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21. 发明申请

WO2011030559A1 不揮発性記憶装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：非挥发性记忆体装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2011030559A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/JP2010/005565
申请日：2010-09-13
申请人：パナソニック株式会社 , 三河巧 , 川島良男
发明人：三河　巧 , 川島　良男
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要：　抵抗変化させるためのブレイク電圧を低電圧化し、かつそのばらつきを抑制することで、メモリの微細化・大容量化を実現することを目的とする。　本発明の不揮発性記憶装置（１０）は、基板（１００）上に形成された下部電極（１０５）と、下部電極（１０５）上に形成され、遷移金属酸化物で構成される第１の抵抗変化層（１０６ａ）と、第１の抵抗変化層（１０６ａ）上に形成され、第１の抵抗変化層（１０６ａ）の遷移金属酸化物よりも酸素含有率が高い遷移金属酸化物で構成される第２の抵抗変化層（１０６ｂ）と、第２の抵抗変化層（１０６ｂ）上に形成された上部電極（１０７）とを備え、第１の抵抗変化層（１０６ａ）と第２の抵抗変化層（１０６ｂ）との界面には段差（１０６ａｘ）がある。第２の抵抗変化層（１０６ｂ）は、この段差（１０６ａｘ）を被覆して形成されかつ段差（１０６ａｘ）の上方に屈曲部（１０６ｂｘ）を有する。
摘要翻译：为了通过降低用于引起电阻变化的击穿电压和通过抑制所述击穿电压的不规则性来获得更小的尺寸和更大的存储容量，公开了一种非易失性存储器件（10），其设置有底部电极（105）），形成在底电极（105）上并由过渡金属氧化物构成的第一可变电阻层（106a），形成在第一可变电阻（100）上的第二可变电阻层（106b）（106a）的过渡金属氧化物的比例高于第一可变电阻层（106a）的过渡金属氧化物的过渡金属氧化物构成，以及形成在第二可变电阻层（106a）上的顶部电极 106b），并且在第一可变电阻层（106a）和第二可变电阻层（106b）之间的界面处存在台阶（106ax）。第二可变电阻层（106b）具有覆盖台阶（106ax）和台阶（106ax）之上的弯曲部分（106bx）。

22. 发明申请

WO2011025882A1 METHODS TO FABRICATE NON-METAL FILMS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING PHYSICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：使用物理蒸气沉积法在半导体基板上制作非金属膜的方法
公开(公告)号：WO2011025882A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/US2010/046813
申请日：2010-08-26
申请人： SEMICAT, INC. , KIM, Jin Hyun , NAM, Michael , PARK, Jae Yeol , PARK, Jonggu
发明人： KIM, Jin Hyun , NAM, Michael , PARK, Jae Yeol , PARK, Jonggu
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： H01L45/1625 , C23C14/0623 , C23C14/35 , C23C14/564 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要： Embodiments of the invention relate generally to semiconductor device fabrication and processes, and more particularly, to methods for implementing arrangements of magnetic field generators configured to facilitate physical vapor deposition ("PVD") and/or for controlling impedance matching associated with a non-metal-based plasma used to modify a non-metal film, such as a chalcogenide-based film.
摘要翻译：本发明的实施例大体上涉及半导体器件制造和工艺，更具体地，涉及用于实现配置成促进物理气相沉积（“PVD”）和/或用于控制与非金属相关联的阻抗匹配的磁场发生器布置的方法用于改性非金属膜的基于等离子体的等离子体，例如基于硫族化物的膜。

23. 发明申请

WO2011025506A1 LOW-POWER NANOSCALE SWITCHING DEVICE WITH AN AMORPHOUS SWITCHING MATERIAL 审中-公开
标题翻译：具有非均质切换材料的低功耗纳米开关器件
公开(公告)号：WO2011025506A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/US2009/055538
申请日：2009-08-31
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. , YANG, Jianhua , WILLIAMS, R. Stanley , RIBEIRO, Gilberto
发明人： YANG, Jianhua , WILLIAMS, R. Stanley , RIBEIRO, Gilberto
IPC分类号： H01H1/021 , H01H1/04
CPC分类号： G11C13/0007 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/1625
摘要： A nanoscale switching device exhibits multiple desired properties including a low switching current level, being electroforming-free, and cycling endurance. The switching device has an active region disposed between two electrodes. The active region contains a switching material capable of transporting dopants under an electric field. The switching material is in an amorphous state and formed by deposition at or below room temperature.
摘要翻译：纳米级开关器件表现出多种所需性能，包括低开关电流电平，无电铸和循环耐久性。开关装置具有设置在两个电极之间的有源区域。有源区域包含能够在电场下输送掺杂剂的开关材料。开关材料处于非晶状态并通过在室温或室温下沉积而形成。

