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1. 发明授权

US07372066B2 Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method 有权
标题翻译：氮化镓化合物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：US07372066B2
公开(公告)日：2008-05-13
申请号：US10516703
申请日：2003-06-04
申请人： Hisao Sato , Tomoya Sugahara , Shinji Kitazawa , Yoshihiko Muramoto , Shiro Sakai
发明人： Hisao Sato , Tomoya Sugahara , Shinji Kitazawa , Yoshihiko Muramoto , Shiro Sakai
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06
摘要： A light-emitting element using GaN. On a substrate (10), formed are an SiN buffer layer (12), a GaN buffer layer (14), an undoped GaN layer (16), an Si-doped n-GaN layer (18), an SLS layer (20), an undoped GaN layer (22), an MQW light-emitting layer (24), an SLS layer (26), and a p-GaN layer (28), forming a p electrode (30) and an n electrode (32). The MQW light-emitting layer (24) has a structure in which InGaN well layers and AlGaN barrier layers are alternated. The Al content ratios of the SLS layers (20, and 26) are more than 5% and less than 24%. The In content ratio of the well layer in the MQW light-emitting layer (24) is more than 3% and less than 20%. The Al content ratio of the barrier layer is more than 1% and less than 30%. By adjusting the content ratio and film thickness of each layer to a desired value, the light luminous efficiency for wavelength of less than 400 nm is improved.
摘要翻译：使用GaN的发光元件。在形成的衬底（10）上形成SiN缓冲层（12），GaN缓冲层（14），未掺杂的GaN层（16），Si掺杂的n-GaN层（18），SLS层（20 ），形成p型电极（30）和n电极（32）的未掺杂GaN层（22），MQW发光层（24），SLS层（26）和p-GaN层（28）。 MQW发光层（24）具有其中InGaN阱层和AlGaN势垒层交替的结构。 SLS层（20和26）的Al含量比大于5％且小于24％。 MQW发光层（24）中的阱层的In含量比大于3％且小于20％。阻挡层的Al含量比大于1％且小于30％。通过将各层的含有率和膜厚度调整为所需值，波长小于400nm的光发光效率提高。

2. 发明申请

US20060175600A1 Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method 有权
标题翻译：氮化镓化合物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：US20060175600A1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：US10516703
申请日：2003-06-04
申请人： Hisao Sato , Tomoya Sugahara , Shinji Kitazawa , Yoshihiko Muramoto , Shiro Sakai
发明人： Hisao Sato , Tomoya Sugahara , Shinji Kitazawa , Yoshihiko Muramoto , Shiro Sakai
IPC分类号： H01L31/109 , H01L21/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06
摘要： A light-emitting element using GaN. On a substrate (10), formed are an SiN buffer layer (12), a GaN buffer layer (14), an undoped GaN layer (16), an Si-doped n-GaN layer (18), an SLS layer (20), an undoped GaN layer (22), an MQW light-emitting layer (24), an SLS layer (26), and a p-GaN layer (28), forming a p electrode (30) and an n electrode (32). The MQW light-emitting layer (24) has a structure in which InGaN well layers and AlGaN barrier layers are alternated. The Al content ratios of the SLS layers (20, and 26) are more than 5% and less than 24%. The In content ratio of the well layer in the MQW light-emitting layer (24) is more than 3% and less than 20%. The Al content ratio of the barrier layer is more than 1% and less than 30%. By adjusting the content ratio and film thickness of each layer to a desired value, the light luminous efficiency for wavelength of less than 400 nm is improved.
摘要翻译：使用GaN的发光元件。在形成的衬底（10）上形成SiN缓冲层（12），GaN缓冲层（14），未掺杂的GaN层（16），Si掺杂的n-GaN层（18），SLS层（20 ），形成p型电极（30）和n电极（32）的未掺杂GaN层（22），MQW发光层（24），SLS层（26）和p-GaN层（28）。 MQW发光层（24）具有其中InGaN阱层和AlGaN势垒层交替的结构。 SLS层（20和26）的Al含量比大于5％且小于24％。 MQW发光层（24）中的阱层的In含量比大于3％且小于20％。阻挡层的Al含量比大于1％且小于30％。通过将各层的含有率和膜厚度调整为所需值，波长小于400nm的光发光效率提高。

3. 外观设计

USD614234S1 Multi function printer 有权
标题翻译：多功能打印机
公开(公告)号：USD614234S1
公开(公告)日：2010-04-20
申请号：US29312233
申请日：2008-10-07
申请人： Takaaki Ishikawa , Kenji Yanagisawa , Ichiro Yoshioka , Manabu Kawahara , Shinji Kitazawa
设计人： Takaaki Ishikawa , Kenji Yanagisawa , Ichiro Yoshioka , Manabu Kawahara , Shinji Kitazawa

4. 发明申请

US20140054287A1 STORAGE CONTAINER 审中-公开
标题翻译：储物容器
公开(公告)号：US20140054287A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：US13980915
申请日：2012-02-08
申请人： Shinji Kitazawa
发明人： Shinji Kitazawa
IPC分类号： B65D21/02
CPC分类号： B65D21/02 , B65D83/0481 , B65D83/06 , B65D2203/12 , B65D2583/0404 , B65D2583/0468
摘要： A storage container in which the status of an opening is easily viewable includes: an inner container (10) with an opening (130); an outer container (20) being slidably attached to the inner container (10); a plurality of through holes (30) arranged in a matrix pattern on the first cover part (21); a first display (40) provided on one surface (12) and located at the position where the first display (40) is visible in a first state (S1) via the plurality of through holes (30); and a second display (50) provided on the one surface (12) and located at the position where the second display (50) is visible in a second state (S2) via the plurality of through holes (30).
摘要翻译：容易看到开口状态的储存容器包括：具有开口（130）的内容器（10）; 外容器（20）可滑动地附接到所述内容器（10）; 在所述第一覆盖部分（21）上以矩阵图案布置的多个通孔（30）; 经由多个通孔（30）设置在一个表面（12）上并位于第一显示器（40）处于第一状态（S1）的位置的第一显示器（40）; 以及第二显示器（50），其经由所述多个通孔（30）设置在所述一个表面（12）上并且位于所述第二显示器（50）处于第二状态（S2）中可见的位置。

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