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1. 发明授权

US06401544B2 Micromechanical component protected from environmental influences 有权
标题翻译：微机械元件免受环境影响
公开(公告)号：US06401544B2
公开(公告)日：2002-06-11
申请号：US09794664
申请日：2001-02-27
申请人： Robert Aigner , Christofer Hierold , Hergen Kapels , Stefan Kolb , Dieter Maier-Schneider , Klaus-Günter Oppermann , Hans-Jörg Timme , Thomas Scheiter , Wolfgang Werner
发明人： Robert Aigner , Christofer Hierold , Hergen Kapels , Stefan Kolb , Dieter Maier-Schneider , Klaus-Günter Oppermann , Hans-Jörg Timme , Thomas Scheiter , Wolfgang Werner
IPC分类号： G01L900
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00896 , B81C2201/053 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method is disclosed for producing a micromechanical component. The micromechanical component has sensor holes, wherein at least one component protective layer and/or a spacer coating is applied on the component before separating the wafer into chips. The component protective layer sealingly covers at least the walls of the holes extending parallel to the surface of the wafer and perpendicular to the surface of the wafer and the spacer coating sealingly covers at least the walls of the holes extending parallel to the surface of the wafer.
摘要翻译：公开了一种用于制造微机械部件的方法。微机械部件具有传感器孔，其中在将晶片分成芯片之前，在部件上施加至少一个部件保护层和/或间隔涂层。部件保护层至少密封地覆盖平行于晶片表面延伸的垂直于晶片表面的孔的壁，间隔件涂层至少密封地覆盖平行于晶片表面延伸的孔的壁。

2. 发明授权

US6094985A Rotation rate sensor 有权
标题翻译：转速传感器
公开(公告)号：US6094985A
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：US308730
申请日：1999-05-24
申请人： Hergen Kapels , Christofer Hierold , Max Steger , Thomas Scheiter , Reinhold Noe , Ulrich Naher
发明人： Hergen Kapels , Christofer Hierold , Max Steger , Thomas Scheiter , Reinhold Noe , Ulrich Naher
IPC分类号： G01C9/04 , G01C19/56 , G01P9/04
CPC分类号： G01C19/5712
摘要： Rotation rate sensor as a micromechanical component in silicon, in which a ring with a rigid strut along a diameter is so suspended at elastic braces and anchoring arrangements on a substrate as to be able to perform rotation oscillations about its center axis and to be able to be tilted about the strut under the influence of outer torques. There are electrodes present at the ring and at the substrate, at which electrodes electrical voltages can be applied such that rotary oscillations of the ring about its center axis can be excited and rotary oscillations about the strut can be detected. To stabilize the position of the ring in the neutral position, additional electrodes can be provided at the ring and at the substrate for the generation of electrostatic forces.
摘要翻译： PCT No.PCT / DE97 / 02671 Sec。 371日期1999年5月24日 102（e）1999年5月24日PCT 1997年11月14日PCT PCT。第WO98 / 23917号公报日期1998年6月4日作为硅中的微机械部件的转速传感器，其中沿着直径的刚性支柱的环悬挂在基板上的弹性支架和锚定装置上，以便能够围绕其中心轴线执行旋转振荡并且能够在外部扭矩的影响下围绕支柱倾斜。存在于环和基板处的电极，电极可以施加电压，使得环绕其中心轴的旋转振荡可被激发，并且可以检测到围绕支柱的旋转振荡。为了稳定环在中性位置的位置，可以在环和基板处设置附加电极以产生静电力。