24. 发明申请

WO2011013344A1 抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその書き込み方法审中-公开
标题翻译：可变电阻非易失性存储器件及其相同的写入方法
公开(公告)号：WO2011013344A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/JP2010/004747
申请日：2010-07-26
申请人：パナソニック株式会社 , 池田雄一郎 , 島川一彦 , 神澤好彦 , 村岡俊作 , 加藤佳一
发明人：池田　雄一郎 , 島川　一彦 , 神澤　好彦 , 村岡　俊作 , 加藤　佳一
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0069 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：　本発明に係る抵抗変化型不揮発性記憶装置（１００）は、抵抗変化素子（Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２）と、２端子の電流制御素子（Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２）とを直列に接続してなる複数のメモリセル（Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ２１、Ｍ２２）と、複数のメモリセル（Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ２１、Ｍ２２）を低抵抗状態に変化させる方向の第１電流を制限する電流制限回路（１０５ｂ）と、複数のメモリセル（Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ２１、Ｍ２２）のうちいずれかを低抵抗状態に変化させるとき、当該メモリセルが低抵抗状態へ変化する前の第１期間において、第１電流を増加させるブースト回路（１０５ｄ）とを備える。
摘要翻译：所公开的可变电阻非易失性存储器件（100）具有多个存储单元（M11，M12，M21，M22），每个存储单元包括可变电阻元件（R11，R12，R21，R22）端子电流控制元件（D11，D12，D21，D22）串联连接; 控制第一电流的电流控制电路（105b），其处于使多个存储单元（M11，M12，M21，M22）变为低电阻状态的方向上; 以及升压电路（105d），当所述多个存储单元（M11，M12，M21，M22）中的任一个变为低电阻状态时，在所述存储器之前的第一时间段内增加所述第一电流电池变成低电阻状态。

25. 发明申请

WO2010126232A3 RESISTANCE-VARIABLE MEMORY DEVICE AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR 审中-公开
标题翻译：电阻可变存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010126232A3
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/KR2010002153
申请日：2010-04-08
申请人： IUCF HYU , HONG JIN PYO , DO YOUNG HO , KWAK JUNE-SIK , BAE YOON CHEOL
发明人： HONG JIN PYO , DO YOUNG HO , KWAK JUNE-SIK , BAE YOON CHEOL
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1641 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： Disclosed are a ReRAM, which is a non-volatile memory device, and a production method therefor. A resistance-variable layer, which varies the resistance in accordance with an applied pulse, has a multilayered structure comprising 3 oxide films. Each oxide film consists of an oxide film of the same type as the neighbouring oxide film(s), but the oxygen ratios in the compositions of neighbouring oxide films differ from each other.
摘要翻译：公开了作为非易失性存储器件的ReRAM及其制造方法。根据施加的脉冲改变电阻的电阻变化层具有包含3个氧化物膜的多层结构。每个氧化物膜由与相邻的氧化物膜相同类型的氧化物膜组成，但相邻氧化物膜的组成中的氧气比率彼此不同。

26. 发明申请

WO2010150720A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010150720A1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/JP2010/060425
申请日：2010-06-21
申请人：日本電気株式会社 , 多田宗弘 , 阪本利司 , 波田博光
发明人：多田　宗弘 , 阪本　利司 , 波田　博光
IPC分类号： H01L27/10 , C23C14/08 , H01L21/316 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要：本発明の目的は、十分なスイッチング特性を有する抵抗変素子を有し、かつ高信頼性、高密度性、絶縁特性に優れた半導体装置を提供することである。本発明は、半導体基板上の多層配線層の内部に抵抗変化素子を有する半導体装置であって、前記抵抗変化素子は、第１の電極と、バルブメタルの酸化膜からなる第１のイオン伝導層と、酸素を含む第２のイオン伝導と、第２の電極と、からなるこの順の積層構造を含み、前記多層配線層の配線が前記第１の電極を兼ねる半導体装置である。
摘要翻译：公开了一种半导体器件，其包括具有足够的开关特性并且具有高可靠性，高集成度和优异的绝缘特性的可变电阻元件。具体公开了一种半导体器件，其包括在半导体衬底上的多层布线层内的可变电阻元件。半导体器件的特征在于，可变电阻元件具有层叠结构，其中第一电极，由阀金属的氧化物膜形成的第一离子传导层，含有氧的第二离子传导层和第二电极按顺序层叠，多层布线层中的布线也用作第一电极。

