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11. 发明申请

WO02014815A1 COULOMB BLOCKADE THERMOMETER 审中-公开
标题翻译： COULOMB BLOCKADE温度计
公开(公告)号：WO02014815A1
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：PCT/SE2001/001779
申请日：2001-08-20
IPC分类号： G01K7/01 , G01K7/22 , H01L29/66
CPC分类号： B82Y15/00 , B82Y10/00 , G01K7/226
摘要： The present invention relates to a method for measuring a temperature in a Coulomb blockade thermometer, consisting of tunnel junctions and means for measuring its current-voltage characteristics. The method comprises the step of measuring the third derivative of the current-voltage characteristics, d I/dV , which derivate shows a zero crossing at the voltage which scales linearly depending on the temperature so that said voltage forms a primary thermometer. The invention also relates to a Coulomb blockade thermometer.
摘要翻译：本发明涉及一种用于测量由隧道结组成的库仑阻塞温度计中的温度的方法和用于测量其电流 - 电压特性的装置。该方法包括测量电流 - 电压特性d 3 I / dV 3的三阶导数的步骤，该导数表示在根据温度线性缩放的电压下的过零点，使得所述电压形成主温度计本发明还涉及库仑阻挡温度计。

12. 发明申请

WO2013147291A1 フィルム型サーミスタセンサ审中-公开
标题翻译： FILM型热敏电阻传感器
公开(公告)号：WO2013147291A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2013/059797
申请日：2013-03-25
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：長友　憲昭 , 田中　寛 , 稲場　均 , 久保田　賢治
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： G01K7/226 , G01K1/143 , H01C1/142 , H01C7/008 , H01C17/06513
摘要：表面実装が可能であり、さらにフィルム等に非焼成で直接成膜することができるフィルム型サーミスタセンサを提供する。絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の表面に形成された薄膜サーミスタ部３と、互いに対向した一対の対向電極部４ａを薄膜サーミスタ部の上又は下に配して絶縁性フィルムの表面に形成された一対の表面パターン電極４と、絶縁性フィルムの裏面に一対の表面パターン電極の一部に対向して形成された一対の裏面パターン電極５とを備え、表面パターン電極と裏面パターン電極とが、絶縁性フィルムに貫通状態に形成されたビアホール２ａを介して電気的に接続されている。
摘要翻译：提供一种膜型热敏电阻传感器，其可以被表面安装，并且可以直接形成在膜等上而不烘烤。膜型热敏电阻传感器设置有：绝缘膜（2）; 形成在绝缘膜（2）的顶表面上的薄膜热敏电阻部分（3）; 一对上表面图案电极（4），其中一对相对电极对置在薄膜热敏电阻部分（3）的上方或下方，并且形成在绝缘膜; 以及一对底面图形电极（5），其形成在所述绝缘膜的底面上，以与所述一对上表面图形电极的一部分相对。顶表面图形电极和底面电极通过形成为穿透绝缘膜的通孔（2a）电连接。

13. 发明申请

WO2013147290A1 サーミスタ用金属窒化物膜及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ审中-公开
标题翻译：用于热敏电阻的金属氮化物膜，其制造方法和电影类型的热敏电阻传感器
公开(公告)号：WO2013147290A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2013/059796
申请日：2013-03-25
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：田中　寛 , 藤田　利晃 , 長友　憲昭 , 藤原　和崇 , 稲葉　均
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , C23C14/0641 , G01K7/22 , G01K7/226 , H01C7/04 , H01C17/06513 , H01C17/12
摘要：フィルム等に非焼成で直接成膜することできると共に、耐屈曲性にも優れたサーミスタ用金属窒化物膜及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサを提供する。サーミスタに用いられる金属窒化物膜であって、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であり、Ｘ線回折においてｃ軸配向（００２）の回折ピーク強度に対するａ軸配向（１００）の回折ピーク強度のピーク比（ａ軸配向（１００）の回折ピーク強度／ｃ軸配向（００２）の回折ピーク強度）が、０．１以下である。
摘要翻译：提供一种用于热敏电阻的金属氮化物膜，其能够直接形成在膜等上而不经过燃烧并且具有优异的抗弯曲性，制造金属氮化物膜的工艺和薄膜型热敏电阻传感器。金属氮化物膜用作热敏电阻，并且包含由通式TixAlyNz（0.70 <= y /（x + y）<=0.95,0.4≤z≤0.5，x + y + z表示的金属氮化物） = 1）。金属氮化物具有由六方纤锌矿结构构成的晶体结构作为唯一相。在X射线分析中，分配给a轴取向（100）的衍射峰的强度与分配给c轴取向的衍射峰的强度的峰值比（002）[（a轴的衍射峰强度取向（100））/（c轴取向的衍射峰强度（002））]为0.1以下。

