excitation source is formed on the magneto-optical defect center material.
摘要翻译：磁传感器组件包括基础衬底和材料组件。材料组件形成在基础衬底上。材料组件包括组装衬底。具有多个磁光缺陷中心的磁光缺陷中心材料形成在组装衬底上。射频（RF）激发源形成在磁光缺陷中心材料上。

23. 发明申请

WO2017112399A1 NITROGEN CONTAINING SINGLE CRYSTAL DIAMOND MATERIALS OPTIMIZED FOR MAGNETOMETRY APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：含氮的单晶金刚石材料优化的磁力测量应用
公开(公告)号：WO2017112399A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/US2016/065091
申请日：2016-12-06
申请人： ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED , ELEMENT SIX TECHNOLOGIES US CORPORATION , LEW, Wilbur , BRUCE, Gregory Scott
发明人： LEW, Wilbur , BRUCE, Gregory Scott , EDMONDS, Andrew Mark , MARKHAM, Matthew Lee , STACEY, Alastair Douglas , DHILLON, Harpreet Kaur
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/04 , C30B33/04
CPC分类号： C30B29/04 , C30B25/02 , C30B33/04
摘要： A single crystal diamond material comprising: neutral nitrogen-vacancy defects (NV 0 ); negatively charged nitrogen-vacancy defects (NV - ); and single substitutional nitrogen defects (N s ) which transfer their charge to the neutral nitrogen- vacancy defects (NV 0 ) to convert them into the negatively charged nitrogen-vacancy defects (NV ), characterized in that the single crystal diamond material has a magnetometry figure of merit (FOM) of at least 2, wherein the magnetometry figure of merit is defined by (I) where R is a ratio of concentrations of negatively charged nitrogen-vacancy defects to neutral nitrogen-vacancy defects ([NV - ]/[NV 0 ]), [NV - ] is the concentration of negatively charged nitrogen- vacancy defects measured in parts-per-million (ppm) atoms of the single crystal diamond material, [NV0] is a concentration of neutral nitrogen-vacancy defects measured in parts-per-million (ppm) atoms of the single crystal diamond material, and T 2 ' is a decoherence time of the NV - defects, where T 2 ' is T 2 * for DC magnetometry or T 2 for AC magnetometry.
摘要翻译：一种单晶金刚石材料，其包含：中性氮空位缺陷（NV 0）; 带负电荷的氮空位缺陷（NV < - > - ）; 和将它们的电荷转移到中性氮空位缺陷（NV 0）上的单取代氮缺陷（N s），以将它们转化为带负电荷的氮空位缺陷（ NV），其特征在于所述单晶金刚石材料具有至少2的磁力测定品质因数（FOM），其中所述磁力测定品质因数由（I）定义，其中R是带负电的氮空位浓度缺陷到中性氮空位缺陷（[NV < - sup> - ] / [NV ^{0 ]），[NV ^{- ]是负电荷以单晶金刚石材料的百万分之一（ppm）原子测量的氮空位缺陷，[NV 0]是以单晶金刚石的百万分之（ppm）原子测量的中性氮空位缺陷的浓度材料和T 2'是NV < - > 缺陷的退相干时间，其中T <2> '是T _{2 > *用于直流磁力测量或T 。}}}

