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101. 发明申请

WO2004065301A1 酸素ラジカル含有カルシウムアルミネート膜の製造方法と積層体审中-公开
标题翻译：含氧氧化铝和铝酸钙的铝酸钙薄膜的制备方法
公开(公告)号：WO2004065301A1
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：PCT/JP2004/000473
申请日：2004-01-21
申请人：電気化学工業株式会社 , 川崎卓 , 伊藤和弘 , 伊吹山正浩
发明人：川崎卓 , 伊藤和弘 , 伊吹山正浩
IPC分类号： C01F7/16
CPC分类号： C04B35/6268 , C04B35/44 , C04B35/6262 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/322 , C04B2235/3222 , C04B2235/5436 , C04B2235/79 , C23C4/11
摘要：高濃度に酸素ラジカルを含有するＣ 12 Ａ 7 を安価に提供する。酸素ラジカル含有カルシウムアルミネート粉末を用いて溶射することを特徴とする酸素ラジカル含有カルシウムアルミネート膜の製造方法であり、好ましくは、酸素ラジカル含有カルシウムアルミネート粉末の酸素ラジカル含有量が１０ 20 ｃｍ -3 以上であることを特徴とする。
摘要翻译：一种制备含有氧自由基的铝酸钙膜的方法，其特征在于，其包括将含有氧自由基的铝酸钙粉末附着于热喷涂。含有氧自由基的铝酸钙粉末优选含有10 20个/ cm 3的氧自由基。该方法允许以低成本高浓度制备含有氧自由基的C12A7。

102. 发明申请

WO2004022269A9 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING THE SIZE OF POWDER PRODUCED BY THE ARMSTRONG PROCESS 审中-公开
标题翻译：用于控制由ARMSTRONG过程产生的粉末尺寸的方法和设备
公开(公告)号：WO2004022269A9
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：PCT/US0327391
申请日：2003-09-03
申请人： INT TITANIUM POWDER LLC , ANDERSON RICHARD , ARMSTRONG DONN , JACOBSEN LANCE
发明人： ANDERSON RICHARD , ARMSTRONG DONN , JACOBSEN LANCE
IPC分类号： C01G23/02 , B01J19/00 , B22F9/28 , C01B21/06 , C04B35/56 , C04B35/58 , C22B34/12
CPC分类号： B82Y30/00 , B22F9/28 , B22F2999/00 , C01B21/06 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C04B35/6264 , C04B35/6268 , C22B34/1268 , B22F2203/03 , B22F1/0011 , B22F2203/01
摘要： A method of controlling the size and morphology of powder made by the subsurface injection of a halide vapor into a liquid metal is disclosed. A reaction zone is established and the temperature thereof or the time the powder remains therein is controlled to change powder characteristics.
摘要翻译：公开了一种控制通过将卤化物蒸汽亚表面注入液态金属而制成的粉末的尺寸和形态的方法。建立反应区并控制其温度或粉末保持在其中的时间以改变粉末特性。

103. 发明申请

WO2003025908A2 UNMAGNETISCHER SINTERKÖRPER AUF DER BASIS VON SIC UND SEINE VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：基于SIC的无磁烧结体及其应用
公开(公告)号：WO2003025908A2
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/EP2002/010521
申请日：2002-09-19
申请人： WACKER-CHEMIE GMBH , KÖLKER, Helmut , SIGL, Lorenz , VICTOR, Georg
发明人： KÖLKER, Helmut , SIGL, Lorenz , VICTOR, Georg
IPC分类号： G11B5/64
CPC分类号： C04B35/565 , C04B35/573 , C04B35/5755 , C04B35/62655 , C04B35/6268 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/38 , C04B2235/3826 , C04B2235/383 , C04B2235/3865 , C04B2235/3891 , C04B2235/402 , C04B2235/421 , C04B2235/422 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/608 , C04B2235/661 , C04B2235/668 , C04B2235/725 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , G11B5/7315 , G11B5/8404
摘要： Keramischer Sinterkörper auf Basis von SiC mit einer Dichte > 95%, der für magnetisch relevante Anwendungen wie beispielsweise Festplattenspeichersubstrat oder Schreib-Lese- Köpfe besonders geeignet ist, dadurch gekennzeichnet, dass er eine Sättigungsmagnetisierung von Ms 3 besitzt und nach einem der folgenden Verfahren hergestellt wurde: a) druckloses Feststoffsintern mit Sinterhilfsmitteln auf Basis von Al/C, Bor/Kohlenstoff oder Aluminium/Bor/Kohlenstoff mit oder ohne eine Nachbehandlung durch Heissisostatisches Pressen b) druckbehaftetes Feststoffsintern mit Sinterhilfsmitteln auf Basis Bor/Kohlenstoff oder Aluminium/Bor/Kohlenstoff c) Flüssigphasensintern mit Sinterhilfsmitteln auf der Basis von Seltenen Erden (insbesondere Y 2 O 3 ) plus A1 2 0 3 und/oder A1N.
摘要翻译：基于SiC的陶瓷烧结体的密度＆gt; 95％，其特别适用于磁性相关应用，例如磁盘存储基板或读/写头，其特征在于其具有Ms < 1.2 MEMU /厘米^{3 根据已经取得了下列方法之一：a）无压力的固体实习用Al / C，硼/碳或铝/硼/碳，基础带有或不带有上烧结助剂通过热等静压b-后处理）与烧结助剂压力影响的固体实习生基于硼/碳或铝/硼/碳C）FL导航用途ssigphasensintern与稀土的基础上的烧结助剂（尤其是ÿ<子> 2 0 <子> 3 ）加A1 _{2 0 _{3 和/或A1N。}}}

