专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2008089728A2 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2008089728A2
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/DE2008/000081
申请日：2008-01-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , ENGL, Karl , PETER, Matthias , STRASSBURG, Martin
发明人： SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , ENGL, Karl , PETER, Matthias , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Schichtenfolge (10) angegeben, die mindestens eine n-leitende Schicht aufweist. Der Leuchtdiodenchip weist eine leitend mit der n-leitenden Schicht verbundene Spiegelschicht auf. Zwischen der n-leitenden Schicht und der Spiegelschicht ist mindestens eine transparente dielektrische Schicht angeordnet.
摘要翻译：公开了一种具有层序列（10），其具有至少一个n型层的发光二极管芯片。 LED芯片具有传导地连接到n型层的反射镜层。 n型层和该反射层之间包括至少一个透明介电层。

2. 发明申请

WO2009039812A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2009039812A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001424
申请日：2008-08-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
发明人： RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/007 , H01L33/40 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (10) umfasst ein Substrat (11) mit einer Vorderseite (12) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung (S). Der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) weist eine Halbleiterschichtenfolge (14) auf, die an einer Rückseite (13) des Substrats (11) angeordnet ist und eine zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung (S) geeignete aktive Schicht (19) aufweist. Weiter umfasst der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) eine erste und eine zweite elektrische Anschlussschicht (15, 16), die an einer vom Substrat (11) abgewandten ersten Fläche (17) der Halbleiterschichtenfolge (14) angeordnet sind.
摘要翻译：的光电子半导体本体（10）包括具有用于发射电磁辐射（S）的前表面（12）的基板（11）。所述光电子半导体本体（10）具有的半导体层序列（14），其在所述基板的后侧（13）（11）被布置和用于产生电磁辐射（S），其具有适当的活性层（19）。此外，光电子半导体本体（10）包括第一和背离半导体层序列（14）的所述衬底（11）第一表面（17）离开的第二电连接层（15，16）被布置。

3. 发明申请

WO2008135013A2 HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：半导体芯片和一种用于生产半导体芯片
公开(公告)号：WO2008135013A2
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：PCT/DE2008/000703
申请日：2008-04-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , WEIMAR, Andreas
发明人： ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18308 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18369 , H01S5/18391 , H01S5/3095 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25) umfasst, angegeben. Auf dem Halbleiterkörper (2) ist eine Spiegelstruktur (3) angeordnet, die eine Spiegelschicht (4) und eine zumindest bereichsweise zwischen der Spiegelschicht und dem Halbleiterkörper angeordnete dielektrische Schichtstruktur (5) aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：有一个半导体芯片（1），包括一个半导体主体（2），其包括具有用于产生辐射有源区（25）所表示的半导体层序列。在半导体主体（2）有（3）包括反射镜层（4）的反射镜结构和至少部分地设置在反射镜层和介电层以在半导体本体结构（5）之间。此外，被指定用于制造半导体芯片的方法。

4. 发明申请

WO2009132641A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2009132641A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/DE2009/000629
申请日：2009-04-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , WEIMAR, Andreas , ENGL, Karl , BAUR, Johannes
发明人： SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , WEIMAR, Andreas , ENGL, Karl , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) beschrieben, die von Kontakten (5) über eine Stromaufweitungsschicht (3) elektrisch kontaktiert wird. Die Kontakte (5) bedecken zirka 1 % - 8 % der Fläche der Halbleiterschichtenfolge (2). Die Kontakte (5) bestehen beispielsweise aus separaten Kontaktpunkten (51), die an den Knotenpunkten eines regelmäßigen Gitters (52) mit einer Gitterkonstante von 12 μm angeordnet sind. Die Stromaufweitungsschicht (3) enthält beispielsweise Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid oder Zinkoxid und weist eine Dicke im Bereich von 15 nm bis 60 nm auf.
摘要翻译：公开的是具有半导体层序列的发光二极管芯片（1）（2）触头（5）通过电流扩散层（3）电接触。触头（5），其覆盖约1％ - 半导体层序列（2）的表面的8％。例如触头（5）包括被布置在具有12微米的晶格常数的规则栅格（52）的结点分离的接触点（51）。电流扩散层（3）包括，例如氧化铟锡，氧化铟锌或氧化锌，其厚度在15纳米至60纳米的范围内。

