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11. 发明申请

WO2009054180A1 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁阻效应元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009054180A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/JP2008/064891
申请日：2008-08-21
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要：　磁気抵抗効果素子は、磁化方向が固定された第１磁化固定層と、磁化方向が可変な第１磁化自由層と、第１磁化固定層と第１磁化自由層とに挟まれた第１非磁性層と、磁化方向が固定された第２磁化固定層と、磁化方向が可変な第２磁化自由層と、第２磁化固定層と第２磁化自由層とに挟まれた第２非磁性層と、を備える。第１磁化固定層と第１磁化自由層は、垂直磁気異方性を有する。一方、第２磁化固定層と第２磁化自由層は、面内磁気異方性を有する。第１磁化自由層と第２磁化自由層は、互いに磁気的に結合している。また、各層に平行な平面において、第２磁化自由層の重心は、第１磁化自由層の重心からずれている。
摘要翻译：磁阻效应元件设置有第一磁化固定层，其中磁化方向是固定的; 第一磁化自由层，其中磁化方向是可变的; 夹在第一磁化固定层和第一磁化自由层之间的第一非磁性层; 第二磁化固定层，其中磁化方向是固定的; 第二磁化自由层，其中磁化是可变的; 以及夹在第二磁化固定层和第二磁化自由层之间的第二非磁性层。第一磁化固定层和第一磁化自由层具有垂直的磁各向异性。第二磁化固定层和第二磁化自由层具有面内磁各向异性。第一磁化自由层和第二磁化自由层彼此磁耦合。在平行于每个层的平坦表面上，第二磁化自由层的重心从第一磁化自由层的重心偏移。

12. 发明申请

WO2009133744A1 磁気記憶素子、及び磁気メモリ审中-公开
标题翻译：磁存储元件和磁记忆
公开(公告)号：WO2009133744A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/JP2009/056480
申请日：2009-03-30
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 石綿延行 , 大嶋則和
发明人：深見俊輔 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 石綿延行 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/18 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L29/66984 , H01L43/08
摘要：　本発明に係る磁気記憶素子、及び磁気メモリは、記憶層と読み出し機構を具備し、前記記憶層は強磁性体から構成され、前記記憶層は第１磁化固定領域と第２磁化固定領域と磁壁領域を具備し、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域は磁壁領域に対して対称方向に固定された磁化を有する。
摘要翻译：磁存储元件和磁存储器分别设置有存储层和读出机构。存储层由铁磁材料构成。存储层设置有第一磁化固定区域，第二磁化固定区域和磁壁区域。第一磁化固定区域和第二磁化固定区域在相对于磁壁区域对称的方向上固定磁化。

13. 发明申请

WO2009104427A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009104427A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2009/050185
申请日：2009-01-09
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/222 , Y10S977/933 , Y10S977/935
摘要：　ＭＲＡＭは、第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと第２磁気抵抗素子を含むリファレンスセルを備える。第１磁気抵抗素子は、第１磁化固定層と、第１磁化自由層と、第１磁化固定層と第１磁化自由層とに挟まれた第１非磁性層と、第２磁化固定層と、第２磁化自由層と、第２磁化固定層と第２磁化自由層とに挟まれた第２非磁性層とを備える。第１磁化固定層と第１磁化自由層は、垂直磁気異方性を有し、第２磁化固定層と第２磁化自由層は、面内磁気異方性を有する。第１磁化自由層と第２磁化自由層は、互いに磁気的に結合している。各層に平行な平面において、第２磁化自由層の重心は、第１磁化自由層の重心から第１方向にずれている。一方、第２磁気抵抗素子は、磁化容易軸が第２方向に平行な第３磁化自由層と、磁化方向が第２方向と直交する第３方向に固定された第３磁化固定層と、第３磁化固定層と第３磁化自由層とに挟まれた第３非磁性層とを備える。第３磁化固定層と第３磁化自由層は、面内磁気異方性を有する。
摘要翻译： MRAM具有包括第一磁阻元件和包括第二磁阻元件的参考元件的存储单元。第一磁阻元件设置有第一磁化固定层，第一磁化自由层，介于第一磁化固定层和第一磁化自由层之间的第一非磁性层，第二磁化固定层，第二磁化自由层和介于第二磁化固定层和第二磁化自由层之间的第二非磁性层。第一磁化固定层和第一磁化自由层具有垂直的磁各向异性，第二磁化固定层和第二磁化自由层具有面内磁各向异性。第一磁化自由层和第二磁化自由层彼此磁耦合。在与各层平行的平面中，第二磁化自由层的重心从第一磁化自由层的重心沿第一方向位移。同时，第二磁阻元件设置有具有平行于第二方向的易磁化轴的第三磁化自由层，具有固定在与第二方向正交的第三方向的磁化方向的第三磁化固定层和第三非磁性层介于第三磁化固定层和第三磁化自由层之间的层。第三磁化固定层和第三磁化自由层具有面内磁各向异性。

