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1. 发明申请

WO2011095209A1 MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：微光刻投射曝光设备
公开(公告)号：WO2011095209A1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/EP2010/051303
申请日：2010-02-03
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , GÖHNERMEIER, Aksel , FIOLKA, Damian , GRUNER, Toralf
发明人： GÖHNERMEIER, Aksel , FIOLKA, Damian , GRUNER, Toralf
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7025 , G03F7/70233 , G03F7/70566
摘要： Die Erfindung betrifft eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage (600) mit einer Beleuchtungseinrichtung (601) und einem Projektionsobjektiv (602), wobei die Beleuchtungseinrichtung (601) im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (602) eine Objektebene OP des Projektionsobjektivs beleuchtet und das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene (W) abbildet, wobei die Beleuchtung der Objektebene mit linear polarisiertem Licht erfolgt, dessen Wellenlänge kleiner als 15 Nanometer (nm) ist, und wobei das Projektionsobjektiv wenigstens eine Pupille (110, 210, 310, 410, 510) aufweist, wobei wenigstens eine Begrenzungslinie dieser Pupille eine von einer Kreisform abweichende Geometrie aufweist.
摘要翻译：本发明涉及具有照明装置（601）以及投影透镜（602），其中所述照明装置（601）照射所述投射物镜的物平面OP中的投影曝光装置（602）的操作的微光刻投射曝光设备（600）和在该对象平面上的投影透镜（图像平面 W）映射，其中，所述物体面的照明与直线偏振光的波长是小于15纳米（nm），并且其中，所述投射物镜中，至少一个光瞳（110，210，310，410，510），所述进行至少一个边界线此光瞳的形状从圆形形状的几何形状偏离。

2. 发明申请

WO2013056981A1 MICROLITHOGRAPHIC EXPOSURE METHOD AND ILLUMINATION DEVICE 审中-公开
标题翻译：微观曝光方法和照明装置
公开(公告)号：WO2013056981A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/EP2012/069621
申请日：2012-10-04
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , SÄNGER, Ingo , SINGER, Wolfgang , GÖHNERMEIER, Aksel , SCHLESENER, Frank
发明人： SÄNGER, Ingo , SINGER, Wolfgang , GÖHNERMEIER, Aksel , SCHLESENER, Frank
IPC分类号： G02F1/01 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70116 , G02F1/0131 , G03F7/70566
摘要： The invention relates to a microlithographic exposure method and to an illumination device. In a microlithographic exposure method an illumination device illuminates an object plane of a projection lens, wherein the object plane is imaged into an image plane of the projection lens (20) by means of the projection lens (20), wherein the illumination device (10) comprises at least one retardation element by means of which, for light impinging on the retardation element, a temporally varying retardation dependent on the location of the impingement can be generated, wherein at least two light rays are directed through different regions of the retardation element, which differ from one another with regard to the retardation respectively generated by the retardation element, and wherein the retardation element is a photoelastic modulator (100).
摘要翻译：本发明涉及微光刻曝光方法和照明装置。在微光刻曝光方法中，照明装置照射投影透镜的物平面，其中通过投影透镜（20）将物平面成像到投影透镜（20）的像平面中，其中照明装置）包括至少一个延迟元件，通过该延迟元件，对于光照射在延迟元件上，可产生取决于冲击位置的随时间变化的延迟，其中至少两个光线被引导通过延迟元件的不同区域，其相对于由相位差元件分别产生的延迟而彼此不同，并且其中延迟元件是光弹性调制器（100）。

