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1. 发明申请

WO2009015645A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM SCHICHTENSTAPEL 审中-公开
标题翻译：具有层堆栈的光电子器件
公开(公告)号：WO2009015645A2
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/DE2008/001225
申请日：2008-07-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
发明人： AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： Optoelektronisches Bauelement (20) mit einem Schichtenstapel (10), der zumindest folgendes umfasst: eine Schichtenfolge, die eine Halbleiterleuchtdiode (5) darstellt und zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht (2), eine zweite Leuchtdiodenschicht (4) und eine optisch aktive Zone (3) zwischen der ersten (2) und der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) umfasst, wobei die beiden Leuchtdiodenschichten (2, 4) jeweils aus einem III-V-Halbleiter-material gebildet sind, das jeweils mindestens eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium und jeweils mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält, und wobei die erste Leuchtdiodenschicht (2) eine n-dotierte Schicht und die zweite Leuchtdiodenschicht (4) eine p-dotierte Schicht ist, eine silberhaltige metallische Schicht (9) und eine Zwischenschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid, die zwischen der Halbleiterleuchtdiode (15) und der metallischen Schicht (9) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (9) und die Zwischenschicht (8) auf derjenigen Seite der Halbleiterleuchtdiode (15) angeordnet sind, der die p-dotierte zweite Leuchtdiodenschicht (4) zugewandt ist, und dass zwischen der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) und der Zwischenschicht (8) zumindest eine hochdotierte erste Halbleiterschicht (7) angeordnet ist, deren Dotierstoffkonzentration größer ist als die Dotierstoffkonzentration der zweiten Leuchtdiodenschicht (4).
摘要翻译：
包括一个叠层（10），至少包括所述的光电子器件（20）：一个层序列，这是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4）和光学活性区域（3）的第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，其在每种情况下中的至少一个的形成之间包括元素铝，镓和铟和元素氮，磷中的至少一种和砷包含HOLDS，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银设置在半导体发光二极管（15）和金属层（9）之间的透明导电氧化物的金属层（9）和中间层（8） ichnet在于，所述金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）之间和中间层（8）设置有至少一个掺杂浓度大于第二发光二极管层（4）的掺杂浓度的高掺杂第一半导体层（7）

2. 发明申请

WO2009106038A1 HALBLEITERLEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLEUCHTDIODE 审中-公开
标题翻译：半导体发光二极管和方法用于生产半导体发光二极管
公开(公告)号：WO2009106038A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000192
申请日：2009-02-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , BAUR, Johannes , ZEHNDER, Ulrich , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , HAHN, Berthold
发明人： AHLSTEDT, Magnus , BAUR, Johannes , ZEHNDER, Ulrich , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： Es wird eine Halbleiterleuchtdiode (10) vorgeschlagen mit zumindest einer p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4), einer n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2) sowie einer optisch aktiven Zone (3) zwischen der p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4) und der n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2), mit einer Oxidschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid und mit mindestens einer Spiegelschicht (9), wobei die Oxidschicht (8) zwischen den Leuchtdiodenschichten (2, 4) und der mindestens einen Spiegelschicht (9) angeordnet ist und eine erste Grenzfläche (8a), die den Leuchtdiodenschichten (2, 4) zugewandt ist, sowie eine zweite Grenzfläche (8b), die der mindestens einen Spiegelschicht (9) zugewandt ist, aufweist und wobei die zweite Grenzfläche (8b) der Oxidschicht (8) eine geringere Rauhigkeit (R2) besitzt als die erste Grenzfläche (8a) der Oxidschicht (8).
摘要翻译：它是一种半导体发光二极管（10），提出一种包括至少一个p型掺杂的发光层（4），n掺杂发光层（2）和光学活性区域（3）的p型的发光层（4）和n型之间的发光层（2），具有氧化物层（8）由透明导电氧化物和至少一个反射镜层（9），其中，所述氧化物层（8）的发光层之间的（2,4）和所述至少一个反射镜层（9）和一个第一边界表面（8a）的面向所述发光层（2，4），和第二边界表面（8b）的面向所述至少一个反射镜层（9），并且其中，所述第二接口（8b）的氧化物层（8）较低的粗糙度（R2）小于第一边界表面（8a）的氧化物层（8）。

