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1. 发明申请

US20080178140A1 METHOD FOR CORRECTING PHOTOMASK PATTERN 审中-公开
标题翻译：校正光子图案的方法
公开(公告)号：US20080178140A1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：US11624544
申请日：2007-01-18
申请人： Ling-Chieh Lin , Chuen-Huei Yang , Chien-Fu Lee , I-Hsiung Huang
发明人： Ling-Chieh Lin , Chuen-Huei Yang , Chien-Fu Lee , I-Hsiung Huang
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36
摘要： A method for correcting a photomask pattern is disclosed. The correction method determines a layout condition according to the space and line width of a layout pattern. The layout condition is used to determine the type of optical proximity correction to be used for a layout pattern in order to generate a correction pattern, and the correction pattern is compared with a predetermined specification. Furthermore, a modified-rule optical proximity correction table is employed to correct the special layout pattern. Therefore, the fidelity correction may be easily implemented.
摘要翻译：公开了一种用于校正光掩模图案的方法。校正方法根据布局图案的空间和线宽确定布局条件。布局条件用于确定要用于布局图案的光学邻近校正的类型，以便生成校正图案，并且将校正图案与预定规格进行比较。此外，采用修改规则光学邻近校正表来校正特殊布局图案。因此，可以容易地实现保真度校正。

2. 发明授权

US07008732B2 Photomask pattern 有权
标题翻译：光掩模图案
公开(公告)号：US07008732B2
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：US10457978
申请日：2003-06-09
申请人： Chin-Lung Lin , Chuen-Huei Yang , Wen-Tien Hung
发明人： Chin-Lung Lin , Chuen-Huei Yang , Wen-Tien Hung
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/26
摘要： A photomask pattern on a substrate is provided. The photomask pattern comprises a main pattern and a sub-resolution assistant feature. The sub-resolution assistant feature is located on the sides of the main pattern. Furthermore, the sub-resolution assistant feature comprises a first assistant feature and a second assistant feature. The first assistant feature is formed close to the main pattern and the second assistant feature is formed further away from the main pattern but adjacent to the first assistant feature. There is a phase difference of 180° between the first assistant feature and the main pattern. Similarly, there is a phase difference of 180° between the second assistant feature and the first assistant feature. Since the main pattern is bordered by reverse-phase assistant feature, exposure resolution of the photomask is increased.
摘要翻译：提供了基板上的光掩模图案。光掩模图案包括主图案和子分辨率辅助特征。子分辨率辅助功能位于主图案的两侧。此外，子分辨率辅助特征包括第一辅助特征和第二辅助特征。第一辅助功能形成在主模式附近，第二辅助功能远离主模式形成，但与第一辅助功能相邻。第一辅助特征与主图案之间存在180°的相位差。类似地，在第二辅助特征和第一辅助特征之间存在180°的相位差。由于主图案由反相辅助功能界定，因此增加了光掩模的曝光分辨率。

3. 发明申请

US20090119045A1 METHOD OF INSPECTING PHOTOMASK DEFECT 有权
标题翻译：检查光斑缺陷的方法
公开(公告)号：US20090119045A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：US11934524
申请日：2007-11-02
申请人： Te-Hung Wu , Shih-Ming Yen , Chih-Hao Wu , Chuen-Huei Yang
发明人： Te-Hung Wu , Shih-Ming Yen , Chih-Hao Wu , Chuen-Huei Yang
IPC分类号： G06F19/00
CPC分类号： G03F1/84
摘要： A method of inspecting defect of a mask is provided. In this method, a database for storing a plurality of virtual simulation models is created. The virtual simulation models are determined by a plurality of factors including an optical effect and a chemical effect during the transferring the pattern of a mask to the photoresist layer on a wafer. A mask defect image is acquired. A simulation contour of the mask defect image is generated from at least one virtual simulation model in the database. Next, the acceptability of the mask is determined.
摘要翻译：提供了一种检查面罩缺陷的方法。在该方法中，创建用于存储多个虚拟模拟模型的数据库。虚拟模拟模型由在掩模图案转移到晶片上的光致抗蚀剂层的多个因素确定，包括光学效应和化学效应。获取掩模缺陷图像。从数据库中的至少一个虚拟仿真模型生成掩模缺陷图像的模拟轮廓。接下来，确定掩模的可接受性。