14. 发明申请

WO2013147282A1 温度センサ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：温度传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2013147282A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2013/059786
申请日：2013-03-22
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：長友　憲昭 , 稲葉　均 , 田中　寛
IPC分类号： G01K7/22 , H01C7/04 , H01C17/06 , H01C17/12
CPC分类号： G01K7/226 , C23F1/38 , H01C1/142 , H01C1/148 , H01C7/008 , H01C17/12 , H01C17/288
摘要：ＴｉＡｌＮのサーミスタ材料層に対する電極構造において高温環境下でも高抵抗化し難く、さらにフィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高い温度センサ及びその製造方法を提供する。絶縁性基材２と、該絶縁性基材上に形成された薄膜サーミスタ部３と、互いに対向した一対の対向電極部４ａを薄膜サーミスタ部上に配して絶縁性基材上に形成された一対のパターン電極４とを備え、薄膜サーミスタ部が、ＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成され、パターン電極が、薄膜サーミスタ部上に形成されたＴｉＮの接合層５と、該接合層上に貴金属で形成された電極層６とを有している。
摘要翻译：提供一种温度传感器，其即使在高温环境下也不易受到对于TiAlN热敏电阻材料层的电极结构的电阻的增加的影响; 可以直接形成在薄膜等上而不烘烤; 并且由于具有高耐热性而高度可靠。还提供了一种用于生产温度传感器的方法。温度传感器设置有：绝缘基板（2）; 形成在所述绝缘基板（2）的上方的薄膜热敏电阻部（3）。以及一对图形电极（4），其具有设置在所述薄膜热敏电阻部上并形成在所述绝缘基板上的彼此相对的一对对置电极部（4a）。薄膜热敏电阻部分由TiAlN热敏电阻材料形成，并且图案电极包括形成在薄膜热敏电阻上的TiN接合层（5）和由接合层上的贵金属形成的电极层（6）。

15. 发明申请

WO2012035494A1 PRINTED TEMPERATURE SENSOR 审中-公开
标题翻译：印刷温度传感器
公开(公告)号：WO2012035494A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/IB2011/054001
申请日：2011-09-13
申请人： UNIVERSITY OF CAPE TOWN , BRITTON, David Thomas , HARTING, Margit
发明人： BRITTON, David Thomas , HARTING, Margit
IPC分类号： G01K7/22 , H01C7/04 , H05K3/12 , H01C7/02 , H05K1/16
CPC分类号： H01L35/34 , G01K7/226 , H01C7/04 , H01C7/041 , H01C17/06
摘要： A method of producing a temperature sensing device is provided. The method includes forming at least one silicon layer and at least one electrode or contact to define a thermistor structure. At least the silicon layer is formed by printing, and at least one of the silicon layer and the electrode or contact is supported by a substrate during printing thereof. Preferably, the electrodes or contacts are formed by printing, using an ink comprising silicon particles having a size in the range 10 nanometres to 100 micrometres, and a liquid vehicle composed of a binder and a suitable solvent. In some embodiments the substrate is an object the temperature of which is to be measured. Instead, the substrate may be a template, may be sacrificial, or may be a flexible or rigid material. Various device geometries are disclosed.
摘要翻译：提供一种制造温度感测装置的方法。该方法包括形成至少一个硅层和至少一个电极或触点以限定热敏电阻结构。至少硅层通过印刷形成，并且硅层和电极或接触中的至少一个在其印刷期间由基底支撑。优选地，使用包含尺寸在10纳米至100微米的硅颗粒的油墨和由粘合剂和合适溶剂组成的液体载体通过印刷形成电极或触点。在一些实施例中，衬底是要测量其温度的物体。相反，衬底可以是模板，可以是牺牲的，或者可以是柔性或刚性材料。公开了各种装置几何形状。

