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11. 发明申请

WO2016103253A1 DIELECTRIC SUBSTRATE FOR SUPERCONDUCTIVE DEVICE AND SUPERCONDUCTIVE ARTICLE UTILIZING SUCH SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于超导装置的电介质基板和使用这种基板的超导型材
公开(公告)号：WO2016103253A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/IL2015/051233
申请日：2015-12-21
申请人： TECHNOLOGY INNOVATION MOMENTUM FUND (ISRAEL) LIMITED PARTNERSHIP
发明人： DEUTSCHER, Guy , AZOULAY, Mishael , ALMOG, Boaz , SARAF, Amir
IPC分类号： H01L39/24 , H01L39/16 , H01L39/06 , H01L39/08 , C30B15/34 , H01F6/06 , H02H9/02 , H01B12/02
CPC分类号： H01F6/06 , C30B15/34 , C30B23/025 , C30B29/225 , H01F41/048 , H01L39/16 , H01L39/2458 , H02H9/023
摘要： A substrate structure is provided for use in a superconductive device. The substrate structure has two opposite parallel surfaces and is configured for carrying at least one superconductive structure on at least one of these opposite surfaces. The substrate structure comprises a substrate made of a dielectric material composition and having a tape-like shape of a predetermined geometry characterized by a width-thickness aspect ratio of at least 10 and substantial planarity of the opposite parallel surfaces defined by a surface roughness substantially not exceeding 1nm rms.
摘要翻译：提供了用于超导装置的基板结构。衬底结构具有两个相对的平行表面，并且构造成用于在这些相对表面中的至少一个上承载至少一个超导结构。衬底结构包括由介电材料组合物制成的衬底，并且具有预定几何形状的带状形状，其特征在于宽度方面的纵横比至少为10，并且由相对的平行表面的实质平坦度由基本上不是的表面粗糙度超过1nm rms。

12. 发明申请

WO2015116289A3 INTEGRATED SUPERCONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION 审中-公开
标题翻译：集成超导器件和制造方法
公开(公告)号：WO2015116289A3
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/US2014064739
申请日：2014-11-10
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
发明人： WANG CONNIE P , MURPHY PAUL , SULLIVAN PAUL
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号： H01B12/06 , H01B13/30 , H01L39/143 , H01L39/16 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , H01L39/2464 , H01L39/249 , H02H9/023
摘要： An integrated superconductor device may include a substrate base and an intermediate layer disposed on the substrate base and comprising a preferred crystallographic orientation. The integrated superconductor device may further include an oriented superconductor layer disposed on the intermediate layer and a conductive strip disposed on a portion of the oriented superconductor layer, The conductive strip may define a superconductor region of the oriented superconductor layer thereunder, and an exposed region of the oriented superconductor layer adjacent the superconductor region.
摘要翻译：集成超导体器件可以包括衬底基底和设置在衬底基底上并且包括优选晶体取向的中间层。集成超导体装置还可以包括设置在中间层上的定向超导体层和设置在定向超导体层的一部分上的导电条。导电条可以限定其下方的定向超导体层的超导体区域，与超导体区域相邻的取向的超导体层。

13. 发明申请

WO2012165504A1 酸化物超電導薄膜、超電導限流器及び酸化物超電導薄膜の製造方法审中-公开
标题翻译：氧化物超导体薄膜，超导故障电流限制器和制造氧化物超导体薄膜的方法
公开(公告)号：WO2012165504A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/JP2012/063988
申请日：2012-05-30
申请人：古河電気工業株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 中尾健吾 , 笠原甫 , 松井正和 , 松井則夫 , 江戸直人 , 熊谷俊弥 , 真部高明 , 相馬貢
发明人：中尾　健吾 , 笠原　甫 , 松井　正和 , 松井　則夫 , 江戸　直人 , 熊谷　俊弥 , 真部　高明 , 相馬　貢
IPC分类号： C30B29/22 , C01G1/00 , C01G3/00 , H01B12/06 , H01B13/00 , H01L39/16
CPC分类号： H01L39/128 , C30B25/02 , C30B29/225 , H01L39/16 , H01L39/2425 , H01L39/2458 , H01L39/2461
摘要：　Ｊｃ特性を向上しつつ、ｎ値特性の低下を抑制する。　単結晶構造を有し、当該単結晶構造の結晶面（３２Ａ）と基板主面（３２Ｂ）が角度を有する基板（３２）と、基板主面（３２Ｂ）上に形成され、結晶面（３２Ａ）に対して垂直方向に軸配向した中間層（３４）と、当該中間層（３４）上に形成され、中間層表面に対して垂直方向にｃ軸配向した酸化物超電導体を主成分として含有する超電導層（３６）と、を備える。
摘要翻译：在改善Jc特性的同时可以防止n值特性的劣化。氧化物超导体薄膜包括：具有单晶结构并具有相对于单晶结构的晶面（32A）成角度的衬底主表面（32B）的衬底（32）; 形成在所述基板主面（32B）上并具有垂直于所述晶面（32A）取向的轴的中间层（34）。以及形成在中间层（34）上并且以c轴垂直于中间层表面取向的氧化物超导体作为主要成分的超导层（36）。

