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21. 发明申请

WO2007040167A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2007040167A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：PCT/JP2006/319430
申请日：2006-09-29
申请人：日本電気株式会社 , 杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇
发明人：杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675
摘要：　ＭＲＡＭは、少なくとも一つのセルアレイを備えるメモリ本体２と、メモリ本体２近傍の磁場を検知して検知信号をメモリ本体２へ出力する磁場検知部４とを具備する。ただし、セルアレイは、自由層として積層フェリ構造体を含む複数の磁気メモリセルを有するメモリ本体２は、検知信号に基づいて、メモリ本体２の所定の動作を停止する。
摘要翻译： MRAM具有至少一个单元阵列的存储器主体（2）和检测存储器主体（2）附近的磁场的磁场检测部（4），并将检测信号输出到存储器主体（2）。在单元阵列中，具有包括多层铁结构的多个磁存储单元作为自由层的存储器主体（2）基于检测信号停止存储器主体（2）的规定的操作。

22. 发明申请

WO2004095464A1 データの読み出し方法が改善された磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：使用改进的数据读出方法的磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2004095464A1
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：PCT/JP2004/005242
申请日：2004-04-13
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
发明人：崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/15 , G11C11/1673
摘要：ＭＲＡＭは、複数のビット線３３と参照ビット線３４と複数のメモリセル２１と複数の参照セル２２と読み出し部１とを具備する。ビット線３３と参照ビット線３４は、Ｙ方向に延伸する。メモリセル２１はビット線３３に、参照セル２２は参照ビット線３４に沿って設ける。メモリセル２１及び参照セル２２は、それぞれ記憶データで磁化方向が反転する自発磁化を有する磁気抵抗素子２７及び参照用磁気抵抗素子２７ｒを備える。読み出し部１は、ビット線３３ｓに接続する第９端子と第１電源に接続した第１０端子とを含む第１抵抗部１１と、参照ビット線３４に接続する第１１端子と第１電源に接続した第１２端子とを含む第２抵抗部１２と、第９端子のセンス電位Ｖｓと第１１端子の参照電位Ｖｒｅｆとを比較する比較部１３とを備える。
摘要翻译： MRAM包括多个位线（33），参考位线（34），多个存储单元（21），多个参考单元（22）和读出区（1）。位线（33）和基准位线（34）在Y方向延伸。存储单元（21）沿着位线（33）布置，而参考单元（22）沿着参考位线（34）布置。存储单元（21）和参考单元（22）分别包括具有用于通过存储数据反转磁化方向的自发磁化的磁阻单元（27）和参考磁阻元件（27r）。读出部分（1）包括：第一电阻部分（11），具有连接到位线（33s）的第九端子和连接到第一电源的第十端子; 具有连接到基准位线（34）的第十一端子的第二电阻部分（12）和连接到第一电源的第十二端子; 以及用于比较第十九端子的检测电位Vs与第十一端子的参考电位Vref的比较部分（13）。

23. 发明申请

WO2009078242A1 不揮発性ラッチ回路及びそれを用いた論理回路审中-公开
标题翻译：非挥发性锁存电路和逻辑电路
公开(公告)号：WO2009078242A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/070986
申请日：2008-11-19
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 根橋竜介
发明人：崎村昇 , 杉林直彦 , 根橋竜介
IPC分类号： H03K3/037 , G11C11/15 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03K3/356 , H03K3/59 , H03K19/096
CPC分类号： G11C11/18 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , H01L27/226 , H01L43/08 , H03K3/45
摘要：不揮発性ラッチ回路は、ラッチ回路１１と、第１磁気抵抗素子１３－１及び第２磁気抵抗素子１３－２と、電流供給部１２とを具備する。ラッチ回路１１は、データを一時的に保持する。第１磁気抵抗素子１３－１及び第２磁気抵抗素子１３－２は、絶縁膜を挟んで積層される第１磁性層と第２磁性層とを含む。電流供給部１２は、ラッチ回路１１の状態に応じて、第１磁気抵抗素子１３－１及び第２磁気抵抗素子１３－２の磁化状態を相補に変化させる。第１磁気抵抗素子１３－１の第１磁性層と第２磁気抵抗素子１３－２の第１磁性層とは直列接続されている。ラッチ回路１１は、磁化状態に対応するデータを、ラッチ回路１１が保持するデータとする機能を有する。
摘要翻译：非易失性锁存电路包括锁存电路（11），第一和第二磁阻元件（13-1,13-2）和电流供应部分（12）。锁存电路（11）临时保存数据。第一和第二磁阻元件（13-1,13-2）各自包括在其间堆叠有绝缘膜的第一和第二磁性层。电流供给部（12）根据锁存电路（11）的状态，互补地改变第一和第二磁阻元件（13-1,13-2）的磁化状态。相应的第一和第二磁阻元件（13-1,13-2）的第一磁性层被串联连接。锁存电路（11）具有锁存电路（11）保持对应于磁化状态的数据的功能。

