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1. 发明申请

WO2004012199A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2004012199A1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：PCT/JP2003/009547
申请日：2003-07-28
申请人：日本電気株式会社 , 杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇 , 松寺久雄 , 上條敦 , 志村健一 , 森馨
发明人：杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇 , 松寺久雄 , 上條敦 , 志村健一 , 森馨
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16
摘要： A magnetic random access memory includes magnetic structures for memory cells provided at intersections of a plurality of first signal lines and a plurality of second signal lines arranged vertical to the first signal lines. Each of the memory cells includes a magnetoresistive element having a spontaneous magnetization layer whose magnetization direction is reversed by a magnetic field of a first threshold value function or above is applied. In each of the magnetic structures, a magnetic field generated by applying a magnetic field of a second threshold value function or above is stronger than a magnetic field generated by applying a magnetic field below the second threshold value. A first combined magnetic field generated by a selected first and second signal line is applied to the magnetic structure. The element application magnetic field generated by a second combined magnetic field of the first combined magnetic field and the magnetic structure magnetic field has an intensity equal to or greater than the first threshold value function for the selected memory cells and an intensity smaller the first threshold value function for the non-selected memory cells.
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括设置在多条第一信号线和垂直于第一信号线布置的多条第二信号线的交点处的存储单元的磁结构。每个存储单元包括具有自发磁化层的磁阻元件，其磁化方向由施加第一阈值函数或更高的磁场而反转。在每个磁结构中，通过施加第二阈值函数或以上的磁场产生的磁场比通过将磁场施加在第二阈值以下而产生的磁场强。由所选择的第一和第二信号线产生的第一组合磁场被施加到磁性结构。由第一组合磁场和磁结构磁场的第二组合磁场产生的元件施加磁场具有等于或大于所选存储单元的第一阈值函数的强度，并且具有小于第一阈值的强度功能用于未选择的存储单元。

2. 发明申请

WO2004030114A1 磁気抵抗素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：磁电装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2004030114A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/011955
申请日：2003-09-19
申请人：日本電気株式会社 , 志村健一 , 上條敦 , 福本能之 , 森馨
发明人：志村健一 , 上條敦 , 福本能之 , 森馨
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：　ＴＭＲ効果を利用する磁気抵抗素子の熱耐性を向上する。ＴＭＲ効果を利用する磁気抵抗素子のＮｅｅｌ効果を抑制する。このため、磁気抵抗素子は，強磁性体で形成された第１強磁性層と，第１強磁性層に接合された，非磁性，且つ絶縁性のトンネルバリア層と，強磁性体で形成され，トンネルバリア層に接合された第２強磁性層と，反強磁性体で形成された反強磁性層とを備えている。第２強磁性層は，トンネルバリア層と反強磁性層との間に位置している。第２強磁性層の表面の任意の位置から前記表面に垂直な方向に引かれた垂線は，第２強磁性層を構成する結晶粒の少なくとも２つを通過する。
摘要翻译：利用TMR效应的磁阻装置具有改善的耐热性和Neel效应的减弱。磁阻装置包括由铁磁材料制成的第一铁磁层，沉积在第一铁磁层上的非磁绝缘隧道势垒层，由铁磁材料制成的第二铁磁层并沉积隧道势垒层，以及由铁磁材料制成的反铁磁层反铁磁材料。第二铁磁层布置在隧道势垒层和反铁磁层之间。从第二铁磁层的表面上的任意点垂直延伸的垂直通过构成第二铁磁层的至少两个晶粒。

3. 发明申请

WO2004055914A1 磁気トンネル素子及びそれを用いた磁気メモリ审中-公开
标题翻译：磁铁隧道装置及磁记录
公开(公告)号：WO2004055914A1
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：PCT/JP2003/016067
申请日：2003-12-16
申请人：日本電気株式会社 , 福本能之 , 志村健一 , 上條敦
发明人：福本能之 , 志村健一 , 上條敦
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： G11B5/3906 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L43/08
摘要：磁気抵抗デバイスは、反強磁性層（５）と、固定強磁性層（２０）と、トンネル絶縁層（９）と、自由強磁性層（２１）とを備える。固定強磁性層（２０）は、反強磁性層（５）に接合され、固定される固定自発磁化を有する。トンネル絶縁層（９）は、固定強磁性層（２０）に接合され、非磁性である。自由強磁性層（２１）は、トンネル絶縁層（９）に接合され、反転可能な自由自発磁化を有する。固定強磁性層（２０）は、反強磁性層（５）を構成する材料の少なくとも一種がトンネル絶縁層（９）へ拡散することを防止する第１複合磁性層（６）を備える。
摘要翻译：磁阻装置包括反铁磁层（5），固定铁磁层（20），隧道绝缘层（9）和自由铁磁层（21）。固定的铁磁层（20）与反铁磁层（5）相连并具有固定的自发磁化。隧道绝缘层（9）与固定铁磁层（20）接合并且非磁性。自由铁磁层（21）被连接到隧道绝缘层（9），并且具有可逆的自由自发磁化。固定铁磁层（20）包括用于防止反铁磁性层（5）的构成材料中的至少一种扩散到隧道绝缘层（9）中的第一复合磁性层（6）。

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