3. 发明申请

WO2009106070A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT TUNNELÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：与隧道过渡和方法光电子半导体本体，其制造方法
公开(公告)号：WO2009106070A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000282
申请日：2009-02-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
发明人： STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/04 , H01L29/88 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/3095 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge angegeben, die einen Tunnelübergang (2) und eine zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (4) aufweist. Der Tunnelübergang weist eine Zwischenschicht (23) zwischen einer n-Typ-Tunnelübergangsschicht (21) und einer p-Typ-Tunnelübergangsschicht (22) auf. Bei einer Ausführungsform weist die Zwischenschicht eine der n-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte n-Barriereschicht (231), eine der p-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte p-Barriereschicht (233) und eine Mittelschicht (232) auf. Die Materialzusammensetzung der Mittelschicht unterscheidet sich von der Materialzusammensetzung der n-Barriereschicht und der p-Barriereschicht. Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Zwischenschicht (23) alternativ oder zusätzlich gezielt mit Störstellen (6) versehen. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines solchen optoelektronischen Halbleiterkörpers angegeben.
摘要翻译：它与外延半导体层序列指定，具有隧道结的光电子半导体主体（2）和用于电磁辐射活性层的发射（4）。隧道结包括一个n型隧道结层（21）和p型隧道结层（22）之间的中间层（23）。在一个实施例中，中间层具有面对正势垒层（231），面向对 - 阻挡层（233）和中间层（232）在p型隧道结层中的一个的n型隧道结层中的一个。中间层的材料组合物，是从n势垒层和p型势垒层的材料组成不同。在另一个实施例中，中间层（23）被替代地或额外地提供有特定杂质（6）。此外，提供了一种用于制造这样的光电子半导体本体的方法。

4. 发明申请

WO2013034485A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2013034485A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/EP2012/066897
申请日：2012-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KATZ, Simeon , GALLER, Bastian , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , DRECHSEL, Philipp , BERGBAUER, Werner , MANDL, Martin
发明人： KATZ, Simeon , GALLER, Bastian , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , DRECHSEL, Philipp , BERGBAUER, Werner , MANDL, Martin
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/42 , H01S5/34333
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, bei dem die aktive Schicht (10) eine Vielzahl von lateral voneinander beabstandeten Strukturelementen (6) aufweist. Die Strukturelemente (6) weisen jeweils eine Quantententopfstruktur (5) auf, die mindestens eine Barriereschicht (2) aus In x1 Al y1 Ga 1-x1-y1 N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1 und x1 + y1 ≤ 1, und mindestens eine QuantentopfSchicht (1) aus In x2 Al y2 Ga 1-X2-y2 N mit 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 1 und x2 + y2 ≤ 1 umfasst.
摘要翻译：本发明提供的光电元件（11），其中具有多个横向间隔开的结构元件的有源层（10）（6）。结构元件（6）的每一个都具有量子鸭阱结构（5），所述至少一个阻挡层（2）与0 <= X1 <= 1，0 <= Y1 <= 1和X1 + Y1 <= 1制成Inx1Aly1Ga1-X1-Y1N的和至少一个量子阱层（1）与由Inx2Aly2Ga1-X2-Y2N的0 <= X 2 <= 1，0 <= Y2 <= 1和X 2 + Y包括<= 1。

5. 发明申请

WO2012062635A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2012062635A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/EP2011/069247
申请日：2011-11-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , LINKOV, Alexander , KÖLPER, Christopher , STRASSBURG, Martin , VON MALM, Norwin
发明人： SABATHIL, Matthias , LINKOV, Alexander , KÖLPER, Christopher , STRASSBURG, Martin , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/50 , H01L33/08 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/02 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/42 , H01L33/501 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2933/0041 , H01L2933/0083
摘要： Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Konversionsschicht (3) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) zur Strahlungserzeugung auf. Die Konversionsschicht (3) ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet, wobei die Konversionsschicht (3) geeignet ist, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (2a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine erste Nanostrukturierung auf, wobei die Konversionsschicht (3) in dieser ersten Nanostrukturierung (4) angeordnet ist. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：它被指示时，光电子半导体芯片（10），其包括半导体层堆叠（2）和一个转换层（3）。半导体层堆叠（2）具有用于产生辐射的有源层（2a）中。转换层（3）上的半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21），其中所述转换层（3）被适配为将至少发射的活性层（2a）的转换为不同波长的辐射的一部分。半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）包括第一纳米结构，其中所述转换层（3）被布置在该第一纳米结构化（4）。此外，被指定制造这种半导体芯片（10）的方法。

6. 发明申请

WO2009039812A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2009039812A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001424
申请日：2008-08-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
发明人： RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/007 , H01L33/40 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (10) umfasst ein Substrat (11) mit einer Vorderseite (12) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung (S). Der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) weist eine Halbleiterschichtenfolge (14) auf, die an einer Rückseite (13) des Substrats (11) angeordnet ist und eine zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung (S) geeignete aktive Schicht (19) aufweist. Weiter umfasst der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) eine erste und eine zweite elektrische Anschlussschicht (15, 16), die an einer vom Substrat (11) abgewandten ersten Fläche (17) der Halbleiterschichtenfolge (14) angeordnet sind.
摘要翻译：的光电子半导体本体（10）包括具有用于发射电磁辐射（S）的前表面（12）的基板（11）。所述光电子半导体本体（10）具有的半导体层序列（14），其在所述基板的后侧（13）（11）被布置和用于产生电磁辐射（S），其具有适当的活性层（19）。此外，光电子半导体本体（10）包括第一和背离半导体层序列（14）的所述衬底（11）第一表面（17）离开的第二电连接层（15，16）被布置。