24. 发明申请

WO2009072511A1 不揮発性ラッチ回路审中-公开
标题翻译：非挥发性电路
公开(公告)号：WO2009072511A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/JP2008/071940
申请日：2008-12-03
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 根橋竜介
发明人：崎村昇 , 杉林直彦 , 根橋竜介
IPC分类号： G11C11/15 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03K3/59 , H03K3/356
CPC分类号： H03K3/45 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/18 , G11C14/0081 , H01L27/11 , H01L27/222 , H01L43/08 , H03K3/356008 , Y10S977/933 , Y10S977/935
摘要：　不揮発性ラッチ回路が、１ビットのデータを保持するようにクロスカップルされた第１及び第２インバータと、それぞれが、第１乃至第３端子を有する第１及び第２磁気抵抗素子と、該１ビットのデータに応答して、第１及び第２磁気抵抗素子の磁化状態を変化させる磁化反転電流を供給するように構成された電流供給回路部とを具備する。第１インバータの電源端子は第１磁気抵抗素子の第１端子に接続され、第２インバータの電源端子は第２磁気抵抗素子の第１端子に接続されている。電流供給回路部は、第１及び第２磁気抵抗素子の第２端子に磁化反転電流を供給するように構成されている。第１の磁気抵抗素子の第３端子と、第２磁気抵抗素子の第３端子が電気的に接続されている。
摘要翻译：非易失性锁存电路包括以交叉耦合配置连接以便保持一位数据的第一和第二反相器，每个具有第一至第三端子的第一和第二磁阻元件以及被配置为提供响应于一位数据，用于反转第一和第二磁阻元件的磁化状态的磁化反转电流。第一反相器的电源端子连接到第一磁阻元件的第一端子; 第二反相器的电源端子连接到第二磁阻元件的第一端子。电流供给电路部分被配置为向第一和第二磁阻元件的第二端子提供磁化反转电流。第一和第二磁阻元件的第三端子彼此电连接。

25. 发明申请

WO2009060783A1 ＭＲＡＭの読み出し方法审中-公开
标题翻译： MRAM阅读方法
公开(公告)号：WO2009060783A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/JP2008/069770
申请日：2008-10-30
申请人：日本電気株式会社 , 根橋竜介 , 崎村昇 , 杉林直彦
发明人：根橋竜介 , 崎村昇 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1657 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673
摘要：　磁気ランダムアクセスメモリが、第１方向に延伸して設けられる第１及び第２ビット線と、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子を備える記憶ブロックと、読み出し回路とを具備する。読み出し回路は、第１ビット線に電気的に接続される第１端子と、第２ビット線に電気的に接続される第２端子とを有する。第２端子は、読み出し動作時に定常電流が流れ込まないような高インピーダンスを有する。読み出し回路は、読み出し動作時、第１端子から第１ビット線に読み出し電流を供給する。記憶ブロックは、読み出し動作時、読み出し電流を第１ビット線から磁気抵抗素子に流し、且つ、磁気抵抗素子を第２ビット線に接続するように構成されている。読み出し回路は、第２ビット線を介して第２端子に入力される電圧に応じて読み出し電流を制御する。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括沿第一方向延伸的第一和第二位线，具有用于存储数据的至少一个磁阻元件的存储块和读取电路。该读取电路包括与第一位线电连接的第一端子和与第二位线电连接的第二端子。第二端子具有如此高的阻抗，在读取操作时间没有稳定的电流流动。读取电路在读取操作时间将读取电流从第一端子馈送到第二端子。存储器块被构造为在读取操作时间将读取的电流从第一位线馈送到磁阻元件，并将具有第二位线的磁阻元件。读取电路根据要经由第二位线输入到第二端子的电压来控制读取电流。