16. 发明申请

WO2010016024A1 FREESTANDING CARBON NANOTUBE NETWORKS BASED TEMPERATURE SENSOR 审中-公开
标题翻译：基于碳纳米管的网络温度传感器
公开(公告)号：WO2010016024A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/IB2009/053426
申请日：2009-08-06
申请人： UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI SALERNO , ALTAVILLA, Claudia , BOBBA, Fabrizio , CIAMBELLI, Paolo , CUCOLO, Annamaria , DI BARTOLOMEO, Antonio , GIUBILEO, Filippo , PIANO, Samanta , SANNINO, Diana , SARNO, Maria , SCARFATO, Alessandro
发明人： ALTAVILLA, Claudia , BOBBA, Fabrizio , CIAMBELLI, Paolo , CUCOLO, Annamaria , DI BARTOLOMEO, Antonio , GIUBILEO, Filippo , PIANO, Samanta , SANNINO, Diana , SARNO, Maria , SCARFATO, Alessandro
IPC分类号： G01K7/18 , G01K7/22
CPC分类号： G01K7/186 , B82Y15/00 , G01K7/226 , G01K2211/00
摘要： The present invention introduces a small-size temperature sensor, which exploits a random or oriented network of un-functionalized, single or multi-walled, carbon nanotubes to monitor a wide range of temperatures. Such network is manufactured in the form of freestanding thin film with an electric conductance proven to be a monotonic function of the temperature, above 4.2 K. Said carbon nanotube film is wire-connected to a high precision source-measurement unit, which measures its electric conductance by a standard two or four- probe technique. Said temperature sensor has a low power consumption, an excellent stability and durability, a high sensitivity and a fast response; its manufacturing method is simple and robust and yields low-cost devices. Said temperature sensor, freely scalable in dimension, is suitable for local accurate measurements of rapidly and widely changing temperatures, while introducing a negligible disturb to the measurement environment.
摘要翻译：本发明引入了一种小型温度传感器，其利用非功能化的单壁或多壁碳纳米管的随机或定向网络来监测宽范围的温度。这种网络以独立式薄膜的形式制造，其电导率被证明是高于4.2K的单调功能。所述碳纳米管膜与高精度源测量单元进行导线连接，该单元测量其电电导通过标准的二探针或四探针技术。所述温度传感器具有低功耗，稳定性和耐久性优异，灵敏度高，响应快; 其制造方法简单而鲁棒，产生低成本的器件。所述温度传感器可自由调节尺寸，适用于快速且广泛变化的温度的局部精确测量，同时对测量环境引入可忽略的干扰。

17. 发明申请

WO2009097487A1 TEMPERATURE-DEPENDENT NANOSCALE CONTACT POTENTIAL MEASUREMENT TECHNIQUE AND DEVICE 审中-公开
标题翻译：温度依赖性纳米结构接触式电位测量技术与器件
公开(公告)号：WO2009097487A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/US2009/032545
申请日：2009-01-30
申请人： THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS , KING, William, P.
发明人： KING, William, P.
IPC分类号： G01R31/00
CPC分类号： G01K1/143 , G01K1/146 , G01K7/186 , G01K7/226 , G05D23/1919 , G05D23/24
摘要： The present invention provides a microcantilever capable of independently measuring and/or controlling the electrical potential and/or temperature of a surface with nanometer scale position resolution. The present invention also provides methods of manipulating, imaging, and/or mapping a surface or the properties of a surface with a microcantilever. The microcantilevers of the present invention are also capable of independently measuring and/or controlling the electrical potential and/or temperature of a gas or liquid. The devices and methods of the present invention are useful for applications including gas, liquid, and surface sensing, micro- and nano-fabrication, imaging and mapping of surface contours or surface properties.
摘要翻译：本发明提供一种能够独立地测量和/或控制具有纳米级位置分辨率的表面的电位和/或温度的微悬臂梁。本发明还提供了用微型悬臂梁来操纵，成像和/或映射表面或表面的特性的方法。本发明的微悬臂梁也能够独立地测量和/或控制气体或液体的电位和/或温度。本发明的装置和方法可用于包括气体，液体和表面感测，微观和纳米制造，表面轮廓或表面性质的成像和映射的应用。

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