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11. 发明申请

WO2011095209A1 MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：微光刻投射曝光设备
公开(公告)号：WO2011095209A1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/EP2010/051303
申请日：2010-02-03
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , GÖHNERMEIER, Aksel , FIOLKA, Damian , GRUNER, Toralf
发明人： GÖHNERMEIER, Aksel , FIOLKA, Damian , GRUNER, Toralf
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7025 , G03F7/70233 , G03F7/70566
摘要： Die Erfindung betrifft eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage (600) mit einer Beleuchtungseinrichtung (601) und einem Projektionsobjektiv (602), wobei die Beleuchtungseinrichtung (601) im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (602) eine Objektebene OP des Projektionsobjektivs beleuchtet und das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene (W) abbildet, wobei die Beleuchtung der Objektebene mit linear polarisiertem Licht erfolgt, dessen Wellenlänge kleiner als 15 Nanometer (nm) ist, und wobei das Projektionsobjektiv wenigstens eine Pupille (110, 210, 310, 410, 510) aufweist, wobei wenigstens eine Begrenzungslinie dieser Pupille eine von einer Kreisform abweichende Geometrie aufweist.
摘要翻译：本发明涉及具有照明装置（601）以及投影透镜（602），其中所述照明装置（601）照射所述投射物镜的物平面OP中的投影曝光装置（602）的操作的微光刻投射曝光设备（600）和在该对象平面上的投影透镜（图像平面 W）映射，其中，所述物体面的照明与直线偏振光的波长是小于15纳米（nm），并且其中，所述投射物镜中，至少一个光瞳（110，210，310，410，510），所述进行至少一个边界线此光瞳的形状从圆形形状的几何形状偏离。

12. 发明申请

WO2012041720A2 PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR EUV MICROLITHOGRAPHY AND METHOD FOR MICROLITHOGRAPHIC EXPOSURE 审中-公开
标题翻译： EUV微型摄影用投影曝光装置及微型曝光方法
公开(公告)号：WO2012041720A2
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/EP2011/066104
申请日：2011-09-16
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , BIENERT, Marc , FELDMANN, Heiko , GÖHNERMEIER, Aksel , NATT, Oliver , RUOFF, Johannes
发明人： BIENERT, Marc , FELDMANN, Heiko , GÖHNERMEIER, Aksel , NATT, Oliver , RUOFF, Johannes
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70091 , G03F7/701 , G03F7/70425
摘要： The invention relates to a projection exposure apparatus for EUV microlithography comprising an illumination system (1) for illuminating a pattern and a projection objective (2) for imaging the pattern onto a light-sensitive substrate (5). The projection objective (2) has a pupil plane (30) with an obscuration. The illumination system (1) generates light with an angular distribution. The angular distribution has an illumination pole (35, 36) which extends over a range of polar angles and a range of azimuth angles and within which the light intensity is greater than an illumination pole minimum value. From the illumination pole (35, 36) toward large polar angles a dark zone (41, 42) is excluded within which the light intensity is less than the illumination pole minimum value, and which has in regions a form corresponding to the form of the obscuration of the pupil plane (30).
摘要翻译：本发明涉及一种用于EUV微光刻的投影曝光设备，其包括用于照射图案的照射系统（1）和用于将图案成像到光敏基底（5）上的投影物镜（2）。投影物镜（2）具有遮光的光瞳平面（30）。照明系统（1）产生具有角度分布的光。角度分布具有在极角范围和方位角范围上延伸的照明极（35,36），并且在该范围内光强度大于照明极点最小值。从照明极（35,36）朝向大极角，排除了暗区（41,42），在暗区内光强度小于照明极点最小值，并且在区域中具有对应于照明极的最小值的形式模糊瞳孔飞机（30）。

13. 发明申请

WO2013185822A1 MASKLESS LITHOGRAPHIC APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING AN EXPOSURE PATTERN 审中-公开
标题翻译：用于产生曝光图案的MASKLESS LITHOGRAPHIC装置和方法
公开(公告)号：WO2013185822A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/EP2012/061295
申请日：2012-06-14
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , BODEMANN, Axel , HETZLER, Jochen , GÖHNERMEIER, Aksel
发明人： BODEMANN, Axel , HETZLER, Jochen , GÖHNERMEIER, Aksel
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70291 , G03F7/70308
摘要： The invention relates to a maskless lithographic apparatus (1), comprising: a light modulator (7) having a plurality of micromirrors arranged in a micromirror array for modulating an exposure beam (5) according to an exposure pattern, and an exposure optical system (8) for delivering the modulated exposure beam (5) onto a substrate (2). The apparatus (1) comprises a tilt error compensation unit (15) for compensating for tilt errors of the micromirrors of the micromirror array. The invention also relates to a corresponding method for generating an exposure pattern on a substrate (2), comprising: modulating an exposure beam (5) according to the exposure pattern using a plurality of micromirrors of a micromirror array, and delivering the modulated exposure beam (5) onto a substrate (2) in the form of a beam-spot array (40), wherein at least one of the modulating step and the delivering step comprises compensating for tilt errors of the micromirrors of the micromirror array.
摘要翻译：本发明涉及一种无掩模光刻设备（1），包括：光调制器（7），其具有布置在微镜阵列中的多个微镜，用于根据曝光图案调制曝光光束（5），以及曝光光学系统 8），用于将调制的曝光束（5）输送到衬底（2）上。装置（1）包括用于补偿微镜阵列的微镜的倾斜误差的倾斜误差补偿单元（15）。本发明还涉及用于在衬底（2）上产生曝光图案的相应方法，包括：使用多个微镜阵列的微镜根据曝光图案调制曝光光束（5），并且传送经调制的曝光光束（5）以束 - 点阵列（40）的形式存在于衬底（2）上，其中调制步骤和传送步骤中的至少一个包括补偿微镜阵列的微镜的倾斜误差。

14. 发明申请

WO2012041457A2 PROJECTION EXPOSURE TOOL FOR MICROLITHOGRAPHY AND METHOD FOR MICROLITHOGRAPHIC IMAGING 审中-公开
标题翻译：微刻法投影曝光工具及微刻成像方法
公开(公告)号：WO2012041457A2
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/EP2011/004741
申请日：2011-09-22
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , HETZLER, Jochen , GÖHNERMEIER, Aksel
发明人： HETZLER, Jochen , GÖHNERMEIER, Aksel
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70675 , G01B9/02015 , G01B11/14 , G01B2290/65 , G03F7/70483 , G03F7/70616 , G03F7/70683 , G03F7/70733 , G03F7/7085 , G03F9/7003 , G03F9/7049
摘要： A projection exposure tool (10) for microlithography for imaging mask structures (22) of an image-providing substrate (20) onto a substrate (30) to be structured comprises a measuring apparatus (40) which is configured to determine a relative position of measurement structures (32) disposed on a surface of one of the substrates (20; 30) in relation to one another in at least one lateral direction in respect of the substrate surface and to thereby simultaneously measure a number of measurement structures (32) disposed laterally offset in relation to one another.
摘要翻译：用于将用于将图像提供基板（20）的掩模结构（22）成像到要构造的基板（30）上的用于微光刻的投影曝光工具（10）包括测量装置（40），该测量装置被配置为确定在相对于所述衬底表面的至少一个横向方向上相对于彼此确定布置在所述衬底（20; 30）之一的表面上的测量结构（32）的相对位置，并且由此同时测量测量结构（32）的数量相对于彼此侧向偏置。

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