14. 发明申请

WO02009159A2 THIN-FILM METALLIC OXIDE STRUCTURE AND PROCESS FOR FABRICATING SAME 审中-公开
标题翻译：薄膜金属氧化物结构及其制造方法
公开(公告)号：WO02009159A2
公开(公告)日：2002-01-31
申请号：PCT/US2001/022679
申请日：2001-07-19
IPC分类号： H01L21/20 , C30B23/02 , C30B25/02 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L39/24 , H01L41/22 , H01L41/316 , H01L21/00
CPC分类号： C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/32 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01L39/2458 , H01L41/316
摘要： High quality epitaxial layers of metallic oxide materials can be grown overlying large silicon wafers by first growing an accommodating buffer layer on a silicon wafer. The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer.
摘要翻译：通过首先在硅晶片上绘制匹配缓冲层，可以在大的硅晶片下烧制高质量的外延金属氧化物层。匹配缓冲层是单晶氧化物层，通过非晶氧化硅界面层与硅晶片隔开。非晶界面层消散应力并允许拉制高质量单晶氧化物匹配缓冲层。无定形界面层考虑了匹配缓冲层和底层硅衬底之间的任何不匹配。

15. 发明申请

WO1992022426A1 A-AXIS HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING FILMS WITH PREFERENTIAL IN-PLANE ALIGNMENT 审中-公开
标题翻译：具有优选平面内对准的A轴高温超导膜
公开(公告)号：WO1992022426A1
公开(公告)日：1992-12-23
申请号：PCT/US1992004602
申请日：1992-06-01
申请人： SUPERCONDUCTOR TECHNOLOGIES, INC.
发明人： SUPERCONDUCTOR TECHNOLOGIES, INC. , YOUNG, Kwo-Hsiung , SUN, Jonathan, Zan-Hong
IPC分类号： B32B15/00
CPC分类号： H01L39/2458 , C30B23/02 , C30B29/22 , C30B29/225 , Y10S428/93 , Y10S505/701
摘要： An a-axis high temperature superconducting film having preferential in-plane orientation is formed. In the preferred embodiment, an a-axis film has substantial amounts of superconductor (12) oriented with its c-axis in a unified direction parallel to the substrate (16). YBCO on neodium gallate (110) plane has resulted in a high temperature superconductor with over 80 % by volume being a-axis with in-plane orientation. These films are epitaxial. The preferred method of film growth is for in situ growth by a laser ablation. Preferably, the a-axis film is nucleated by laser ablation onto a substrate which is at a temperature of 50 to 100 DEG C less than the optimal substrate temperature for c-axis growth. Optionally, once a-axis nucleation has begun, the substrate temperature may be increased to optimize superconductor properties.
摘要翻译：形成具有优先面内取向的a轴高温超导膜。在优选实施例中，a轴膜具有大量的以其c轴在平行于衬底（16）的统一方向定向的超导体（12）。 YBCO在没食子酸镓（110）面上产生了高温超导体，超过80体积％是具有面内取向的a轴。这些膜是外延的。膜生长的优选方法是通过激光烧蚀进行原位生长。优选地，通过激光烧蚀将a轴膜成核到比c轴生长的最佳衬底温度低50至100℃的衬底上。任选地，一旦开始a轴成核，可以增加衬底温度以优化超导体性质。