24. 发明申请

WO2017043215A1 ＳｉＣ単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产SiC单晶的方法
公开(公告)号：WO2017043215A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/JP2016/072371
申请日：2016-07-29
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：関　和明 , 楠　一彦 , 谷　小桃 , 藤本　辰雄
IPC分类号： C30B29/36 , C30B29/04
CPC分类号： C30B29/04 , C30B29/36
摘要：溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造方法において、貫通螺旋転位密度が低く、オフ角が４°以下であり、２００μｍ以上の厚さを有するＳｉＣ単結晶を製造する。ＳｉＣ単結晶の製造方法は、坩堝内の原料を加熱して溶融し、ＳｉＣ溶液を生成する工程と、ＳｉＣ種結晶の結晶成長面をＳｉＣ溶液に接触させて、ＳｉＣ種結晶を１００μｍ以上メルトバックする工程と、ＳｉＣ種結晶をメルトバックした後、ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させる工程とを備える。ここで、結晶成長面のオフ角は、０°よりも大きく、且つ、４°以下である。ＳｉＣ単結晶を成長させるときのＳｉＣ溶液の温度は、１６５０℃以上であって、且つ、１８５０℃以下である。ＳｉＣ単結晶を成長させるとき、ＳｉＣ溶液のうち、ＳｉＣ種結晶の直下の温度勾配は、０℃／ｃｍよりも大きく、且つ、１９℃／ｃｍ以下である。
摘要翻译：这是通过溶液生长法制造SiC单晶的方法，具有低螺纹螺旋位错密度，4°以下的偏角和200μm以上的厚度的SiC单晶。该SiC单晶的制造方法包括：在坩埚中加热熔融源以产生SiC溶液的步骤; 使SiC晶种的晶体生长面与SiC溶液接触的步骤，将SiC晶种熔解100μm以上; 以及使SiC晶种上的SiC单晶在熔融SiC晶种后生长的工序。晶体生长面的偏角大于0º和4º以下。生长SiC单晶时SiC溶液的温度为1650º至1850º。当生长SiC单晶时，SiC晶种正下方的SiC溶液的温度梯度大于0℃/ cm，为19℃/ cm以下。

25. 发明申请

WO2017005723A1 SINGLE CRYSTAL SYNTHETIC DIAMOND 审中-公开
标题翻译：单晶合成金刚石
公开(公告)号：WO2017005723A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/EP2016/065784
申请日：2016-07-05
申请人： ELEMENT SIX (UK) LIMITED
发明人： SCHOOFS, Frank , FRANCA, Luiz Fernando Penna , GOULBOURN-LAY, Matthew , O'MALLEY, Dermot Francis
IPC分类号： C30B29/04 , B23B27/20 , C30B33/06
CPC分类号： C30B29/04 , B23B27/20 , C30B33/06
摘要： A single crystal synthetic diamond tool precursor structure, a tool element and a tool are disclosed. The single crystal synthetic diamond has a first surface, wherein the first surface is arranged to align with a holder, and is crystallographically oriented more than 5° away from a major crystallographic plane such that when a chamfer is formed in the single crystal synthetic diamond tool precursor structure at a predetermined angle relative to the first surface to form a tool-working portion, the tool-working portion is oriented within 5° of a tool-working crystallographic geometry.
摘要翻译：公开了单晶合成金刚石工具前体结构，工具元件和工具。单晶合成金刚石具有第一表面，其中第一表面被布置成与保持器对准，并且在结晶学取向与主要结晶平面超过5°，使得当在单晶合成金刚石工具中形成倒角时前体结构相对于第一表面以预定角度形成工具工作部分，工具工作部分定向在工具结晶几何形状的5°内。

26. 发明申请

WO2016203950A9 ダイヤモンド単結晶、工具およびダイヤモンド単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016203950A9
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/JP2016/066178
申请日：2016-06-01
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：山本　佳津子 , 有元　桂子 , 角谷　均
IPC分类号： C30B29/04 , B01J3/06 , B23B27/14 , B23B27/20 , B24B53/047 , C01B31/06
摘要：本ダイヤモンド単結晶は、窒素原子を含むダイヤモンド単結晶であって、窒素原子の濃度は、ダイヤモンド単結晶の結晶方位に沿って、周期的に変化し、結晶方位に沿った一周期の距離の算術平均値Ａaveと、最大値Ａmaxと、最小値Ａminとは、下記式（Ｉ）：　（Ａmax）／１．２５≦（Ａave）≦（Ａmin）／０．７５　（Ｉ）　の関係を満たす。

