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    • 2. 发明授权
      US07908743B2 Method for forming an electrical connection 失效
    • Method for forming an electrical connection
    • 电连接方法
    • US07908743B2
    • 2011-03-22
    • US12430807
    • 2009-04-27
    • Zhiyong Li , Chuck Luu , Gopalakrishna B. Prabhu , Danny Cam Toan Lu , Garry Kwong , David Tanner
    • Zhiyong Li , Chuck Luu , Gopalakrishna B. Prabhu , Danny Cam Toan Lu , Garry Kwong , David Tanner
    • H05K3/36
    • H05K3/321 , H01L21/67138 , H01L21/67712 , H01L21/67727 , H01L21/67754 , H01L21/6776 , H01L31/0201 , H01L31/046 , H01L31/048 , H01L31/0512 , H01L31/188 , H05K2203/0278 , Y02E10/50 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155
    • Embodiments of the present invention provide a method of forming an electrical connection on a device. In one embodiment, the electrical connection is attached to the device via an adhesive having electrically conductive particles disposed therein. In one embodiment, the adhesive is cured while applying pressure such that the conductive particles align, have a reduced particle-to-particle spacing, or come into contact with each other to provide a more directly conductive (less resistive) path between the electrical connection and the device. In one embodiment of the present invention, a method for forming an electrical lead on a partially formed solar cell during formation of the solar cell device is provided. The method comprises placing a side-buss wire onto a pattern of electrically conductive adhesive disposed on a back contact layer of a solar cell device substrate, laminating the side-buss wire and electrically conductive adhesive between the solar cell device substrate and a back glass substrate to form a composite solar cell structure, and curing the electrically conductive adhesive while applying pressure and heat to the composite solar cell structure.
    • 本发明的实施例提供了一种在设备上形成电连接的方法。 在一个实施例中，电连接通过其中布置有导电颗粒的粘合剂附接到装置。 在一个实施方案中，粘合剂在施加压力下固化，使得导电颗粒对准，具有减小的颗粒间距或彼此接触以在电连接之间提供更直接的导电（较小电阻）的路径 和设备。 在本发明的一个实施例中，提供了在形成太阳能电池器件期间在部分形成的太阳能电池上形成电引线的方法。 该方法包括将侧面布线布置在设置在太阳能电池器件基板的背接触层上的导电粘合剂图案上，在侧太阳能电池器件基板和背玻璃基板之间层叠侧母线和导电粘合剂 以形成复合太阳能电池结构，并且在对复合太阳能电池结构施加压力和加热的同时固化导电粘合剂。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 5. 发明授权
      US08349626B2 Creation of low-relief texture for a photovoltaic cell 有权
    • Creation of low-relief texture for a photovoltaic cell
    • 为光伏电池创造低浮雕纹理
    • US08349626B2
    • 2013-01-08
    • US12729878
    • 2010-03-23
    • Zhiyong Li , David Tanner , Gopalakrishna Prabhu , Mohamed H. Hilali
    • Zhiyong Li , David Tanner , Gopalakrishna Prabhu , Mohamed H. Hilali
    • H01L21/00 , H01L31/0232
    • H01L31/02363 , H01L31/1892 , Y02E10/50
    • A novel method is described to create low-relief texture at a light-facing surface or a back surface of a photovoltaic cell. The peak-to-valley height and average peak-to-peak distance of the textured surface is less than about 1 microns, for example less than about 0.8 micron, for example about 0.5 microns or less. In a completed photovoltaic device, average reflectance for light having wavelength between 375 and 1010 nm at a light-facing surface with this texture is 6 percent or less, for example about 5 percent or less, in some instances about 3.5 percent. This texture is produced by forming an optional oxide layer at the surface, lightly buffing the surface, and etching with a crystallographically selective etch. Excellent texture may be produced by etching for as little as twelve minutes or less. Very little silicon, for example about 0.3 mg/cm2 or less, is lost at the textured surface during this etch.
    • 描述了一种新颖的方法来在光伏电池的面向光的表面或背表面上产生低浮雕纹理。 纹理表面的峰 - 谷高度和平均峰 - 峰距离小于约1微米，例如小于约0.8微米，例如约0.5微米或更小。 在完成的光伏器件中，具有这种纹理的面向光的表面处于375nm和1010nm之间的波长的光的平均反射率为6％或更小，例如约5％或更小，在一些情况下为约3.5％。 通过在表面形成任选的氧化物层，轻轻抛光该表面，并用晶体学选择性蚀刻进行蚀刻来生产该织构。 可以通过蚀刻只要十二分钟或更短时间就可以产生良好的纹理。 在该蚀刻期间，非常小的硅，例如约0.3mg / cm 2或更小，在织构化表面处损失。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 6. 发明申请
      US20110237013A1 Creation of Low-Relief Texture for a Photovoltaic Cell 有权
    • Creation of Low-Relief Texture for a Photovoltaic Cell
    • 为光伏电池创造低放宽纹理
    • US20110237013A1
    • 2011-09-29
    • US12729878
    • 2010-03-23
    • Zhiyong Li , David Tanner , Gopalakrishna Prabhu , Mohamed H. Hilali
    • Zhiyong Li , David Tanner , Gopalakrishna Prabhu , Mohamed H. Hilali
    • H01L31/18
    • H01L31/02363 , H01L31/1892 , Y02E10/50
    • A novel method is described to create low-relief texture at a light-facing surface or a back surface of a photovoltaic cell. The peak-to-valley height and average peak-to-peak distance of the textured surface is less than about 1 microns, for example less than about 0.8 micron, for example about 0.5 microns or less. In a completed photovoltaic device, average reflectance for light having wavelength between 375 and 1010 nm at a light-facing surface with this texture is 6 percent or less, for example about 5 percent or less, in some instances about 3.5 percent. This texture is produced by forming an optional oxide layer at the surface, lightly buffing the surface, and etching with a crystallographically selective etch. Excellent texture may be produced by etching for as little as twelve minutes or less. Very little silicon, for example about 0.3 mg/cm2 or less, is lost at the textured surface during this etch.
    • 描述了一种新颖的方法来在光伏电池的面向光的表面或背表面上产生低浮雕纹理。 纹理表面的峰 - 谷高度和平均峰 - 峰距离小于约1微米，例如小于约0.8微米，例如约0.5微米或更小。 在完成的光伏器件中，具有这种纹理的面向光的表面处于375nm和1010nm之间的波长的光的平均反射率为6％或更小，例如约5％或更小，在一些情况下为约3.5％。 通过在表面形成任选的氧化物层，轻轻抛光该表面，并用晶体学选择性蚀刻进行蚀刻来生产该织构。 可以通过蚀刻只要十二分钟或更短时间就可以产生良好的纹理。 在该蚀刻期间，非常小的硅，例如约0.3mg / cm 2或更小，在织构化表面处损失。
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