16. 发明申请

WO2007018027A1 超電導材料の製造方法审中-公开
标题翻译：生产超导材料的方法
公开(公告)号：WO2007018027A1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：PCT/JP2006/314501
申请日：2006-07-21
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 相馬貢 , 土屋哲男 , 熊谷俊弥
发明人：相馬貢 , 土屋哲男 , 熊谷俊弥
IPC分类号： C01G3/00 , C01G1/00 , H01B12/06 , H01B13/00
CPC分类号： H01L39/2425 , C23C18/1216 , C23C18/1283 , C23C18/14 , H01L39/2458
摘要：【課題】　金属有機化合物の熱分解および超電導物質の熱処理形成を行うに際して、効率よく、性能が高い超電導性材料の製造方法を提供する。【解決手段】　酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を支持体上に塗布し、乾燥させる工程(1)、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程(2)、超電導物質への変換を行う本焼成工程(3)を経てエピタキシャル成長させた超電導コーティング材料を製造するに際し、工程(2)および工程(3)と並行してあるいは工程(2)の前に、紫外光（レーザ、ランプ光）を照射することを特徴とする超電導材料の製造方法。
摘要翻译：公开了一种制造超导材料的方法，其中金属有机化合物的热分解和超导物质的热形成被有效地良好地执行。具体公开了一种制造超导材料的方法，其中通过步骤（1）制备外延生长的超导涂层材料，其中将氧化物形成超导物质的金属的有机化合物溶液施加到支撑体上并在其上干燥，煅烧步骤（2），其中金属有机化合物中的有机组分被热分解，以及用于转化为超导物质的烧成步骤（3）。该超导材料的制造方法的特征在于，在步骤（2）和步骤（3）中或在步骤（2）之前，用紫外线（激光或灯光）照射涂膜。

17. 发明申请

WO2006071899A3 RF-PROPERTIES-OPTIMIZED COMPOSITIONS OF (RE)BA2CU3O7-D THIN FILM SUPERCONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：（RE）BA2CU3O7-D薄膜超导体的射频特性优化组合物
公开(公告)号：WO2006071899A3
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/US2005047147
申请日：2005-12-22
申请人： SUPERCONDUCTOR TECH , MOECKLY BRIAN , WILLEMSEN BALAM , PENG SHING-JEN LUKE , GILANTSEV VIKTOR
发明人： MOECKLY BRIAN , WILLEMSEN BALAM , PENG SHING-JEN LUKE , GILANTSEV VIKTOR
IPC分类号： C04B35/45 , H01B12/00 , H01F6/00 , H01L39/00
CPC分类号： H01L39/143 , C04B35/4508 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H01L39/126 , H01L39/128 , H01L39/2432 , H01L39/2438 , H01L39/2454 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , H01P1/20336 , H01P1/20381 , Y10S505/776 , Y10S505/777 , Y10S505/778 , Y10S505/779 , Y10S505/78 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , Y10T428/266
摘要： The films of this invention are high temperature superconducting (HTS) thin films specifically optimized for microwave and RF applications. In particular, this invention focuses on compositions with a significant deviation from the 1:2:3 stoichiometry in order to create the films optimized for microwave/RF applications. The RF/microwave HTS applications require the HTS thin films to have superior microwave properties, specifically low surface resistance, Rs, and highly linear surface reactance, Xs, i.e. high JIMD. As such, the invention is characterized in terms of its physical composition, surface morphology, superconducting properties, and performance characteristics of microwave circuits made from these films.
摘要翻译：本发明的薄膜是专为微波和RF应用而特别优化的高温超导（HTS）薄膜。特别地，本发明专注于具有与1:2:3化学计量的显着偏差的组合物，以便产生针对微波/ RF应用优化的薄膜。 RF /微波HTS应用需要HTS薄膜具有优异的微波特性，特别是低表面电阻Rs和高线性表面电抗Xs即高JIMD。因此，本发明的特征在于其由这些膜制成的微波电路的物理组成，表面形态，超导特性和性能特征。

18. 发明申请

WO2004059753A1 酸化物超電導薄膜审中-公开
标题翻译：氧化物超薄膜
公开(公告)号：WO2004059753A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/JP2003/016578
申请日：2003-12-24
申请人：東北精機工業株式会社 , 原田啓太郎 , 横尾政好 , 高野祥暢
发明人：原田啓太郎 , 横尾政好 , 高野祥暢
IPC分类号： H01L39/02
CPC分类号： H01L39/2458 , H01L39/2461
摘要：　サファイア基板上に超電導薄膜を作製する条件を容易にする。　サファイア基板（Ｒ−ＡＬ２Ｏ３）上にバッファー層をかいして堆積された酸化物超電導薄膜において、前記バッファー層は、斜方晶のＬｎＡｌＯ３からなり、Ｌｎは元素Ｅｕ，Ｓｍ，Ｙのいずれかであることを特徴とする。
摘要翻译：在更容易的条件下，在蓝宝石衬底上形成超导薄膜。通过缓冲层沉积在蓝宝石衬底（R-Al2O3）上的氧化物超导薄膜的特征在于缓冲层由由LnAlO 3表示的正交晶体组成，其中Ln是Eu，Sm和Y之一。