26. 发明申请

WO2008047536A1 磁気メモリセルおよび磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁记忆体和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2008047536A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/068522
申请日：2007-09-25
申请人：日本電気株式会社 , 本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
发明人：本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：磁気メモリセル１は強磁性層である磁気記録層１０と非磁性層２０を介して磁気記録層１０に接続されたピン層３０とを備える。磁気記録層１０は磁化反転領域１３と第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２を有する。磁化反転領域１３は反転可能な磁化を有し、ピン層３０と重なる。第１磁化固定領域１１は、磁化反転領域１３の第１境界Ｂ１に接続され、その磁化の向きは第１方向に固定される。第２磁化固定領域１２は、磁化反転領域１３の第２境界Ｂ２に接続され、その磁化の向きは第２方向に固定される。第１方向と第２方向は互いに逆方向を向いている。
摘要翻译：公开了一种包括由铁磁层组成的磁记录层（10）和通过非磁性层（20）连接到磁记录层（10）的引脚层（30）的磁存储单元（1）。磁记录层（10）具有磁化反转区域（13），第一磁化固定区域（11）和第二磁化固定区域（12）。磁化反转区域（13）具有可逆磁化并与引脚层（30）重叠。第一磁化固定区域（11）连接到磁化反转区域（13）的第一边界（B1），并且其磁化沿第一方向固定。第二磁化固定区域（12）连接到磁化反转区域（13）的第二边界（B2），并且其磁化固定在第二方向上。第一方向和第二方向彼此相反。

27. 发明申请

WO2007142138A1 ２T２MTJセルを用いたMRAM 审中-公开
标题翻译： MRAM使用2T2MTJ细胞
公开(公告)号：WO2007142138A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/JP2007/061189
申请日：2007-06-01
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
发明人：崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要：　本発明による磁気ランダムアクセスメモリは、第１方向へ延在する複数の第１配線及び複数の第２配線と、第２方向へ延在する複数の第３配線及び複数の第４配線と、前記複数の第１配線と前記複数の第３配線との交点の各々に対応して設けられた複数のメモリセルとを具備する。前記複数のメモリセルの各々は、前記第１配線と前記第２配線との間に直列に接続され、前記第３配線の信号で制御される第１トランジスタ及び第２トランジスタと、一端を前記第１トランジスタと前記第２トランジスタとをつなぐ書き込み配線に、他端を接地に接続された第１磁気抵抗素子と、一端を前記書き込み配線に、他端を前記第４配線に接続された第２磁気抵抗素子とを含む。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括多个第一布线和沿第一方向延伸的多个第二布线; 多个第三电线和沿第二方向延伸的多个第四电线; 以及放置在所述多个第一布线和所述多个第三布线之间的交叉点处的多个存储单元。多个存储单元各自包括串联连接在第一和第二导线之间并由第三导线的信号控制的第一和第二晶体管; 第一磁阻元件，其一端连接到将第一晶体管连接到第二晶体管并且另一端接地的写入线; 以及第二磁阻元件，其一端连接到写入线并且另一端连接到第四线。