5. 发明申请

WO2009121319A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009121319A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/DE2009/000354
申请日：2009-03-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
发明人： ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L29/45 , H01L21/225
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Schicht (23) zwischen einer Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (21) und einer Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (22) auf. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist einer Vorderseite (110) der Halbleiterschichtenfolge (2) benachbart. Die Halbleiterschichtenfolge (2) enthält mindestens eine Ausnehmung (3), die sich von einer der Vorderseite (110) gegenüberliegenden Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) durch die aktive Schicht (23) hindurch zur Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) erstreckt. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (5), welche die Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Der Halbleiterchip enthält im Bereich der Ausnehmung (3) eine Übergangsschicht (20), die eine Materialzusammensetzung aus Material der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) und aus Material der ersten elektrischen Anschlussschicht (5) aufweist. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片。半导体芯片具有预期用于第一导电类型（21）和第二导电类型（22）的层构成的层之间产生辐射活性层（23）的半导体层序列（2）。第一导电类型（21）的层是相邻的半导体层序列（2）的前侧（110）。半导体层序列（2）包含通过对第一导电类型（21）的层（3）从通过有源层（23）的半导体层序列（2）的前侧（110）相对的后侧（120）中的一个延伸的至少一个凹部。由（5）覆盖所述半导体层序列（2）中的至少在通过电连接由凹部（3）所覆盖的地方的背面（120）的第一电连接层的装置中的第一导电类型（21）的层。该半导体芯片包括具有在所述凹部的区域中的第一导电类型（21）的材料层的材料组成的过渡层（20），（3）和从所述第一电连接层的材料（5）。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片的方法。

6. 发明申请

WO2008131735A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体和方法生产同样
公开(公告)号：WO2008131735A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/DE2008/000702
申请日：2008-04-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
发明人： ENGL, Karl , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (23) aufweist, und einer ersten und einer zweiten elektrischen Anschlussschicht (4, 6) angegeben, wobei der Halbleiterkörper zur Emission elektromagnetischer Strahlung von einer Vorderseite vorgesehen ist, die erste und die zweite elektrische Anschlussschicht an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite angeordnet und mittels einer Trennschicht (5) elektrisch gegeneinander isoliert sind, die erste elektrische Anschlussschicht (4), die zweite elektrische Anschlussschicht (6) und die Trennschicht (5) lateral überlappen, und sich ein Teilbereich der zweiten elektrischen Anschlussschicht (6) von der Rückseite durch einen Durchbruch (3) der aktiven Schicht (23) hindurch in Richtung zu der Vorderseite hin erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Halbleiterkörpers angegeben.
摘要翻译：它具有的半导体层序列（2）适合于产生电磁辐射活性层（23），以及第一和第二电连接层的器件的光电子半导体本体（4,6），其中，所述半导体主体，用于从发射电磁辐射前侧设置，所述第一和第二电连接层上背面设置在前相反的一侧，并通过分离层的装置（5）彼此电绝缘，所述第一电连接层（4），所述第二电连接层（6）和所述分离层（5 ）横向重叠，并通过成朝向前的方向上的有源层（23）的开口（3）延伸的从后第二电连接层（6）的至少一部分。此外，被指示用于制造这样的光电子半导体本体的方法。

7. 发明申请

WO2009106063A1 MONOLITHISCHER, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：铁板一块，光电子半导体本体和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009106063A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000267
申请日：2009-02-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , SINGER, Frank , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
发明人： ENGL, Karl , SINGER, Frank , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper umfasst eine Halbleiterschichtenfolge, die in wenigstens zwei elektrisch isolierte Teilsegmente unterteilt ist. In jedem Teilbereich weist die Halbleiterschichtenfolge aktive Schicht auf. Des Weiteren sind wenigstens drei elektrische Kontaktpads vorgesehen. Eine erste Leitungsebene kontaktiert ein erstes der wenigstens zwei Teilsegmente sowie das erste Kontaktpad. Eine zweite Leitungsebene kontaktiert das zweite der wenigstens zwei Teilsegmente und ein zweites Kontaktpad. Eine dritte Leitungsebene verbindet beide Teilsegmente miteinander und kontaktiert das dritte Kontaktpad. Des Weiteren sind die Leitungsebenen jeweils einer ersten Hauptseite gegenüber angeordnet, wobei die erste Hauptseite zur Emission erzeugter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.
摘要翻译：的光电子半导体本体包括被分成至少两个电隔离的子部分的半导体层序列。在每一个局部区域，所述有源层上的半导体层序列。此外，提供至少三个电接触垫。第一导管平面通过第一所述至少两个子节段的接触，并且所述第一接触垫。第二条线平面由所述至少两个部分中的第二接触，第二接触垫。第三导管平面连接两个子段对于彼此和所述第三接触垫接触。此外，导体平面分别设置在第一主侧相对的，提供一种用于电磁辐射的发射产生的第一页。