104. 发明申请

WO2003006702A1 ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于氧化铝膜形成的氧化铈硅酮靶及其生产方法
公开(公告)号：WO2003006702A1
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：PCT/JP2002/005546
申请日：2002-06-05
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 鈴木了
发明人：入間田修一 , 鈴木了
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C01B35/04 , C04B35/58092 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B2235/3891 , C04B2235/5427 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C22C27/00 , C23C14/0676 , C23C14/08 , H01L21/3145 , H01L21/31604
摘要： A hafnium silicide target for forming a gate oxide film made of HfSi 0.05−0.37 . An HfSiO film usable as a high−dielectric gate insulating film having a characteristic alternative to that of an SiO 2 film, a hafnium silicide target preferably used for forming an HfSiON film and rich in brittleness resistance, and its production method are disclosed.
摘要翻译：用于形成由HfSi <0.05-0.37 制成的栅极氧化膜的铪硅化物靶。可用作具有与SiO 2膜的特性替代的高介电性栅极绝缘膜的HfSiO膜，优选用于形成HfSiON膜并且具有耐脆性的硅铪靶，以及其公开了生产方法。

105. 发明申请

WO2003002483A1 酸化物超電導体の接合方法及び酸化物超電導体接合体审中-公开
标题翻译：氧化物超导体和氧化物超导体接合体的接合方法
公开(公告)号：WO2003002483A1
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：PCT/JP2002/005836
申请日：2002-06-12
申请人：財団法人国際超電導産業技術研究センター , 飯田和昌 , 吉岡順子 , 坂井直道 , 村上雅人
发明人：飯田和昌 , 吉岡順子 , 坂井直道 , 村上雅人
IPC分类号： C04B37/00
CPC分类号： C04B35/6262 , B32B2315/02 , C04B35/4508 , C04B35/6268 , C04B37/005 , C04B2235/3205 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3282 , C04B2235/3291 , C04B2235/408 , C04B2235/80 , C04B2237/04 , H01L39/02 , H01L39/2419 , Y10S428/93 , Y10S505/925
摘要： A method of joining by using a joining material an RE 123-based superconductor base material obtained by a melting method. With a joining surface of an RE 123-based oxide superconductor base material produced by a melting method as (110) and a joining material consisting of an RE 123-based oxide superconducting material lower in melting point than the above RE 123-based oxide superconductor interposed between joining surfaces, the joining material is melted and then solidified to form a joining layer to thereby join base materials to each other. A joining material may include a sintered body, melt-solidified body, powder, slurry or powder molding.
摘要翻译：通过使用通过熔融法获得的RE 123基超导体基材的接合材料进行接合的方法。利用通过熔融法制造的RE 123基氧化物超导体母材的接合面（110）和由熔点比上述RE 123型氧化物超导体的RE 123型氧化物超导材料组成的接合材料插入接合表面之间，将接合材料熔化然后固化以形成接合层，从而将基材彼此接合。接合材料可以包括烧结体，熔融固化体，粉末，浆料或粉末成型。