19. 发明申请

WO2003023094A1 酸化物高温超伝導体およびその作製方法审中-公开
标题翻译：氧化物高温超导体及其生产方法
公开(公告)号：WO2003023094A1
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/JP2002/009049
申请日：2002-09-05
申请人：伊原良子 , 伊原英世 , 伊原英宇 , 伊原玄英 , 伊原智哲 , アシナラヤナンスンダレサン
发明人：アシナラヤナンスンダレサン
IPC分类号： C30B29/22
CPC分类号： H01L39/2461 , C30B23/02 , C30B29/22 , C30B29/225 , H01L39/2458 , Y10S505/782 , Y10S505/783
摘要： An oxide high-temperature superconductor in which an oxide high-temperature superconductive thin film high in crystal perfection and excellent in crystal orientation is formed on a crystal substrate of low dielectric constant and its production method are disclosed. When an oxide high-temperature superconductor in which an oxide high-temperature superconductive thin film containing Ba as a constituent element is formed on a sapphire R-face 1, -1, 0, 2 substrate is produced, a first buffer layer made of CeO3 for relaxing the lattice mismatching between the sapphire R-face 1, -1, 0, 2 substrate and the oxide high-temperature superconductive thin film is formed on the the sapphire R-face 1, -1, 0, 2 substrate, a second buffer layer in which Ba of the oxide high-temperature superconductor is replaced with Sr is formed on the first buffer layer, and an oxide high-temperature superconductive thin film is epitaxially grown on the second buffer layer. Even if the material of the firt buffer layer for relaxing the lattice mismatching of the oxide high-temperature superconductive thin film tends to cause an interface reaction with Ba in the oxide high-temperature superconductive thin film, the second buffer layer prevents the interface reaction, thereby epitaxially growing an oxide high-temperature superconductive thin film excellent in crystal perfection and crystal orientation.
摘要翻译：公开了一种氧化物高温超导体，其中在低介电常数的晶体基板上形成晶体完整且晶体取向优异的氧化物高温超导薄膜及其制造方法。当在蓝宝石R面1，...，0,2衬底上形成含有Ba作为构成元素的氧化物高温超导薄膜的氧化物高温超导体时，由CeO 3制成的第一缓冲层为了缓和在蓝宝石R面1，...，0,2衬底上形成蓝宝石R面1，...，2，2衬底和氧化物高温超导薄膜之间的晶格不匹配，第二个在第一缓冲层上形成氧化物高温超导体的Ba替代为Sr的缓冲层，在第二缓冲层上外延生长氧化物高温超导薄膜。即使用于缓和氧化物高温超导薄膜的晶格失配的缓冲层的材料也容易在氧化物高温超导薄膜中引起与Ba的界面反应，所以第二缓冲层防止界面反应，从而外延生长晶体完整性和晶体取向优异的氧化物高温超导薄膜。

20. 发明申请

WO00016413A1 SUPERCONDUCTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：超级设备
公开(公告)号：WO00016413A1
公开(公告)日：2000-03-23
申请号：PCT/AU1999/000773
申请日：1999-09-14
IPC分类号： H01L39/24 , H01L39/02 , H01L39/06
CPC分类号： H01L39/2496 , H01L39/2458
摘要： An operative high critical temperature superconducting (HTSC) device (20) and method therefor are provided. The HTSC device (20) includes a niobium inhibitor (24) deposited over selected regions (23) of the surface of a substrate (21). A superconducting material (25) is deposited over substantially the entire surface of the substrate (21). The superconducting material (25) possesses a high resistivity in the selected regions (23) and exhibits superconducting characteristics only in regions (22) in which the niobium inhibitor (24) has not been deposited. In accordance with the method of the present invention, the formation of the (HTSC) device includes the step of providing an atmosphere of argon and oxygen and subjecting the device to RF plasma sputtering at controlled temperature and pressure.
摘要翻译：提供了一种操作性高临界温度超导（HTSC）器件（20）及其方法。 HTSC器件（20）包括沉积在衬底（21）的表面的选定区域（23）上的铌抑制剂（24）。超导材料（25）沉积在基底（21）的基本整个表面上。超导材料（25）在所选择的区域（23）中具有高电阻率，并且仅在没有沉积铌抑制剂（24）的区域（22）中显示出超导特性。根据本发明的方法，（HTSC）器件的形成包括提供氩气和氧气的步骤，并在受控的温度和压力下对器件进行RF等离子体溅射。

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