27. 发明申请

WO2016058037A1 METHOD OF FABRICATING A DIAMOND MEMBRANE 审中-公开
标题翻译：制作金刚石薄膜的方法
公开(公告)号：WO2016058037A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/AU2015/000625
申请日：2015-10-15
申请人： THE UNIVERSITY OF MELBOURNE
发明人： PIRACHA, Afaq Habib , PRAWER, Steven , GANESAN, Kumaravelu , TOMLJENOVIC-HANIC, Snjezana , LAU, Desmond
IPC分类号： C30B25/04 , C30B29/04 , C23C16/27
CPC分类号： C30B25/20 , B23K26/0006 , B23K26/362 , B23K2203/50 , B81C3/001 , B81C2201/0143 , B81C2201/0146 , B81C2201/0187 , B81C2201/0198 , C23C16/042 , C23C16/274 , C23C16/279 , C23C16/4408 , C23C16/56 , C25F3/02 , C30B25/04 , C30B25/18 , C30B29/04 , C30B33/10 , C30B33/12
摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a diamond membrane. The method comprises providing a substrate and a support structure. The substrate comprises a diamond material having a first surface and the substrate further comprises a sub-surface layer that is positioned below the first surface and has a crystallographic structure that is different to that of the diamond material. The sub-surface layer is positioned to divide the diamond material into first and second regions wherein the first region is positioned between the first surface and the sub-surface layer. The support structure also comprises a diamond material and is connected to, and covers a portion of, the first surface of the substrate. The method further comprises selectively removing the second region of the diamond material from the substrate by etching away at least a portion of the sub-surface layer of the substrate.
摘要翻译：本公开提供了制造金刚石膜的方法。该方法包括提供基底和支撑结构。衬底包括具有第一表面的金刚石材料，并且衬底还包括位于第一表面下方并具有不同于金刚石材料的晶体结构的次表面层。子表面层被定位成将金刚石材料分成第一和第二区域，其中第一区域位于第一表面和子表面层之间。支撑结构还包括金刚石材料并且连接到衬底的第一表面并且覆盖衬底的第一表面的一部分。该方法还包括通过蚀刻除去衬底的次表面层的至少一部分来从衬底选择性地去除金刚石材料的第二区域。

28. 发明申请

WO2016024564A1 ダイヤモンド複合体、基板、ダイヤモンド、ダイヤモンドを備える工具およびダイヤモンドの製造方法审中-公开
标题翻译：金刚石复合材料，基材，金刚石，金刚石和金刚石制造工具
公开(公告)号：WO2016024564A1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：PCT/JP2015/072619
申请日：2015-08-10
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：西林　良樹 , 辰巳　夏生 , 角谷　均
IPC分类号： C30B29/04 , C23C16/27
CPC分类号： C30B25/186 , C25F3/02 , C25F5/00 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B31/22 , C30B33/04 , C30B33/06 , C30B33/10
摘要：　基板とダイヤモンド層との分離時間を短縮させることのできるダイヤモンド複合体、基板およびダイヤモンドの製造方法、ならびに前記ダイヤモンド複合体から得られるダイヤモンドおよび前記ダイヤモンドを備える工具を提供する。ダイヤモンド複合体は、主面に溝を有するダイヤモンド種結晶を含む基板と、基板の主面上に形成されたダイヤモンド層と、基板とダイヤモンド層との界面から基板側の一定深さに形成された非ダイヤモンド層とを備える。
摘要翻译：提供如下：金刚石复合体，其能够使得分离基板和金刚石层的时间减少; 基材和金刚石的制造方法; 从金刚石复合体获得的金刚石; 和钻石提供的工具。所述金刚石复合体包括：含有金刚石晶种的衬底，并且在所述衬底的主表面中具有沟槽; 形成在所述基板的主表面上的金刚石层; 以及从衬底和金刚石层的界面在基底侧形成并具有均匀深度的非金刚石层。