106. 发明申请

WO2002092535A1 SIALON CERAMICS 审中-公开
标题翻译： SIALON陶瓷
公开(公告)号：WO2002092535A1
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：PCT/NZ2002/000096
申请日：2002-05-15
申请人： INDUSTRIAL RESEARCH LIMITED , WHITE, Geoffrey, Vaughan
发明人： WHITE, Geoffrey, Vaughan
IPC分类号： C04B35/599
CPC分类号： C04B35/565 , C04B35/117 , C04B35/14 , C04B35/488 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6264 , C04B35/6268 , C04B35/62695 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/349 , C04B2235/3826 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/3878 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/668 , C04B2235/761 , C04B2235/766 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/80
摘要： The invention provides a process for the production of sialon ceramic (and a sialon ceramic produced by such a process) comprising or including the steps of: (I) preparing a sialon reactant mixture including or comprising: a) silicon metal; b) clay; and c) a secondary aluminium source; (II) heating the reactant mixture in an atmosphere containing nitrogen gas to a temperature sufficient to substantially react the silicon metal, the secondary aluminium source and the nitrogen with the clay to form or to contribute to the forming of the sialon product; wherein the clay participates in the reaction as a source of aluminium and silicon. Further, the invention provides a method for preparing a sialon ceramic in a predetermined shape.
摘要翻译：本发明提供了一种生产赛隆陶瓷（和通过这种方法生产的赛隆陶瓷）的方法，包括或包括以下步骤：（I）制备赛隆反应物混合物，包括或包含：a）硅金属; b）粘土; 和c）二次铝源; （II）在含有氮气的气氛中加热反应物混合物至足以使硅金属，二次铝源和氮与粘土基本反应的温度，以形成或有助于形成赛隆产品; 其中粘土作为铝和硅的来源参与反应。此外，本发明提供一种制备预定形状的赛隆陶瓷的方法。

107. 发明申请

WO01038616A1 ORGANIC SILICON POLYMER, INORGANIC FIBER WITH SILICON CARBIDE BASE, AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF 审中-公开
标题翻译：有机硅聚合物，具有碳化硅基底的无机纤维及其制造方法
公开(公告)号：WO01038616A1
公开(公告)日：2001-05-31
申请号：PCT/JP2000/008200
申请日：2000-11-21
IPC分类号： C08K3/22 , C08K7/08 , D01F9/08 , D01F9/10 , C08L83/00 , D01F6/94
CPC分类号： C04B35/6325 , C04B35/62281 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3895 , C04B2235/441 , C04B2235/483 , C04B2235/75 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9684 , C08K3/22 , C08K7/08 , D01F9/08 , C08L83/04
摘要： The invention provides an organic silicon polymer containing 1 to 45 percent of metal oxide particles by weight; an inorganic fiber of oxide-containing silicon carbide with a base of the silicon polymer, which is highly oxidation-resistant, particularly in a high-temperature oxidative atmosphere containing moisture; an inorganic fiber with a crystalline silicon carbide base having a sintered structure; and methods of manufacture thereof.
摘要翻译：本发明提供了含有1至45重量％的金属氧化物颗粒的有机硅聚合物; 特别是在含有水分的高温氧化气氛中，含有氧化物的碳化硅的无机纤维与具有高抗氧化性的硅聚合物的基体结合，具有烧结结构的结晶碳化硅基体的无机纤维; 及其制造方法。

108. 发明申请

WO2017010089A1 焼成アパタイトを含む歯表面膜形成用粉体审中-公开
标题翻译：用于形成包括烧制磷灰石的牙齿表面膜的粉末
公开(公告)号：WO2017010089A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/JP2016/003297
申请日：2016-07-12
申请人：株式会社サンギ
发明人：石崎　勉 , 荒川　正嘉 , 太田　一史
IPC分类号： A61K6/033 , A61C5/08
CPC分类号： A61K6/033 , A61K6/0008 , A61K6/0017 , A61K6/0094 , B05B1/3006 , B05D1/12 , B05D2401/32 , C04B35/6262 , C04B35/62665 , C04B35/62675 , C04B35/6268
摘要：粉体を歯表面に対して噴射することにより、歯表面上に膜を形成する装置に使用して、高硬度で、酸に対する溶解度が極めて低い膜を短時間で形成するために好適な、また歯の色調に適合した粉体の膜を短時間で形成するために好適な、歯の主成分であるハイドロキシアパタイト、及び色調調整剤を配合したハイドロキシアパタイトを用いた膜形成用粉体を提供するため、不活性ガス雰囲気で６００～１３５０℃で焼成したハイドロキシアパタイト粉体、及び６００～１３５０℃で焼成したハイドロキシアパタイト粉体に、プラズマ照射、又はプラズマ照射と機械的エネルギーを加えることで得られる粉体、更に、これらのハイドロキシアパタイト粉体に色調調整剤を配合した膜形成用粉体を製造する。
摘要翻译：通过注入
抵住牙齿表面的粉末，使用了一种用于在短时间内在牙齿表面，高硬度上形成膜，溶解度酸非常低的薄膜适合用于形成，也适合于在短时间内粉末组成的薄膜适用于牙齿的颜色，羟基磷灰石是牙齿的主要成分形成，和羟基磷灰石掺混使用色调调整剂是提供一种用于膜的形成，在惰性气体气氛中在600〜1350℃下焙烧羟基磷灰石粉体，并在600〜1350℃下焙烧羟基磷灰石粉体，等离子体照射，或等离子体照射和机械的粉末制造通过添加能量而得到的粉末和在这些羟基磷灰石粉末中配合有色调调整剂的成膜用粉末。