3. 发明申请

WO2012041720A2 PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR EUV MICROLITHOGRAPHY AND METHOD FOR MICROLITHOGRAPHIC EXPOSURE 审中-公开
标题翻译： EUV微型摄影用投影曝光装置及微型曝光方法
公开(公告)号：WO2012041720A2
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/EP2011/066104
申请日：2011-09-16
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , BIENERT, Marc , FELDMANN, Heiko , GÖHNERMEIER, Aksel , NATT, Oliver , RUOFF, Johannes
发明人： BIENERT, Marc , FELDMANN, Heiko , GÖHNERMEIER, Aksel , NATT, Oliver , RUOFF, Johannes
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70091 , G03F7/701 , G03F7/70425
摘要： The invention relates to a projection exposure apparatus for EUV microlithography comprising an illumination system (1) for illuminating a pattern and a projection objective (2) for imaging the pattern onto a light-sensitive substrate (5). The projection objective (2) has a pupil plane (30) with an obscuration. The illumination system (1) generates light with an angular distribution. The angular distribution has an illumination pole (35, 36) which extends over a range of polar angles and a range of azimuth angles and within which the light intensity is greater than an illumination pole minimum value. From the illumination pole (35, 36) toward large polar angles a dark zone (41, 42) is excluded within which the light intensity is less than the illumination pole minimum value, and which has in regions a form corresponding to the form of the obscuration of the pupil plane (30).
摘要翻译：本发明涉及一种用于EUV微光刻的投影曝光设备，其包括用于照射图案的照射系统（1）和用于将图案成像到光敏基底（5）上的投影物镜（2）。投影物镜（2）具有遮光的光瞳平面（30）。照明系统（1）产生具有角度分布的光。角度分布具有在极角范围和方位角范围上延伸的照明极（35,36），并且在该范围内光强度大于照明极点最小值。从照明极（35,36）朝向大极角，排除了暗区（41,42），在暗区内光强度小于照明极点最小值，并且在区域中具有对应于照明极的最小值的形式模糊瞳孔飞机（30）。

4. 发明申请

WO2007101860A1 OFF-AXIS-OBJEKTIVE MIT DREHBAREM OPTISCHEN ELEMENT 审中-公开
标题翻译：与旋转光学元件，离轴镜片
公开(公告)号：WO2007101860A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/EP2007/052105
申请日：2007-03-06
申请人： CARL ZEISS SMT AG , PAZIDIS, Alexandra , GÖHNERMEIER, Aksel
发明人： PAZIDIS, Alexandra , GÖHNERMEIER, Aksel
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70308 , G03F7/70983
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Objektiv und ein Verfahren zum Betreiben eines Objektivs, insbesondere eines Projektions- oder Beleuchtungsobjektivs für die Mikrolithografie zur Abbildung eines Retikels auf einen Wafer, mit einer Mehrzahl von optischen Elementen, die entlang eines Strahlengangs angeordnet sind, wobei mindestens ein optisches Element (1) erster Art vorgesehen ist, welches von einem Strahlenbündel nur teilweise bestrahlt wird, wobei das oder mehrere optische Elemente erster Art um die oder parallel zur optischen Achse drehbar gelagert oder positionierbar sind, wobei für jedes optische Element erster Art mindestens zwei, vorzugsweise mehrere Lagerpositionen vorgesehen sind und wobei der Drehwinkel zwischen zwei Lagerpositionen durch die durch das Strahlenbündel bestrahlte Fläche (7) derart definiert ist, dass in den verschiedenen Lagerpositionen die von dem Strahlenbündel bestrahlten Flächen nicht überlappen.
摘要翻译：本发明涉及一种透镜和用于微光刻对掩模版的成像的投影或照明物镜具有多个沿光路设置的光学元件的操作的透镜，特别是在晶片上的方法，其中至少一个光学元件是（1）第一类型的设置，其通过辐射束只照射部分，其中，所述或多个第一类型的光学元件或安装平行于光学轴线旋转或可被定位，其中，多个用于第一类型的至少两个的每一个光学元件，优选提供存储位置，并且其中所述旋转由所述光束的表面照射限定的两个轴承位置之间的角度（7），使得在由所述光束照射的表面的各种存储位置不重叠。