14. 发明申请

WO2009037909A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009037909A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/JP2008/062288
申请日：2008-07-07
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木哲広 , 深見俊輔 , 永原聖万 , 大嶋則和 , 石綿延行
发明人：鈴木哲広 , 深見俊輔 , 永原聖万 , 大嶋則和 , 石綿延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要：　磁気ランダムアクセスメモリは、磁気異方性をもつ強磁性層である磁化記録層１０を具備する。磁化記録層１０は、実質的に磁化の固定された二つの磁化固定領域１１ａ、１１ｂと、反転可能な磁化を有する複数の磁化反転領域１３ａ、１３ｂとを備える。二つの磁化固定領域１１ａ、１１ｂの各々は、二つの磁化固定領域１１ａ、１１ｂの他方及び複数の磁化反転領域１３ａ、１３ｂの各々に、複数の磁化反転領域１３ａ、１３ｂの他のものを経由せずに接続されている。複数の磁化反転領域１３ａ、１３ｂの各々は、一端において、二つの磁化固定領域１１ａ、１１ｂ及び複数の磁化反転領域１３ａ、１３ｂの他のものと接続していない。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括用作具有磁各向异性的铁磁层的磁化记录层（10）。磁化记录层（10）包括具有磁化强度基本固定的两个磁化固定区域（11a，11b）和具有可逆磁化强度的多个磁化反转区域（13a，13b）。两个磁化固定区域（11a，11b）中的每一个与两个磁化固定区域（11a，11b）中的另一个和多个磁化反转区域（13a，13b）中的另一个连接，磁化反转区域（13a，13b）。多个磁化反转区域（13a，13b）中的每一个在一端仅与两个磁化固定区域（11a，11b）和多个磁化反转区域（13a，13b）相连接。

15. 发明申请

WO2009019949A1 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO2009019949A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/062300
申请日：2008-07-07
申请人：日本電気株式会社 , 永原聖万 , 深見俊輔 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 石綿延行
发明人：永原聖万 , 深見俊輔 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 石綿延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/14 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：　磁壁移動型のＭＲＡＭ１００は、強磁性層である磁気記録層１０と、磁化の向きが固定された強磁性層である磁気結合層２０とを備える。磁気記録層１０は、第１領域１０－１と、第２領域１０－２と、第１領域１０－１と第２領域１０－２との間をつなぐ磁化反転領域１０－３とを有する。第１領域１０－１は、磁気結合層２０と磁気的に結合し、その磁化の向きは磁気結合層２０によって第１方向に固定される。一方、第２領域１０－２は、磁気結合層２０と磁気的に結合せず、その磁化の向きは第１方向と逆の第２方向である。
摘要翻译：畴壁位移型MRAM（100）具有作为强磁性层的磁记录层（10）和作为具有固定的磁化方向的铁磁层的磁耦合层（20）。磁记录层（10）设置有第一区域（10-1），第二区域（10-2）和连接第一区域（10-1）和第二区域（10-1）的磁化反转区域（10-3）区域（10-2）。第一区域（10-1）与磁耦合层（20）磁耦合，磁耦合层（20）将磁化方向固定到第一方向。第二区域（10-2）不与磁耦合层（20）磁耦合，并且磁化方向是与第一方向相反的第二方向。