7. 发明申请

WO2008089728A2 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2008089728A2
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/DE2008/000081
申请日：2008-01-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , ENGL, Karl , PETER, Matthias , STRASSBURG, Martin
发明人： SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , ENGL, Karl , PETER, Matthias , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Schichtenfolge (10) angegeben, die mindestens eine n-leitende Schicht aufweist. Der Leuchtdiodenchip weist eine leitend mit der n-leitenden Schicht verbundene Spiegelschicht auf. Zwischen der n-leitenden Schicht und der Spiegelschicht ist mindestens eine transparente dielektrische Schicht angeordnet.
摘要翻译：公开了一种具有层序列（10），其具有至少一个n型层的发光二极管芯片。 LED芯片具有传导地连接到n型层的反射镜层。 n型层和该反射层之间包括至少一个透明介电层。

8. 发明申请

WO2013034486A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2013034486A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/EP2012/066901
申请日：2012-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KATZ, Simeon , GALLER, Bastian , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias
发明人： KATZ, Simeon , GALLER, Bastian , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, das eine aktive Schicht mit einer Quantentopfstruktur (5) aufweist, wobei die Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Barriereschicht (2) aus In y Ga 1-y N mit 0 ≤ y z Ga 1-z N mit 0 y umfasst, wobei in der Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Zwischenschicht (3) aus Al 1-x In x N mit 0 ≤ x ≤ 0,6 enthalten ist, die eine Dicke von weniger als 1,5 nm aufweist.
摘要翻译：提供了一种具有一具有一量子阱结构的有源层的光电子器件（11）（5），其特征在于，（2）的量子阱结构（5）的至少一个阻挡层由在In y镓1-Y n，其中0 <= Y <1个至少一个量子阱层（ 1）由INZ GA1-Z N，其中0 y表示，其中（在该量子阱结构5）=至少一个中间层（3）×N个带0

9. 发明申请

WO2009006870A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：辐射发射半导体器件
公开(公告)号：WO2009006870A2
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/DE2008/001039
申请日：2008-06-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , PETER, Matthias , STRAUSS, Uwe
发明人： STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , PETER, Matthias , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/343 , H01S5/32 , H01S5/40
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit einer Kontaktschicht (3) und einer aktiven Zone (7) angegeben, wobei der Halbleiterkörper einen zwischen der Kontaktschicht und der aktiven Zone angeordneten Tunnelübergang (4) aufweist und die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die mindestens zwei aktive Schichten (71) enthält, die bei Einprägen eines Betriebsstroms in den Halbleiterkörper elektromagnetische Strahlung emittieren.
摘要翻译：
这是一个辐射Halbleiterk＆OUML;指定体与接触层（3）和有源区（7），其中，所述Halbleiterk＆OUML;主体上的设置在接触层和所述有源区的隧道导航用途过渡（4）之间并且所述有源区包括多量子阱结构，所述多量子阱结构包括至少两个有源层（71），所述至少两个有源层在暴露于所述半导体本体

10. 发明申请

WO2009039820A1 DÜNNFILM-LED MIT EINER SPIEGELSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：薄膜换镜层和方法及其LED
公开(公告)号：WO2009039820A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001495
申请日：2008-09-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , PLAINE, Glenn-Ives
发明人： HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , PLAINE, Glenn-Ives
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/145 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Dünnfilm-LED, die eine Barriereschicht (3), eine der Barriereschicht (3) nachfolgende erste Spiegelschicht (2), einen der ersten Spiegelschicht (2) nachfolgenden Schichtstapel (5), und mindestens eine dem Schichtstapel (5) nachfolgende Kontaktstruktur (6) umfasst. Der Schichtstapel (5) weist mindestens eine aktive Schicht (5a) auf, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Die Kontaktstruktur (6) ist auf einer Strahlungsaustrittsfläche (4) angeordnet und weist eine Kontaktfläche (7) auf. Die erste Spiegelschicht (2) weist in einem der Kontaktfläche der Kontaktstruktur (6) gegenüberliegenden Bereich eine Aussparung auf, die größer als die Kontaktfläche (7) der Kontaktstruktur (6) ist. Dadurch erhöht sich die Effizienz der Dünnfilm-LED.
摘要翻译：本发明涉及到一个薄膜LED，一个阻挡层（3），所述阻隔层（3）随后的第一反射镜层（2），所述第一反射层中的一个（2）随后的下列层堆（5），和所述层堆叠中的至少一个（5）接触结构（6）。层堆叠（5）具有至少发射电磁辐射的有源层（5a）中。接触结构（6）被布置在辐射出射表面（4），并且具有接触表面（7）。所述第一反光镜层（2）具有在所述接触结构（6）区的凹部相对的比所述接触表面较大的接触表面中的一个（7）的接触结构（6）。薄膜的效率的LED增加。

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