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1. 发明授权

US07625819B2 Interconnection process 有权
标题翻译：互连过程
公开(公告)号：US07625819B2
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：US11806541
申请日：2007-06-01
申请人： Tuung Luoh , Ling-Wu Yang , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Ling-Wu Yang , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/76814 , H01L21/28518 , H01L21/76828
摘要： An interconnection process is provided. The process includes the following steps. Firstly, a semiconductor base having at least a electrical conductive region is provided. Next, a dielectric layer with a contact hole is formed to cover the semiconductor base, wherein the contact hole exposes part of the electrical conductive region. Then, a thermal process is performed on the semiconductor base covered with the dielectric layer. Lastly, a conductive layer is formed on the dielectric layer, wherein the conductive layer is electrically connected to the electrical conductive region through the contact hole.
摘要翻译：提供互连过程。该过程包括以下步骤。首先，设置至少具有导电区域的半导体基板。接下来，形成具有接触孔的电介质层以覆盖半导体基底，其中接触孔暴露部分导电区域。然后，对覆盖有电介质层的半导体基板进行热处理。最后，在电介质层上形成导电层，其中导电层通过接触孔与导电区电连接。

2. 发明授权

US08085390B2 Multivariate monitoring method for plasma process machine 有权
标题翻译：等离子体处理机多变量监测方法
公开(公告)号：US08085390B2
公开(公告)日：2011-12-27
申请号：US11737541
申请日：2007-04-19
申请人： Tuung Luoh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32935 , H01J37/32972
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.
摘要翻译：提供了一种用于等离子体处理机的先进过程控制（APC）系统，其包括至少一个光发射光谱（OES）系统和APC分析装置。 OES系统用于监测等离子体处理机中的测试对象。 APC分析装置用于分析从OES系统接收到的数据。

3. 发明授权

US07846835B2 Contact barrier layer deposition process 有权
标题翻译：接触阻挡层沉积工艺
公开(公告)号：US07846835B2
公开(公告)日：2010-12-07
申请号：US11950319
申请日：2007-12-04
申请人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/76841 , H01L21/2855 , H01L21/28556
摘要： A method for depositing a barrier layer onto a substrate is disclosed. A layer of titanium (Ti) is deposited onto the substrate using an ionized metal plasma (IMP) physical vapor deposition process. The IMP process includes: generating gaseous ions, accelerating the gaseous ions towards a titanium target, sputtering the titanium atoms from the titanium target with the gaseous ions, ionizing the titanium atoms using a plasma, and depositing the ionized titanium atoms onto the substrate to form the layer of Ti. A first layer of titanium nitride (TiN) is deposited onto the layer of Ti using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process. A second layer of TiN is deposited onto the first layer of TiN using a thermal chemical vapor deposition process. The newly completed barrier layer is annealed in the presence of nitrogen at a temperature of between about 500° C. to about 750° C.
摘要翻译：公开了一种在衬底上沉积阻挡层的方法。使用电离金属等离子体（IMP）物理气相沉积工艺将一层钛（Ti）沉积到衬底上。 IMP过程包括：产生气体离子，将气态离子加速到钛靶，用钛离子溅射钛原子与气态离子，使用等离子体离子化钛原子，并将离子化的钛原子沉积到基底上形成 Ti层。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺将第一层氮化钛（TiN）沉积到Ti层上。使用热化学气相沉积工艺将第二层TiN沉积到第一TiN层上。将新完成的阻挡层在氮气存在下在约500℃至约750℃的温度下进行退火。

4. 发明申请

US20090299668A1 APC SYSTEM AND MULTIVARIATE MONITORING METHOD FOR PLASMA PROCESS MACHINE 有权
公开(公告)号：US20090299668A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：US12540001
申请日：2009-08-12
申请人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： G06F19/00 , G06F15/00 , G01J3/30
CPC分类号： H01J37/32972 , G01N21/68 , H01J37/32935
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.

5. 发明申请

US20080299761A1 Interconnection process 有权
标题翻译：互连过程
公开(公告)号：US20080299761A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：US11806541
申请日：2007-06-01
申请人： Tuung Luoh , Ling-Wuu Yang , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Ling-Wuu Yang , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/76814 , H01L21/28518 , H01L21/76828
摘要： An interconnection process is provided. The process includes the following steps. Firstly, a semiconductor base having at least a electrical conductive region is provided. Next, a dielectric layer with a contact hole is formed to cover the semiconductor base, wherein the contact hole exposes part of the electrical conductive region. Then, a thermal process is performed on the semiconductor base covered with the dielectric layer. Lastly, a conductive layer is formed on the dielectric layer, wherein the conductive layer is electrically connected to the electrical conductive region through the contact hole.
摘要翻译：提供互连过程。该过程包括以下步骤。首先，设置至少具有导电区域的半导体基板。接下来，形成具有接触孔的电介质层以覆盖半导体基底，其中接触孔暴露部分导电区域。然后，对覆盖有电介质层的半导体基板进行热处理。最后，在电介质层上形成导电层，其中导电层通过接触孔与导电区电连接。