16. 发明申请

WO2009122990A1 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁阻效应元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009122990A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056044
申请日：2009-03-26
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：　本発明に係る磁気抵抗効果素子は、少なくとも一部分において垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成された第１強磁性層と第２強磁性層群を備える。第１強磁性層は少なくとも第１磁化固定領域と第２磁化固定領域と磁化自由領域を有する。第２強磁性層群は、少なくとも第２強磁性層と第１結合層を備える。第１磁化固定領域と第２磁化固定領域の磁化は少なくとも一部分において反平行方向に固定された成分を有する。第１磁化固定領域と第２強磁性層の磁化は少なくとも一部分において反平行方向に固定された成分を有する。このような構成により、容易にメモリ状態の初期化が可能な、電流誘起磁壁移動を利用した磁気ランダムアクセスメモリを提供することができる。
摘要翻译：磁阻效应元件配备有由具有至少部分垂直磁各向异性的铁磁材料制成的第一铁磁层和第二铁磁层组。第一铁磁层具有至少第一固定磁化面积，第二固定磁化面积和自由磁化面积。第二铁磁层组配备有至少第二铁磁层和第一耦合层。第一固定磁化区域和第二固定磁化区域的磁化涉及在反平行方向上至少部分地固定的部件。第一固定磁化区域和第二铁磁层的磁化涉及至少部分地在反向平行方向上固定的部件。使用这种配置，可以提供允许在利用电流驱动域壁运动的同时容易地初始化初始状态的磁性随机存取存储器。

17. 发明申请

WO2009110530A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2009110530A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/054127
申请日：2009-03-05
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：　半導体装置は、第１メモリセル９を有する第１磁気ランダムアクセスメモリと、第１メモリセル９と比較して高速で動作する第２メモリセル８を有し、前記第１磁気ランダムアクセスメモリと同一チップ内に設けられた第２磁気ランダムアクセスメモリとを具備する。第１メモリセル９は、スピン注入磁化反転型のＭＲＡＭである。磁化自由層の磁壁の位置に基づいてデータを記憶する。書き込み電流が流れる層と、読出し電流が流れる層とは同一ではない。第２メモリセル８は、電流誘起磁界書き込み型のＭＲＡＭである。書き込み電流で誘起される磁界に基づいてデータを記憶する。
摘要翻译：公开了一种装备有具有第一存储单元（9）的第一磁随机存取存储器的半导体器件和具有以比第一存储单元更高的速度工作的第二存储单元（8）的第二磁随机存取存储器（9），并且设置在与上述第一磁随机存取存储器相同的芯片内。第一存储单元（9）是自旋注入磁化反转型MRAM。基于无磁化层的磁性壁的位置存储数据。写入电流流动的层和读出电流流动的层不相同。第二存储单元（8）是电流感应磁场型MRAM。基于由写入电流引起的磁场存储数据。

18. 发明申请

WO2009060749A1 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009060749A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/JP2008/069498
申请日：2008-10-28
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 大嶋則和
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L27/228
摘要：　磁気抵抗効果素子が、第１磁化自由層と、第２磁化自由層と、第２磁化自由層に隣接して設けられる非磁性層と、非磁性層に隣接して第２磁化自由層とは反対側に設けられる第１磁化固定層とを具備する。第１磁化自由層は、強磁性体から構成され、且つ、膜厚方向の磁気異方性を有する。一方、第２磁化自由層及び第１磁化固定層は、強磁性体から構成され、面内方向の磁気異方性を有する。第１磁化自由層は、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域と第１磁化固定領域と第２磁化固定領域とに接続された磁化自由領域とを有する。磁化自由領域と第２磁化自由層とは、磁気的に結合されている。加えて、磁化自由領域の重心と第２磁化自由層の重心とが面内方向である特定方向にずれて位置している。
摘要翻译：磁阻元件包括：第一自由磁化层; 第二自由磁化层; 布置成与第二自由磁化层相邻的非磁性层; 以及第一固定磁化层，其布置成与所述非磁性层相邻并且在与所述第二自由磁化层相反的一侧。第一自由磁化层由铁磁材料形成，并且在膜厚度方向上具有磁各向异性。另一方面，第二自由磁化层和第一固定磁化层由铁磁材料形成，并且在面内方向上具有磁各向异性。第一自由磁化层具有：第一固定磁化区; 第二固定磁化区; 以及连接到第一固定磁化区域和第二固定磁化区域的自由磁化区域。自由磁化区域磁耦合到第二自由磁化区域。此外，自由磁化区域的重心在第二自由磁化层的重心的特定的面内方向上偏移。