3. 发明授权

US6140689A Micromechanical sensor 有权
标题翻译：微机械传感器
公开(公告)号：US6140689A
公开(公告)日：2000-10-31
申请号：US202837
申请日：1998-12-21
申请人： Thomas Scheiter , Ulrich Naher , Christofer Hierold
发明人： Thomas Scheiter , Ulrich Naher , Christofer Hierold
IPC分类号： G01L9/12 , G01L9/00 , H01L29/84 , H04R19/00 , H01L27/14 , H01L29/82
CPC分类号： G01L9/0073 , H04R19/005
摘要： In a relative pressure sensor or miniaturized microphone as a micromechanical sensor component, a polysilicon membrane is arranged over a polysilicon membrane of an SOI substrate. A recess that is connected to the cavity between the membrane and the body silicon layer by openings in the body silicon layer is present in the substrate on the back side. Given an excursion of the membrane, a pressure equalization can therefore occur in the cavity as a result of these openings. The measurement occurs capacitatively by electrical connection of the electrically conductively doped membrane and a doped region formed in the body silicon layer.
摘要翻译： PCT No.PCT / DE97 / 02740 Sec。 371 1998年12月21日第 102（e）日期1998年12月21日PCT 1997年11月21日PCT PCT。第WO98 / 23934号公报日期1998年6月4日在作为微机械传感器部件的相对压力传感器或小型化麦克风中，多晶硅膜布置在SOI衬底的多晶硅膜上。通过体硅层中的开口连接到膜和体硅层之间的空腔的凹部存在于背面的基板中。考虑到膜的偏移，由于这些开口，因此在空腔中可以发生压力平衡。测量通过导电掺杂膜的电连接和形成在体硅层中的掺杂区电容地进行。

4. 发明授权

US5662772A Method for the selective removal of silicon dioxide 失效
标题翻译：选择性去除二氧化硅的方法
公开(公告)号：US5662772A
公开(公告)日：1997-09-02
申请号：US637237
申请日：1996-04-24
申请人： Thomas Scheiter , Ulrich Naeher , Christofer Hierold
发明人： Thomas Scheiter , Ulrich Naeher , Christofer Hierold
IPC分类号： C23F1/02 , C23F1/12 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/00 , C03C15/00
CPC分类号： H01L21/31116 , Y10S438/935
摘要： In a method for the selective removal of SiO.sub.2 relative to semiconductor materials and/or metal, a specimen to be processed and containing SiO.sub.2 is placed into a chamber having at least one gas admission opening and one gas outlet opening. Using controllable valves at the gas admission opening, dosed quantities of hydrogen fluoride gas and water vapor are admitted into the chamber. These gasses proceed to the SiO.sub.2 in a specimen in a quantity adequate for etching. However, the quantities of these gasses are limited such that a condensation of the water vapor to form liquid water on the specimen during the etching event is avoided. An etching event is then implemented. Water vapor that arises as a reaction product during the etching is eliminated through the gas outlet opening before the occurrence of condensation and, simultaneously, an inert gas is admitted into the chamber through the gas admission opening. These steps are repeated as needed.
摘要翻译：在相对于半导体材料和/或金属选择性去除SiO 2的方法中，将待处理并含有SiO 2的样品置于具有至少一个气体入口和一个气体出口的腔室中。在气体入口处使用可控阀门，加入量的氟化氢气体和水蒸气进入腔室。这些气体以足以蚀刻的量前进到样品中的SiO 2。然而，这些气体的量受到限制，从而避免了在蚀刻事件期间水蒸气在样品上形成液态水的冷凝。然后实施蚀刻事件。在蚀刻期间作为反应产物产生的水蒸气在发生冷凝之前通过气体出口开口消除，同时惰性气体通过气体入口进入腔室。根据需要重复这些步骤。

5. 发明授权

US5631428A Capacitive semiconductor pressure sensor 失效
标题翻译：电容半导体压力传感器
公开(公告)号：US5631428A
公开(公告)日：1997-05-20
申请号：US561854
申请日：1995-11-22
申请人： Ralf Catanescu , Thomas Scheiter , Christofer Hierold
发明人： Ralf Catanescu , Thomas Scheiter , Christofer Hierold
IPC分类号： G01L9/12 , G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0073 , G01L9/0042
摘要： A micromechanically manufacturable pressure sensor has a cavity produced in an auxiliary layer that is covered with a membrane layer, the cavity is produced via recesses in the membrane layer. These recesses are subsequently closed by portions of a closure layer. Further layers can be applied on the closure layer. Portions of the further layers and closure layer are removed above the membrane layer.
摘要翻译：微机械制造的压力传感器具有在辅助层中产生的腔，其被膜层覆盖，该空腔通过膜层中的凹槽产生。这些凹部随后由闭合层的部分封闭。另外的层可以施加在封闭层上。另外的层和封闭层的一部分在膜层上方被去除。

