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    • 3. 发明授权
      US07372066B2 Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method 有权
    • Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method
    • 氮化镓化合物半导体器件及其制造方法
    • US07372066B2
    • 2008-05-13
    • US10516703
    • 2003-06-04
    • Hisao Sato , Tomoya Sugahara , Shinji Kitazawa , Yoshihiko Muramoto , Shiro Sakai
    • Hisao Sato , Tomoya Sugahara , Shinji Kitazawa , Yoshihiko Muramoto , Shiro Sakai
    • H01L29/06
    • H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06
    • A light-emitting element using GaN. On a substrate (10), formed are an SiN buffer layer (12), a GaN buffer layer (14), an undoped GaN layer (16), an Si-doped n-GaN layer (18), an SLS layer (20), an undoped GaN layer (22), an MQW light-emitting layer (24), an SLS layer (26), and a p-GaN layer (28), forming a p electrode (30) and an n electrode (32). The MQW light-emitting layer (24) has a structure in which InGaN well layers and AlGaN barrier layers are alternated. The Al content ratios of the SLS layers (20, and 26) are more than 5% and less than 24%. The In content ratio of the well layer in the MQW light-emitting layer (24) is more than 3% and less than 20%. The Al content ratio of the barrier layer is more than 1% and less than 30%. By adjusting the content ratio and film thickness of each layer to a desired value, the light luminous efficiency for wavelength of less than 400 nm is improved.
    • 使用GaN的发光元件。 在形成的衬底（10）上形成SiN缓冲层（12），GaN缓冲层（14），未掺杂的GaN层（16），Si掺杂的n-GaN层（18），SLS层（20 ），形成p型电极（30）和n电极（32）的未掺杂GaN层（22），MQW发光层（24），SLS层（26）和p-GaN层（28） 。 MQW发光层（24）具有其中InGaN阱层和AlGaN势垒层交替的结构。 SLS层（20和26）的Al含量比大于5％且小于24％。 MQW发光层（24）中的阱层的In含量比大于3％且小于20％。 阻挡层的Al含量比大于1％且小于30％。 通过将各层的含有率和膜厚度调整为所需值，波长小于400nm的光发光效率提高。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明申请
      US20060175600A1 Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method 有权
    • Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method
    • 氮化镓化合物半导体器件及其制造方法
    • US20060175600A1
    • 2006-08-10
    • US10516703
    • 2003-06-04
    • Hisao Sato , Tomoya Sugahara , Shinji Kitazawa , Yoshihiko Muramoto , Shiro Sakai
    • Hisao Sato , Tomoya Sugahara , Shinji Kitazawa , Yoshihiko Muramoto , Shiro Sakai
    • H01L31/109 , H01L21/00
    • H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06
    • A light-emitting element using GaN. On a substrate (10), formed are an SiN buffer layer (12), a GaN buffer layer (14), an undoped GaN layer (16), an Si-doped n-GaN layer (18), an SLS layer (20), an undoped GaN layer (22), an MQW light-emitting layer (24), an SLS layer (26), and a p-GaN layer (28), forming a p electrode (30) and an n electrode (32). The MQW light-emitting layer (24) has a structure in which InGaN well layers and AlGaN barrier layers are alternated. The Al content ratios of the SLS layers (20, and 26) are more than 5% and less than 24%. The In content ratio of the well layer in the MQW light-emitting layer (24) is more than 3% and less than 20%. The Al content ratio of the barrier layer is more than 1% and less than 30%. By adjusting the content ratio and film thickness of each layer to a desired value, the light luminous efficiency for wavelength of less than 400 nm is improved.
    • 使用GaN的发光元件。 在形成的衬底（10）上形成SiN缓冲层（12），GaN缓冲层（14），未掺杂的GaN层（16），Si掺杂的n-GaN层（18），SLS层（20 ），形成p型电极（30）和n电极（32）的未掺杂GaN层（22），MQW发光层（24），SLS层（26）和p-GaN层（28） 。 MQW发光层（24）具有其中InGaN阱层和AlGaN势垒层交替的结构。 SLS层（20和26）的Al含量比大于5％且小于24％。 MQW发光层（24）中的阱层的In含量比大于3％且小于20％。 阻挡层的Al含量比大于1％且小于30％。 通过将各层的含有率和膜厚度调整为所需值，波长小于400nm的光发光效率提高。
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