109. 发明申请

WO2016130580A1 METHOD OF FABRICATING TUNGSTEN SCANDATE NANO-COMPOSITE POWDER FOR CATHODES 审中-公开
标题翻译：钨酸盐纳米复合粉末制作方法
公开(公告)号：WO2016130580A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：PCT/US2016/017198
申请日：2016-02-09
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人： LUHMANN, Neville, Jr. , SOEKLAND, Gordon , GAMZINA, Diana , LI, Na
IPC分类号： H01J1/14 , H01J1/28 , H01J1/142
CPC分类号： H01J1/146 , C01G41/006 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C04B35/50 , C04B35/624 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/6268 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/326 , C04B2235/5454 , C04B2235/96 , H01J1/142 , H01J9/04
摘要： Methods for fabricating refractory metal scandate nanocomposite powders with homogeneous microstructured refractory metal grains and a uniform nanosized dispersion of scandia are provided. The powders prepared by the sol-gel methods have a spherical morphology, a narrow distribution of particle sizes and a very uniform dispersion of nanosized scandia particles joined to the tungsten grains. The powder particle sizes can range from nanometers to micrometers. The powders can be pressed into porous cathode structures that can be impregnated with emissive materials to produce high current density and long life cathodes for high-power terahertz vacuum electron devices. The sol-gel fabrication methods allow control over the materials, particle size, particle composition and pore size and distribution of the cathode structure by manipulation of the process parameters.
摘要翻译：提供了具有均质微结构难熔金属颗粒的均匀纳米尺度分散体的难熔金属屑状纳米复合材料粉末的制备方法。通过溶胶 - 凝胶法制备的粉末具有球形形态，粒度分布窄，并且与钨颗粒接合的纳米尺度的颗粒分散体非常均匀。粉末粒度范围可以从纳米到微米。粉末可以压制成可以用发射材料浸渍的多孔阴极结构，以产生高功率太赫兹真空电子器件的高电流密度和长寿命的阴极。溶胶 - 凝胶制造方法允许通过操纵工艺参数来控制材料，粒度，颗粒组成和孔径以及阴极结构的分布。

110. 发明申请

WO2015140230A1 SUPERHARD PCD CONSTRUCTIONS AND METHODS OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：超级PCD构造及其制造方法
公开(公告)号：WO2015140230A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/EP2015/055723
申请日：2015-03-18
申请人： ELEMENT SIX (UK) LIMITED
发明人： CAN, Nedret , NAIDOO, Melisha , VISINTAINER, Carlo
IPC分类号： C04B35/52 , C04B35/645 , B01J3/06 , C22C26/00 , E21B10/00 , C04B37/00
CPC分类号： C04B35/52 , B01J3/062 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/0685 , B22F2005/001 , B22F2207/03 , B24D18/0009 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B2235/425 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/5481 , C04B2235/616 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6581 , C04B2235/723 , C04B2235/786 , C04B2237/363 , C04B2237/64 , C22C26/00 , C22C2204/00
摘要： A polycrystalline super hard construction comprises a body of polycrystalline diamond (PCD) material and a plurality of interstitial regions between inter-bonded diamond grains forming the polycrystalline diamond material. The body of PCD material comprises a working surface positioned along an outside portion of the body, and a first region adjacent the working surface, the first region being a thermally stable region. The first region and/or a further region and/or the body of PCD material has/have an average oxygen content of less than around 300ppm. A method of forming such a construction is also disclosed.
摘要翻译：多晶超硬结构包括多晶金刚石（PCD）材料体和在形成多晶金刚石材料的相互结合的金刚石晶粒之间的多个间隙区域。 PCD材料的主体包括沿着主体的外部部分定位的工作表面和与工作表面相邻的第一区域，第一区域是热稳定区域。 PCD材料的第一区域和/或其它区域和/或主体具有小于约300ppm的平均氧含量。还公开了一种形成这种结构的方法。

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