29. 发明申请

WO2016021710A1 ダイヤモンドの製造方法、ダイヤモンド、ダイヤモンド複合基板、ダイヤモンド接合基板および工具审中-公开
标题翻译：制造金刚石，金刚石，金刚石复合基板，金刚石粘合基板和工具的方法
公开(公告)号：WO2016021710A1
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：PCT/JP2015/072467
申请日：2015-08-07
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：西林　良樹 , 辰巳　夏生 , 角谷　均 , 仲前　一男
IPC分类号： C30B29/04 , C01B31/06 , C23C16/01 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/56
CPC分类号： C30B25/186 , C01B31/06 , C01B32/25 , C23C14/48 , C23C16/01 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B31/22 , C30B33/00 , C30B33/06
摘要：　短時間で基板とダイヤモンドとを分離でき、かつ、基板とダイヤモンドの分離表面が平坦となるダイヤモンドの製造方法、前記ダイヤモンドの製造方法から得られるダイヤモンド、該ダイヤモンドを用いたダイヤモンド複合基板、ダイヤモンド接合基板及び工具を提供する。気相合成法によるダイヤモンドの製造方法であって、ダイヤモンド種結晶を含む基板を準備する工程と、基板にイオン注入を行うことにより、基板の主面の表面から一定深さに、基板よりも光透過性の低い光吸収層を形成する工程と、基板の主面上に気相合成法によりダイヤモンド層を成長させる工程と、ダイヤモンド層および基板の少なくともいずれかの主面の表面から光を照射し、前記光吸収層に光を吸収させて前記光吸収層を破壊することにより、ダイヤモンド層と基板とを分離する工程とを含む。
摘要翻译：提供：一种用于制造金刚石的方法，其中可以在短时间内分离基底和金刚石，并且基底和金刚石之间的分离表面是平坦的; 通过金刚石制造方法获得的金刚石; 和金刚石复合基板，金刚石粘合基板和使用金刚石的工具。一种通过气相合成制造金刚石的方法，所述方法包括制备包括金刚石晶种的基底的步骤，用于形成光学透明度低于距表面一定深度的基底的光吸收层的步骤通过离子注入衬底中的衬底的主面，通过气相合成在衬底的主面上生长金刚石层的步骤和从金刚石的主面的表面辐射光的步骤层和/或基板，导致光被光吸收层吸收，并破坏光吸收层，从而分离金刚石层和基板。

30. 发明申请

WO2015197632A1 PROCEDE DE FORMATION D'UN MONOCRISTAL DE MATERIAU A PARTIR D'UN SUBSTRAT MONOCRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：从单晶基体形成单晶材料的方法
公开(公告)号：WO2015197632A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/EP2015/064136
申请日：2015-06-23
申请人： UNIV PARIS XIII PARIS-NORD VILLETANEUSE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
发明人： GICQUEL PRADEL, Alix , MEHEDI, Hasan-al , MILLE, Vianney , ACHARD, Jocelyn , BRINZA, Ovidiu , NAAMOUN, Mehdi
IPC分类号： C30B29/04 , C30B25/00 , C30B25/04 , C30B25/18
CPC分类号： C30B29/04 , C30B25/04 , C30B25/186 , C30B25/20
摘要： L'invention concerne un procédé de formation d'un monocristal de matériau à partir d'un substrat monocristallin ayant une surface présentant une alternance de creux et d'élévations, comprenant des étapes de: a) former une couche de monocristal par croissance épitaxiale latérale entre les élévations, b) détecter des zones de défauts dans la couche de monocristal par gravure légère de la couche de monocristal, c) former un masque sur la couche de monocristal entre les zones de défauts détectées, d) graver la couche de monocristal munie du masque, de manière à former des creux dans les zones de défauts de la couche et des élévations hors des zones de défauts de la couche, e) répéter l'étape a).
摘要翻译：本发明涉及一种从具有交替的凹陷和高度的表面的单晶衬底形成材料的单晶的方法，包括以下步骤：a）通过横向外延生长形成单晶层; b）通过单晶层的光蚀刻来检测单晶层中的缺陷区域; c）在检测到的缺陷区域之间的单晶层上形成掩模; d）蚀刻设置有掩模的单晶层，以便在层的缺陷区域和层的缺陷区域外部形成凹凸; 和e）重复步骤a）。

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