28. 发明申请

WO2007058088A1 半導体集積回路审中-公开
标题翻译：半导体集成电路
公开(公告)号：WO2007058088A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：PCT/JP2006/322185
申请日：2006-11-07
申请人：日本電気株式会社 , 本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦
发明人：本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C11/15 , G05F1/563 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C5/147 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/1697 , Y10T307/826
摘要：電圧生成回路からの基準電圧の長期的な変動を防止することができる半導体集積回路を提供することを課題とする。本発明に係る半導体集積回路は、基準電圧を発生させる電圧生成回路と、その基準電圧を用いて動作する機能回路と、電圧生成回路と機能回路との間の第１ノードに接続された第１容量と、電圧生成回路と第１ノードとの間に設けられたスイッチとを備える。スイッチは、少なくとも機能回路が活性化されている期間中ターンオフされる。
摘要翻译：提供一种能够防止来自电压发生电路的基准电压的长期波动的半导体集成电路。半导体集成电路设置有用于产生参考电压的电压产生电路; 通过使用该参考电压进行操作的功能电路; 连接到电压产生电路和功能电路之间的第一节点的第一电容器; 以及布置在电压产生电路和第一节点之间的开关。至少在功能电路启动期间，开关已关闭。

29. 发明申请

WO2007046491A1 ＭＲＡＭ及びその動作方法审中-公开
标题翻译： MRAM及其操作方法
公开(公告)号：WO2007046491A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/JP2006/320909
申请日：2006-10-20
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
发明人：崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C29/42 , H03M13/15
CPC分类号： H03M13/00 , G06F11/1008 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C2029/0411
摘要：　ＭＲＡＭは、複数のシンボルから構成され、各々のシンボルが複数のビットから構成され、更にシンボル単位での誤り訂正が可能な誤り訂正符号を誤り検出及び誤り訂正に使用するＭＲＡＭである。当該ＭＲＡＭは、前記シンボルのうちのデータシンボルの一部のビットを記憶する第１データセルと、第１データセルから前記一部のビットを読み出し、前記一部のビットに所定のダミービットを付け加えることによって前記データシンボルを再生し、前記再生されたデータシンボルを用いて誤り検出及び誤り訂正を行う周辺回路とを具備する。
摘要翻译： MRAM由多个符号形成。每个符号由多个位形成。 MRAM使用能够在符号单元中进行纠错的纠错码用于错误检测和纠错。 MRAM包括：第一数据单元，用于存储符号中的数据符号的一些位; 以及外围电路，用于通过向所述一些比特添加预定的伪比特并通过使用再现的数据符号来进行错误检测和纠错来再现数据符号。

30. 发明申请

WO2004012199A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2004012199A1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：PCT/JP2003/009547
申请日：2003-07-28
申请人：日本電気株式会社 , 杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇 , 松寺久雄 , 上條敦 , 志村健一 , 森馨
发明人：杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇 , 松寺久雄 , 上條敦 , 志村健一 , 森馨
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16
摘要： A magnetic random access memory includes magnetic structures for memory cells provided at intersections of a plurality of first signal lines and a plurality of second signal lines arranged vertical to the first signal lines. Each of the memory cells includes a magnetoresistive element having a spontaneous magnetization layer whose magnetization direction is reversed by a magnetic field of a first threshold value function or above is applied. In each of the magnetic structures, a magnetic field generated by applying a magnetic field of a second threshold value function or above is stronger than a magnetic field generated by applying a magnetic field below the second threshold value. A first combined magnetic field generated by a selected first and second signal line is applied to the magnetic structure. The element application magnetic field generated by a second combined magnetic field of the first combined magnetic field and the magnetic structure magnetic field has an intensity equal to or greater than the first threshold value function for the selected memory cells and an intensity smaller the first threshold value function for the non-selected memory cells.
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括设置在多条第一信号线和垂直于第一信号线布置的多条第二信号线的交点处的存储单元的磁结构。每个存储单元包括具有自发磁化层的磁阻元件，其磁化方向由施加第一阈值函数或更高的磁场而反转。在每个磁结构中，通过施加第二阈值函数或以上的磁场产生的磁场比通过将磁场施加在第二阈值以下而产生的磁场强。由所选择的第一和第二信号线产生的第一组合磁场被施加到磁性结构。由第一组合磁场和磁结构磁场的第二组合磁场产生的元件施加磁场具有等于或大于所选存储单元的第一阈值函数的强度，并且具有小于第一阈值的强度功能用于未选择的存储单元。

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