6. 发明授权

US6020050A Semiconductor chip 失效
标题翻译：半导体芯片
公开(公告)号：US6020050A
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：US930947
申请日：1997-10-10
申请人： Ulrich Naher , Adrian Berthold , Thomas Scheiter , Christofer Hierold
发明人： Ulrich Naher , Adrian Berthold , Thomas Scheiter , Christofer Hierold
IPC分类号： G01L9/12 , G01L1/14 , G01L9/00 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L29/84 , B32B3/00 , H01L23/12
CPC分类号： G01L1/148 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01L2924/0002 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
摘要： A semiconductor chip has a membrane mounted on supports that are held in the material of the chip so that the membrane is supported at a space from the chip. The membrane may be a metal layer. The supports are columns or webs that extend into the chip material. Electrical connections to the membrane may be made by conductive supports.
摘要翻译： PCT No.PCT / DE96 / 00575 Sec。 371日期：1997年10月10日 102（e）日期1997年10月10日PCT 1996年4月1日PCT PCT。公开号WO96 / 32627 日期1996年10月17日半导体芯片具有安装在保持在芯片的材料中的支撑件上的膜，使得膜被从芯片的空间支撑。膜可以是金属层。支撑体是延伸到芯片材料中的柱或网。与膜的电连接可以由导电支撑件制成。

7. 发明授权

US6159762A Process for producing micromechanical sensors 失效
标题翻译：微机械传感器的生产工艺
公开(公告)号：US6159762A
公开(公告)日：2000-12-12
申请号：US308985
申请日：1999-05-27
申请人： Thomas Scheiter , Christofer Hierold , Ulrich Naher
发明人： Thomas Scheiter , Christofer Hierold , Ulrich Naher
IPC分类号： G01L9/04 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/00 , G01L9/12 , H01L29/84 , H01L21/00
CPC分类号： G01L9/0073 , G01L9/0042
摘要： Method for manufacturing an absolute pressure sensor as micromechanical component on a silicon substrate, whereby a cavity (4) is etched out in an auxiliary layer (3) under a membrane layer (5) through etching openings (6), the etching openings are closed with a passivation layer (7), whereby a specific etching opening (11) is re-opened in a via hole etching and this opening is re-closed with a metallization or dielectric material (10, 12) in a following process step that ensues at low pressure.
摘要翻译： PCT No.PCT / DE97 / 02751 Sec。 371日期1999年5月27日第 102（e）日期1999年5月27日PCT 1997年11月24日PCT公布。第WO98 / 23935号公报日期1998年6月4日制造绝缘压力传感器作为硅基板上的微机械部件的方法，由此通过蚀刻开口（6）在膜层（5）的辅助层（3）内蚀刻空腔（4）蚀刻开口用钝化层（7）封闭，由此在通孔蚀刻中重新打开特定的蚀刻开口（11），并且该开口用金属化或介电材料（10,12）重新闭合在低压下进行以下处理步骤。