19. 发明申请

WO2009037910A1 磁気ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法、及び磁気抵抗効果素子审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器，其写入方法和磁阻效应元件
公开(公告)号：WO2009037910A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/JP2008/062296
申请日：2008-07-07
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 大嶋則和 , 石綿延行
发明人：深見俊輔 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 大嶋則和 , 石綿延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08
摘要：磁気ランダムアクセスメモリは、第１強磁性層１０と、第１強磁性層１０に隣接して設けられる絶縁層２０と、絶縁層２０に隣接して第１強磁性層１０とは反対側に設けられる第１磁化固定層３０とを具備する。第１強磁性層１０は、磁化自由領域１２と第１磁化固定領域１１ａと第２磁化固定領域１１ｂとを備える。磁化自由領域１２は反転可能な磁化を有し第２強磁性層２０とオーバーラップする。第１磁化固定領域１１ａは第１固定磁化を有し磁化自由領域の一部に接続される。第２磁化固定領域１１ｂは第２固定磁化を有し磁化自由領域１２の一部に接続される。第１強磁性層１０は膜面垂直方向への磁気異方性を有する。第１固定磁化と第２固定磁化は、膜面垂直方向で、互いに反平行に固定される。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括第一铁磁层（10），与第一铁磁层（10）相邻设置的绝缘层（20），邻近绝缘层（20）设置的第一固定磁化层（30）到第一铁磁层（10）。第一铁磁层（10）包括自由磁化区（12），第一固定磁化区（11a）和第二固定磁化区（11b）。自由磁化区域（12）具有可逆磁化强度并且与第二铁磁层（20）重叠。第一固定磁化区域（11a）具有第一固定磁化强度并且连接到自由磁化区域的一部分。第二固定磁化区域（11b）具有第二固定磁化强度并连接到自由磁化区域（12）的一部分。第一铁磁层（10）在垂直于膜表面的方向上具有磁各向异性。第一固定磁化和第二固定磁化在垂直于膜表面的方向上彼此反平行固定。

20. 发明申请

WO2009001706A1 磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009001706A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/060993
申请日：2008-06-16
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行
发明人：深見俊輔 , 石綿延行
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01L27/228
摘要：　磁気抵抗効果素子が、磁化自由層と、磁化自由層に隣接して設けられるスペーサ層と、スペーサ層に隣接して磁化自由層とは反対側に設けられる第１の磁化固定層と、磁化自由層に隣接して設けられる少なくとも二つの第２の磁化固定層とを具備する。磁化自由層と第１の磁化固定層と第２の磁化固定層は、膜面に略垂直方向の磁化成分を有する。磁化自由層は、二つの磁化固定部と、二つの磁化固定部の間に配置される磁壁移動部とを有する。磁化自由層を構成する二つの磁化固定部の磁化は、膜面に略垂直方向において互いに略反平行に固定されている。磁壁移動部は、膜面垂直方向の磁気異方性が付与されている。
摘要翻译：公开了一种磁阻元件，其包括磁化自由层，邻近无磁化层布置的间隔层，与磁化自由层的相对侧上的间隔层相邻布置的第一磁化固定层和至少两个第二磁化固定邻近无磁化层布置的层。磁化自由层，第一磁化固定层和第二磁化固定层具有基本上垂直于膜表面的磁化分量。磁化自由层具有两个磁化固定部分和布置在两个磁化固定部分之间的磁畴壁移动部分。磁化自由层的两个磁化固定部分的磁化方向在基本上垂直于膜表面的方向上彼此基本上反平行地固定。磁畴壁运动部分在与膜表面垂直的方向上具有磁各向异性。

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