5. 发明申请

WO2004057378A1 BESCHICHTETES OPTISCHES ELEMENT MIT KORREKTURWIRKUNG DURCH ERZEUGUNG EINER SCHICHTDICKENVARIATION ODER BRECHZAHLVARIATION IN DER BESCHICHTUNG 审中-公开
标题翻译：涂校正效果光学元件通过创建一个厚度变化或破坏数变异在涂料
公开(公告)号：WO2004057378A1
公开(公告)日：2004-07-08
申请号：PCT/EP2003/014543
申请日：2003-12-18
申请人： CARL ZEISS SMT AG , REISINGER, Gerd , PAZIDIS, Alexandra , GÖHNERMEIER, Aksel , DINGER, Alexander , PETASCH, Thomas , BÖHM, Thure , BÖRRET, Rainer
发明人： REISINGER, Gerd , PAZIDIS, Alexandra , GÖHNERMEIER, Aksel , DINGER, Alexander , PETASCH, Thomas , BÖHM, Thure , BÖRRET, Rainer
IPC分类号： G02B1/10
CPC分类号： G02B1/18 , C23C14/5873 , G02B1/10 , G03F7/70958
摘要： Ein optisches Element (10; 10') weist einen Elementkörper (12) und eine auf dem Elementkörper (12) aufgebrachte Beschichtung (9; 18) zur Veränderung des Reflexionsvermögens auf. In der Beschichtung werden Korrekturstrukturen (23) zur Korrektur von Abbildungsfehlern erzeugt, z.B. durch lokalen Materialabtrag oder durch lokales Verändern der Brechzahl. Falls die Beschichtung (18) eine nach aussen weisende Abschlussschicht (186) sowie eine oder mehrere zwischen der Abschlussschicht (186) und dem Elementkörper (12) angeordnete Zwischenschichten (181 bis 185) um fasst, so enthält vorzugsweise nicht die Abschlussschicht (186), sondern eine der Zwischenschichten (185) die Korrekturstrukturen (23). Das optische Element (10; 10') ist mechanisch stabiler und kontaminationsbeständiger als optische Elemente, bei denen unmittelbar von dem Elementkörper Material zur Erzielung einer Korrekturwirkung abgetragen wird.
摘要翻译：的光学元件（10; 10“）具有一个元件主体（12）和在元件主体（12）的反射率（9 18）施加的涂层，上的变化。在涂覆修正结构（23）用于成像误差，例如的校正产生通过局部去除材料或通过局部改变折射率。如果涂层（18）具有一个面向外的精加工层（186）和一个或覆盖层（186）和所述元件体之间更多（12），以便词语设置中间层（181〜185），因此优选地不包括所述帽层（186），但是中间层中的一个（185）的修正结构（23）。所述光学元件（10; 10“）是机械上更稳定和污染比其中立即从元件体材料中除去，以获得校正效果的光学元件具有抗性。

6. 发明申请

WO2013185822A1 MASKLESS LITHOGRAPHIC APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING AN EXPOSURE PATTERN 审中-公开
标题翻译：用于产生曝光图案的MASKLESS LITHOGRAPHIC装置和方法
公开(公告)号：WO2013185822A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/EP2012/061295
申请日：2012-06-14
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , BODEMANN, Axel , HETZLER, Jochen , GÖHNERMEIER, Aksel
发明人： BODEMANN, Axel , HETZLER, Jochen , GÖHNERMEIER, Aksel
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70291 , G03F7/70308
摘要： The invention relates to a maskless lithographic apparatus (1), comprising: a light modulator (7) having a plurality of micromirrors arranged in a micromirror array for modulating an exposure beam (5) according to an exposure pattern, and an exposure optical system (8) for delivering the modulated exposure beam (5) onto a substrate (2). The apparatus (1) comprises a tilt error compensation unit (15) for compensating for tilt errors of the micromirrors of the micromirror array. The invention also relates to a corresponding method for generating an exposure pattern on a substrate (2), comprising: modulating an exposure beam (5) according to the exposure pattern using a plurality of micromirrors of a micromirror array, and delivering the modulated exposure beam (5) onto a substrate (2) in the form of a beam-spot array (40), wherein at least one of the modulating step and the delivering step comprises compensating for tilt errors of the micromirrors of the micromirror array.
摘要翻译：本发明涉及一种无掩模光刻设备（1），包括：光调制器（7），其具有布置在微镜阵列中的多个微镜，用于根据曝光图案调制曝光光束（5），以及曝光光学系统 8），用于将调制的曝光束（5）输送到衬底（2）上。装置（1）包括用于补偿微镜阵列的微镜的倾斜误差的倾斜误差补偿单元（15）。本发明还涉及用于在衬底（2）上产生曝光图案的相应方法，包括：使用多个微镜阵列的微镜根据曝光图案调制曝光光束（5），并且传送经调制的曝光光束（5）以束 - 点阵列（40）的形式存在于衬底（2）上，其中调制步骤和传送步骤中的至少一个包括补偿微镜阵列的微镜的倾斜误差。