8. 发明申请

WO2009068015A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER DIELEKTRISCHEN SCHICHTSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：电介质层结构的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2009068015A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001973
申请日：2008-11-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , WEIMAR, Andreas
发明人： HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/22 , H01L33/46
摘要： Es wird ein Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (11) aufweist. An die Halbleiterschichtenfolge schließt sich eine Spiegelstruktur (2) an, die eine dielektrische Schichtstruktur (21) umfasst. Diese Spiegelstruktur reflektiert mindestens 96 % des unter einem beliebigen Winkelbereichs auf sie treffenden, in der aktiven Zone (11) erzeugten Lichtes. Die Schichten (211, 212) der dielektrischen Schichtstruktur (21) können beispielsweise ein low-index Material oder einen 3D photonischen Kristall enthalten. Neben der dielektrischen Schichtstruktur (21) kann die Spiegelstruktur (2) zusätzlich einen metallischen Spiegel (22) umfassen.
摘要翻译：公开是具有提供用于产生电磁辐射，有源层（11）中的开口的半导体层序列（1）的半导体芯片。到半导体层序列，反射镜结构（2）连接，其包括介电层结构（21）。该反射镜结构反映在其上的任意的角度范围入射产生的光的至少96％，在有源区（11）。该介电层结构（21）的层（211，212）可以，例如，低折射率材料或3D光子晶体包括在内。除了介电层结构（21）中，反射镜结构（2）可以另外包括一个金属镜（22）。

9. 发明申请

WO2009155897A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES UND EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2009155897A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009/000810
申请日：2009-06-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz
发明人： RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2224/48
摘要： Bei einem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes wird ein Aufwachssubstrat (10) mit einem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten bereitgestellt. Auf diesen wird eine mehrlagige Bufferschichtenfolge (11) aufgebracht. Anschließend wird eine Schichtenfolge (2) epitaktisch abgeschieden, die einen zu dem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten unterschiedlichen zweiten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist. Weiterhin umfasst sie eine zur Emission elektromagnetischer Strahlung aktive Schicht. Anschließend wird ein Trägersubstrat (15) auf der epitaktisch abgeschiedenen Schichtenfolge (2) aufgebracht. Das Aufwachssubstrat (10) wird entfernt und die mehrlagige Bufferschichtenfolge (11) zur Erhöhung einer Auskopplung elektromagnetischer Strahlung strukturiert (17). Schließlich wird die epitaktisch abgeschiedene Schichtenfolge (2) kontaktiert.
摘要翻译：在用于制造光电子器件的方法，在生长衬底（10）上设置有第一热膨胀系数。在这些中，多层缓冲层序列（11）被施加。随后，层序列（2）的外延沉积，其具有不同的热膨胀系数与第一第二热膨胀系数。此外，它包括一个有源电磁辐射发射层。接着，在该外延沉积层序列（2）的载体基片（15）被施加。在生长衬底（10）被去除并用于增加耦合输出的电磁辐射的多层缓冲层序列（11），被构造（17）。最后，外延沉积的层序列（2）接触。

10. 发明申请

WO2009106069A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009106069A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000281
申请日：2009-02-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
发明人： ENGL, Karl , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper umfasst eine im Wesentlichen flächige Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer ersten und einer zweiten Hauptseite, die eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (22, 22') aufweist. Weiterhin umfasst der Halbleiterkörper zumindestens einen die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge durchtrennenden Graben zur Unterteilung der aktiven Schicht der Halbleiterschichtenfolge in wenigstens zwei elektrisch isolierte aktive Teilschichten (22, 22'). Eine auf einer zweiten Hauptseite angeordnete erste und zweite Anschlussschicht (410, 411, 460) dient zur Kontaktierung der aktiven Teilschichten. Hierbei sind die ersten und zweiten Anschlussschichten zur Kontaktierung der wenigstens zwei aktiven Teilschichten derart miteinander elektrisch leitend verbunden, dass die aktiven Teilschichten eine Serienschaltung bilden.
摘要翻译：的光电子半导体本体包括具有第一和第二主侧，所述一个适于产生电磁辐射活性层（22，22“）基本上平坦的半导体层序列（20）具有。此外，半导体本体上的至少包括所述半导体层序列的有源层通过在至少两个电隔离的有源层部分（22，22“）将所述半导体层序列的有源层分离沟槽。装置设置在第二主第一和第二连接层（410，411，460）被用于接触有源子层。这里，对于至少两个活性亚层接触所述第一和第二连接层，以便相互连接导电的，该活性子层形成的串联电路。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式