8. 发明授权

US5700702A Method for manufacturing an acceleration sensor 失效
标题翻译：加速度传感器的制造方法
公开(公告)号：US5700702A
公开(公告)日：1997-12-23
申请号：US676282
申请日：1996-07-17
申请人： Helmut Klose , Markus Biebl , Thomas Scheiter , Christofer Hierold
发明人： Helmut Klose , Markus Biebl , Thomas Scheiter , Christofer Hierold
IPC分类号： G01P15/08 , G01P15/125 , H01L29/84 , H01L21/265
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/0802 , G01P2015/0828 , Y10S148/159
摘要： Manufacturing method for an acceleration sensor on silicon, whereby, following the manufacture of the doped regions required for the electronic function elements, a polysilicon layer is deposited. The polysilicon layer is structured such that a portion of this polysilicon layer forms an electrode (for example, the emitter electrode (9) and the collector electrode (10) of a transistor) and a sensor layer (17) provided as sensor element.
摘要翻译： PCT No.PCT / DE95 / 00022 Sec。 371日期：1996年7月17日 102（e）日期1996年7月17日PCT 1995年1月10日PCT PCT。第WO95 / 19572号公报日期1995年7月20日硅上的加速度传感器的制造方法，其中，在制造电子功能元件所需的掺杂区域之后，沉积多晶硅层。多晶硅层被构造为使得该多晶硅层的一部分形成电极（例如，发射极（9）和晶体管的集电极（10））和设置为传感器元件的传感器层（17）。

9. 发明授权

US06668072B1 Method for producing a reference image for pattern recognition tasks 有权
标题翻译：用于生成模式识别任务的参考图像的方法
公开(公告)号：US06668072B1
公开(公告)日：2003-12-23
申请号：US09708296
申请日：2000-11-08
申请人： Gerd Hribernig , Wolfgang Marius , Christofer Hierold , Thomas Scheiter
发明人： Gerd Hribernig , Wolfgang Marius , Christofer Hierold , Thomas Scheiter
IPC分类号： G06K936
CPC分类号： G06K9/00087 , G06T2200/32
摘要： A reference image for pattern recognition tasks is produced. Overlapping individual images are combined to form an overall image and the overall image is used as the reference image. This allows the size of reference images for fingerprints, for instance, which has hitherto been governed by the sensor area, to be increased. The recognition rate can thus be improved.
摘要翻译：产生用于模式识别任务的参考图像。将重叠的单个图像组合以形成整体图像，并将整体图像用作参考图像。这允许例如迄今为止由传感器区域控制的指纹的参考图像的大小增加。因此可以提高识别率。

10. 发明授权

US5974895A Capacitively measuring sensor and readout circuit 失效
标题翻译：电容式测量传感器和读出电路
公开(公告)号：US5974895A
公开(公告)日：1999-11-02
申请号：US880651
申请日：1997-06-23
申请人： Max Steger , Thomas Scheiter , Christofer Hierold , Reinhold Noe
发明人： Max Steger , Thomas Scheiter , Christofer Hierold , Reinhold Noe
IPC分类号： G01L1/14 , G01D5/24 , G01L9/00 , G01L9/12 , G01P15/125 , G01R17/10 , G01R27/26 , G01B7/16
CPC分类号： G01D5/24 , G01L9/12 , G01P15/125 , G01R27/2605
摘要： A capacitance to be measured is connected together with three further capacitances to form a bridge circuit, in which each two of the capacitors are connected in series, and these two series circuits are connected in parallel to one another, and which replaces a part of the input stage of a .SIGMA.-.DELTA. modulator. As inputs of this bridge circuit, terminals are provided at the ends of these series circuits, and as outputs terminals are respectively provided between the capacitors connected one after the other in series. In a sensor realized thereby, two capacitively measuring sensor elements of the same type are used. These capacitors are built into the bridge circuit together with two equally large reference capacitors in such a way that exactly one measurement capacitor and one reference capacitor is La connected is connected to each input and to each output of the bridge circuit.
摘要翻译：要测量的电容与三个另外的电容连接在一起形成桥接电路，其中每两个电容器串联连接，并且这两个串联电路彼此并联连接，并且其中的一部分 SIGMA-DELTA调制器的输入级。作为该桥式电路的输入端子，在这些串联电路的端部设置有端子，在串联连接的电容器之间分别设置有输出端子。在由此实现的传感器中，使用相同类型的两个电容测量传感器元件。这些电容器与两个同样大的参考电容器一起内置在桥式电路中，使得一个测量电容器和一个参考电容器La连接到桥接电路的每个输入和每个输出。

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