7. 发明申请

WO2009018911A1 PROJECTION OBJECTIVE FOR MICROLITHOGRAPHY, PROJECTION EXPOSURE APPARATUS, PROJECTION EXPOSURE METHOD AND OPTICAL CORRECTION PLATE 审中-公开
标题翻译：投影曝光法，投影曝光法和光学校正板投影目标
公开(公告)号：WO2009018911A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/EP2008/005898
申请日：2008-07-18
申请人： CARL ZEISS SMT AG , LÖRING, Ulrich , REISINGER, Gerd , STICKEL, Franz-Josef , SCHNEIDER, Sonja , TRENKLER, Johann , KRAUS, Stefan , DÖRING, Gordon , GÖHNERMEIER, Aksel
发明人： LÖRING, Ulrich , REISINGER, Gerd , STICKEL, Franz-Josef , SCHNEIDER, Sonja , TRENKLER, Johann , KRAUS, Stefan , DÖRING, Gordon , GÖHNERMEIER, Aksel
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/14
CPC分类号： G03F7/70983 , G03F1/62 , G03F7/70308 , Y10T428/24612
摘要： A projection objective comprising a plurality of optical elements arranged to image a pattern from an object field in an object surface of the projection objective to an image field in an image surface of the projection objective with electromagnetic operating radiation from a wavelength band around an operating wavelength λ includes an optical correction plate. The optical correction plate has a body made from a material transparent to the operating radiation, the body having a first optical surface, a second optical surface, a plate normal substantially perpendicular to the first and second optical surface, and a thickness profile. The first surface profile and the second surface profile are similar in that the first optical surface has a non-rotationally symmetric aspheric first surface profile with a first peak-to-valley value PV1>λ; the second optical surface has a non-rotationally symmetric aspheric second surface profile with a second peak-to-valley value PV2>λ; and the plate thickness varies by less than 0.1 * (PV1+PV2V2 across the optica! correction piate. The first and second optical surface in combination may induce or correct for a dominant field aberration if the optical correction plate is installed at a position far from the object plane of the projection objective.
摘要翻译：一种投影物镜，包括多个光学元件，所述多个光学元件被布置成将来自所述投影物镜的物体表面中的物体的图案成像到所述投影物镜的图像表面中的图像场，所述投影物镜具有围绕工作波长的波长带的电磁操作辐射？包括光学校正板。光学校正板具有由对工作辐射透明的材料制成的主体，该主体具有第一光学表面，第二光学表面，基本上垂直于第一和第二光学表面的板法线以及厚度轮廓。第一表面轮廓和第二表面轮廓类似于第一光学表面具有第一峰谷值PV1>β的非旋转对称非球面第一表面轮廓; 第二光学表面具有非旋转对称的非球面第二表面轮廓，具有第二峰谷值PV2>θ; 并且板厚度变化小于0.1 *（PV1 + PV2V2跨越光学校正片）。如果光学校正板安装在远离的位置，则组合的第一和第二光学表面可以诱导或校正主要的像差投影物镜的物平面。

8. 发明申请

WO2008116477A1 MICROLITHOGRAPHIC METHOD 审中-公开
标题翻译：微观方法
公开(公告)号：WO2008116477A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/EP2007/002598
申请日：2007-03-23
申请人： CARL ZEISS SMT AG , GÖHNERMEIER, Aksel
发明人： GÖHNERMEIER, Aksel
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/095 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/70425 , G03F7/70466 , G03F7/70558 , H01L21/0274
摘要： A microlithographic method, comprises arranging a substrate in a predetermined position relative to a mask, exposing a first layer of a first photoresist on the substrate with radiation transmitted through the mask such that a total first area of the first layer is exposed to a first radiation dose which is at least equal to a first resist exposure threshold dose of the first photoresist, exposing a second layer of a second photoresist on the substrate with radiation transmitted through the mask such that a total second area of the second layer is exposed to a second radiation dose which is at least equal to a second resist exposure threshold dose of the second photoresist, wherein the second layer is different from the first layer, and wherein the total first area has a size which is at least 1.25 times a size of the second total area.
摘要翻译：微光刻方法包括将衬底相对于掩模布置在预定位置，用辐射透射通过掩模曝光衬底上的第一光致抗蚀剂的第一层，使得第一层的总第一区域暴露于第一辐射剂量，其至少等于第一光致抗蚀剂的第一抗蚀剂曝光阈值剂量，在透射通过掩模的辐射下在衬底上暴露第二光致抗蚀剂的第二层，使得第二层的总第二区域暴露于第二光致抗蚀剂的第二层至少等于所述第二光致抗蚀剂的第二抗蚀剂曝光阈值剂量的辐射剂量，其中所述第二层与所述第一层不同，并且其中所述总第一区域的尺寸为所述第二层的尺寸的至少1.25倍总面积。