6. 发明申请

US20080123082A1 APC SYSTEM AND MULTIVARIATE MONITORING METHOD FOR PLASMA PROCESS MACHINE 有权
标题翻译： APC系统和等离子体处理机多重监测方法
公开(公告)号：US20080123082A1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：US11737541
申请日：2007-04-19
申请人： Tuung LUOH , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung LUOH , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32935 , H01J37/32972
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.
摘要翻译：提供了一种用于等离子体处理机的先进过程控制（APC）系统，其包括至少一个光发射光谱（OES）系统和APC分析装置。 OES系统用于监测等离子体处理机中的测试对象。 APC分析装置用于分析从OES系统接收到的数据。

7. 发明授权

US08653592B2 Isolation structure, non-volatile memory having the same, and method of fabricating the same 有权
标题翻译：隔离结构，具有相同的非易失性存储器及其制造方法
公开(公告)号：US08653592B2
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：US13291374
申请日：2011-11-08
申请人： Ming-Da Cheng , Chin-Tsan Yeh , Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Ming-Da Cheng , Chin-Tsan Yeh , Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/76 , H01L29/792
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L21/76205
摘要： A method of forming an isolation structure, comprising: (a) providing a base having a recess; (b) forming a stop layer on the base and in the recess; (c) forming a dielectric material on the stop layer so as to allow the rest of the recess to be filled with the dielectric material; (d) removing the dielectric material over the base by performing a chemical mechanical polishing (CMP) process until a part of the stop layer is exposed so as to form a dielectric layer in the recess; and (e) removing a part of the stop layer, wherein the another part of the stop layer and the dielectric layer filled in the recess constitute the isolation structure.
摘要翻译：一种形成隔离结构的方法，包括：（a）提供具有凹部的基部; （b）在基座和凹槽中形成停止层; （c）在所述阻挡层上形成电介质材料，以允许所述凹部的其余部分填充所述电介质材料; （d）通过进行化学机械抛光（CMP）工艺在基底上去除电介质材料，直到一部分停止层被暴露以在凹槽中形成电介质层; 和（e）去除所述阻挡层的一部分，其中所述阻挡层的另一部分和填充在所述凹部中的所述电介质层构成所述隔离结构。

8. 发明授权

US08520194B2 Method of forming a deposited material by utilizing a multi-step deposition/etch/deposition (D/E/D) process 有权
标题翻译：通过利用多步沉积/蚀刻/沉积（D / E / D）工艺形成沉积材料的方法
公开(公告)号：US08520194B2
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：US12248547
申请日：2008-10-09
申请人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： H01J37/32972 , G01N21/68 , H01J37/32935
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.
摘要翻译：提供了一种用于等离子体处理机的先进过程控制（APC）系统，其包括至少一个光发射光谱（OES）系统和APC分析装置。 OES系统用于监测等离子体处理机中的测试对象。 APC分析装置用于分析从OES系统接收到的数据。

9. 发明申请

US20120049269A1 ISOLATION STRUCTURE, NON-VOLATILE MEMORY HAVING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
标题翻译：隔离结构，具有该隔离结构的非易失性存储器及其制造方法
公开(公告)号：US20120049269A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：US13291374
申请日：2011-11-08
申请人： Ming-Da Cheng , Chin-Tsan Yeh , Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Ming-Da Cheng , Chin-Tsan Yeh , Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： H01L29/792 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L21/76205
摘要： A method of forming an isolation structure, comprising: (a) providing a base having a recess; (b) forming a stop layer on the base and in the recess; (c) forming a dielectric material on the stop layer so as to allow the rest of the recess to be filled with the dielectric material; (d) removing the dielectric material over the base by performing a chemical mechanical polishing (CMP) process until a part of the stop layer is exposed so as to form a dielectric layer in the recess; and (e) removing a part of the stop layer, wherein the another part of the stop layer and the dielectric layer filled in the recess constitute the isolation structure.
摘要翻译：一种形成隔离结构的方法，包括：（a）提供具有凹部的基部; （b）在基座和凹槽中形成停止层; （c）在所述阻挡层上形成电介质材料，以允许所述凹部的其余部分填充所述电介质材料; （d）通过进行化学机械抛光（CMP）工艺在基底上去除电介质材料，直到一部分停止层被暴露以在凹槽中形成电介质层; 和（e）去除所述阻挡层的一部分，其中所述阻挡层的另一部分和填充在所述凹部中的所述电介质层构成所述隔离结构。

10. 发明授权

US08034691B2 HDP-CVD process, filling-in process utilizing HDP-CVD, and HDP-CVD system 有权
标题翻译： HDP-CVD工艺，使用HDP-CVD的填充工艺和HDP-CVD系统
公开(公告)号：US08034691B2
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：US12193442
申请日：2008-08-18
申请人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen , Shing-Ann Luo
发明人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen , Shing-Ann Luo
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/0209 , C23C16/045 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76224
摘要： An HDP-CVD process is described, including a deposition step conducted in an HDP-CVD chamber and a pre-heating step that is performed outside of the HDP-CVD chamber before the deposition step and pre-heats a wafer to a temperature higher than room temperature and required in the HDP-CVD process deposition step.
摘要翻译：描述了HDP-CVD工艺，包括在HDP-CVD室内进行的沉积步骤和在沉积步骤之前在HDP-CVD室外进行的预热步骤，并将晶片预热至高于室温，并且在HDP-CVD工艺沉积步骤中是必需的。

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