27. 发明申请

WO2010117818A2 CONTROLLED LOCALIZED DEFECT PATHS FOR RESISTIVE MEMORIES 审中-公开
标题翻译：控制电阻式存储器的本地化缺陷状态
公开(公告)号：WO2010117818A2
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/US2010/029278
申请日：2010-03-30
申请人： INTERMOLECULAR, INC. , CHIANG, Tony , MILLER, Michael , PHATAK, Prashant
发明人： CHIANG, Tony , MILLER, Michael , PHATAK, Prashant
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/122 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/10 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1675
摘要： Controlled localized defect paths for resistive memories are described, including a method for forming controlled localized defect paths including forming a first electrode forming a metal oxide layer on the first electrode, masking the metal oxide to create exposed regions and concealed regions of a surface of the metal oxide, and altering the exposed regions of the metal oxide to create localized defect paths beneath the exposed regions.
摘要翻译：描述了用于电阻存储器的受控局部缺陷路径，包括用于形成受控局部缺陷路径的方法，包括形成在第一电极上形成金属氧化物层的第一电极，掩蔽金属氧化物以产生暴露区域和隐藏区域金属氧化物，并且改变金属氧化物的暴露区域以在暴露区域下方产生局部缺陷路径。

28. 发明申请

WO2009113699A1 INFORMATION RECORDING DEVICE AND INFORMATION RECORDING/REPRODUCTION SYSTEM INCLUDING THE SAME 审中-公开
标题翻译：信息记录装置和包括其的信息记录/再现系统
公开(公告)号：WO2009113699A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/JP2009/054978
申请日：2009-03-10
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , ARAKI, Takeshi , TSUKAMOTO, Takayuki , YAMAGUCHI, Takeshi
发明人： ARAKI, Takeshi , TSUKAMOTO, Takayuki , YAMAGUCHI, Takeshi
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： This disclosure provides an information recording device for use in a non-volatile information recording/reproduction system having a high recording density, the device including a resistive material having less phase separation or the like during switching. This disclosure also provides an information recording/reproduction system including the device. This disclosure provides an information recording device including: a pair of electrodes; and a recording layer between the electrodes, the recording layer recording information by its resistance change, the recording layer including at least one of (a) M 3 O z and (b) A x M 3 _ x 0 z as a main component, in (a) and (b), z being a value representing oxygen deficiency from z = 4.5, and in (b), x satisfying 0.00
摘要翻译：本公开提供了一种用于具有高记录密度的非易失性信息记录/再现系统中的信息记录装置，该装置包括在切换期间具有较小相位分离等的电阻材料。本公开还提供了包括该设备的信息记录/再现系统。本公开提供一种信息记录装置，包括：一对电极; （a）和（b）中的（a）M3Oz和（b）AxM3_x0z中的至少一个作为主要成分，记录层通过其电阻变化记录信息，记录层记录信息，z 是从z = 4.5表示氧缺乏的值，在（b）中，x满足0.00

29. 发明申请

WO2009078251A1 スイッチング素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：切换装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2009078251A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/071311
申请日：2008-11-25
申请人：日本電気株式会社 , 伴野直樹
发明人：伴野直樹
IPC分类号： H01L49/00 , H01L27/10 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1625 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616
摘要：　第１電極（１０１）と、第２電極（１０２）と、第１電極（１０１）および第２電極（１０２）の間に配置された複合酸化物イオン伝導層（１０３）とを備える。複合酸化物イオン伝導層（１０３）は、金属酸化物を含む少なくとも２つの酸化物を備えている。また、第１電極（１０１）は、複合酸化物イオン伝導層（１０３）に電子を供給可能としている。また、第２電極（１０２）は、金属を含み、この金属のイオンを複合酸化物イオン伝送層（１０３）に供給可能としている。
摘要翻译：公开了一种开关装置，包括第一电极（101），第二电极（102）和布置在第一电极（101）和第二电极（102）之间的复合氧化物离子传导层（103）。复合氧化物离子传导层（103）含有至少两种包括金属氧化物的氧化物。第一电极（101）能够将电子供给到复合氧化物离子传导层（103）中。第二电极（102）含有金属，能够将该金属的离子供给到复合氧化物离子传导层（103）中。

30. 发明申请

WO2009063950A1 カルコゲナイド膜およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氯化铝薄膜及其制造方法
公开(公告)号：WO2009063950A1
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：PCT/JP2008/070706
申请日：2008-11-13
申请人：株式会社アルバック , 菊地真 , 西岡浩 , 木村勲 , 神保武人 , 鄒弘綱
发明人：菊地真 , 西岡浩 , 木村勲 , 神保武人 , 鄒弘綱
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/06 , H01L45/00
CPC分类号： C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要：　本発明のカルコゲナイド膜は、基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にスパッタリングにより成膜され、融点を降下させる融点降下材料を含むカルコゲン化合物からなる。
摘要翻译：公开了一种硫属化物膜，其形成在通过溅射形成在基板上的绝缘层中的接触孔中，并且由包含降低熔点的熔点降低材料的硫属化合物组成。

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