9. 发明申请

WO2008080534A1 CATADIOPTRIC PROJECTION OBJECTIVE WITH TILTED DEFLECTING MIRRORS, PROJECTION EXPOSURE APPARATUS, PROJECTION EXPOSURE METHOD, AND MIRROR 审中-公开
标题翻译：投影曝光装置，投影曝光方法和镜像的目标投影目标
公开(公告)号：WO2008080534A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/EP2007/010941
申请日：2007-12-13
申请人： CARL ZEISS SMT AG , MÜLLER, Ralf , GÖHNERMEIER, Aksel , SINGER, Wolfgang
发明人： MÜLLER, Ralf , GÖHNERMEIER, Aksel , SINGER, Wolfgang
IPC分类号： G02B17/08 , G03F7/20
CPC分类号： G02B17/08 , G02B27/286 , G03F7/70225 , G03F7/70566
摘要： A catadioptric projection objective has a plurality of optical elements arranged along an optical axis to image a pattern arranged in an object surface of the projection objective onto an image surface of the projection objective. The optical elements include a concave mirror; a first deflecting mirror tilted relative to the optical axis by a first tilt angle ti about a first tilt axis to deflect light from the object surface towards the concave mirror or to deflect light from the concave mirror towards the image surface; and a second deflecting mirror tilted relative to the optical axis by a second tilt angle t. 2 about a second tilt axis. The first deflecting mirror has a first reflective coating with reflectivity R s 1 (α1) for s-polarized light and a reflectivity R p1 (α1) for p-polarized light incident on the first deflecting miror at first angles of incidence αi from a first range of angles of incidence according to (t 1 -Δα 1 ) ≤ α 1 1 +Δα- 1 ). The second deflecting mirror has a second reflective coating with a reflectivity R s 2 (α2) for s-polarized light and a reflectivity R p 2 (α 2 ) for p-polarized light incident on the second deflecting mirror at second angles of incidence 02 from a second range of angles of incidence according to (t 2 -Δα 2 ) ≤ α 2 ≤ (t 2 +Δα 2 ). A first reflectivity sum, R S PE , for s-polarized light of polar edge rays accumulated upon reflection on the first and second deflecting mirrors is substantially equal to a second reflectivity sum, R P E for p-polarized light of equatorial edge rays accumulated upon reflection on the first and second deflecting mirrors.
摘要翻译：反射折射投射物镜具有沿着光轴布置的多个光学元件，以将布置在投影物镜的物体表面中的图案成像到投影物镜的图像表面上。光学元件包括凹面镜; 第一偏转镜相对于光轴相对于第一倾斜轴线倾斜第一倾斜角度ti，以使来自物体表面的光朝向凹面镜偏转，或使来自凹面镜的光朝向图像表面偏转; 以及第二偏转镜，其相对于所述光轴相对于第二倾斜角度θ2倾斜。第一偏转镜具有第一反射涂层，其具有反射率R 1（＆lt; 1＆gt;

10. 发明申请

WO2008040410A1 MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：微光刻投射曝光设备
公开(公告)号：WO2008040410A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/EP2007/006823
申请日：2007-08-02
申请人： CARL ZEISS SMT AG , GÖHNERMEIER, Aksel , GARREIS, Reiner
发明人： GÖHNERMEIER, Aksel , GARREIS, Reiner
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/70308 , G03F7/706
摘要： Eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage umfaßt ein Immersionsobjektiv (20), mit dem ein Muster (24) auf eine lichtempfindliche Schicht (26) abbildbar ist. Das Immersionsobjektiv (20) ist für einen Immersionsbetrieb ausgelegt, bei dem sich eine Immersionsflüssigkeit (38) zwischen dem Immersionsobjektiv und der lichtempfindlichen befindet. Die Projektionsbelichtungsanlage weist ferner eine Korrektureinrichtung (34) zur Verringerung von Abbildungsfehlern auf, die durch Aufbringen einer Abdeckung (36) verursacht sind, die unmittelbar auf die lichtempfindliche Schicht (26) aufbringbar ist, so daß die Immersionsflüssigkeit (38) die lichtempfindliche Schicht (26) nicht berührt. Die Korrektureinrichtung weist ein Korrekturelement aufweist, das in das Immersionsobjektiv (20) ein- und ausbaubar ist, ohne daß dieses zerlegt werden muß.
摘要翻译：微光刻投射曝光设备包括一个浸没透镜（20），利用该图案（24），可以在感光层（26）上进行成像。浸没物镜（20）被设计用于浸没操作，其中，所述浸没物镜和这之间的浸没液体（38）是光敏感的。投射曝光设备进一步包括被直接施加到感光层（26），使得用于减小由施加的盖（36）的像差的校正装置（34）浸没液体（38）（感光层26 ）不会受到影响。所述校正装置包括校正构件包括其在浸没物镜（20）单取代的并是可移动的，而不后者必须拆卸。

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