4. 发明授权

US07669153B2 Method for correcting photomask pattern 有权
标题翻译：光掩模图案校正方法
公开(公告)号：US07669153B2
公开(公告)日：2010-02-23
申请号：US11742372
申请日：2007-04-30
申请人： Te-Hung Wu , Chuen-Huei Yang , Sheng-Yuan Huang , Chia-Wei Huang , Pei-Ru Tsai
发明人： Te-Hung Wu , Chuen-Huei Yang , Sheng-Yuan Huang , Chia-Wei Huang , Pei-Ru Tsai
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36
摘要： A method for correcting a photomask pattern is provided. The correcting method performs a verification of a focus-exposure matrix (FEM) and an overlay variation on a layout area having contact holes or vias in a layout pattern so as to generate a hint information. The layout pattern of the photomask is corrected according to the hint information to prevent the contact holes or vias from being exposed in arrangement to corresponding metal layer, poly layer, or diffusion layer.
摘要翻译：提供了一种用于校正光掩模图案的方法。校正方法在布局图案中对具有接触孔或通孔的布局区域执行聚焦曝光矩阵（FEM）和覆盖变化的验证，以产生提示信息。根据提示信息校正光掩模的布局图案，以防止接触孔或通孔暴露于相应的金属层，多晶硅层或扩散层。

5. 发明授权

US07664614B2 Method of inspecting photomask defect 有权
标题翻译：检查光掩模缺陷的方法
公开(公告)号：US07664614B2
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：US11934524
申请日：2007-11-02
申请人： Te-Hung Wu , Shih-Ming Yen , Chih-Hao Wu , Chuen-Huei Yang
发明人： Te-Hung Wu , Shih-Ming Yen , Chih-Hao Wu , Chuen-Huei Yang
IPC分类号： G06F19/00 , G06F17/40
CPC分类号： G03F1/84
摘要： A method of inspecting defect of a mask is provided. In this method, a database for storing a plurality of virtual simulation models is created. The virtual simulation models are determined by a plurality of factors including an optical effect and a chemical effect during the transferring the pattern of a mask to the photoresist layer on a wafer. A mask defect image is acquired. A simulation contour of the mask defect image is generated from at least one virtual simulation model in the database. Next, the acceptability of the mask is determined.
摘要翻译：提供了一种检查面罩缺陷的方法。在该方法中，创建用于存储多个虚拟模拟模型的数据库。虚拟模拟模型由在掩模图案转移到晶片上的光致抗蚀剂层的多个因素确定，包括光学效应和化学效应。获取掩模缺陷图像。从数据库中的至少一个虚拟仿真模型生成掩模缺陷图像的模拟轮廓。接下来，确定掩模的可接受性。

6. 发明申请

US20080220341A1 MASK PATTERN AND METHOD FOR FORMING THE SAME 有权
标题翻译：掩模图案及其形成方法
公开(公告)号：US20080220341A1
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：US11683778
申请日：2007-03-08
申请人： Chuan-Hsien Fu , Chuen-Huei Yang , Chien-Li Kuo , Shu-Ru Wang , Yu-Lin Wang
发明人： Chuan-Hsien Fu , Chuen-Huei Yang , Chien-Li Kuo , Shu-Ru Wang , Yu-Lin Wang
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/36
摘要： The invention provides a mask pattern. The mask pattern comprises at least a continuous pattern. Each of the continuous patterns has a first pattern, a second pattern and a set of assistance patterns. The assistant patterns are located between the first pattern to the second pattern. The first pattern, the assistant patterns and the second pattern together form a closed opening.
摘要翻译：本发明提供一种掩模图案。掩模图案至少包括连续图案。每个连续图案具有第一图案，第二图案和一组辅助图案。辅助图案位于第一图案与第二图案之间。第一种图案，辅助图案和第二图案一起形成封闭的开口。

7. 发明授权

US07141337B2 Phase shift mask 有权
标题翻译：相移掩模
公开(公告)号：US07141337B2
公开(公告)日：2006-11-28
申请号：US10249372
申请日：2003-04-03
申请人： Chin-Lung Lin , Chuen-Huei Yang , Ming-Jui Chen , Wen-Tien Hung
发明人： Chin-Lung Lin , Chuen-Huei Yang , Ming-Jui Chen , Wen-Tien Hung
IPC分类号： G01F9/00
CPC分类号： G03F1/34 , G03F1/30
摘要： A phase shift mask includes a transparent substrate, a semi-dense pattern, and a dense pattern. The semi-dense pattern is formed on the transparent substrate including a plurality of phase shift regions and non-phase shift regions arranged successively. The dense pattern is formed on the transparent substrate including a plurality of non-phase shift regions, phase shift regions, and non-transparent regions.
摘要翻译：相移掩模包括透明衬底，半致密图案和致密图案。半致密图案形成在包括相继排列的多个相移区域和非相移区域的透明基板上。密集图案形成在包括多个非相移区域，相移区域和不透明区域的透明基板上。

8. 发明授权

US5916717A Process utilizing relationship between reflectivity and resist thickness for inhibition of side effect caused by halftone phase shift masks 失效
标题翻译：工艺利用反射率和抗蚀剂厚度之间的关系来抑制由半色调相移掩模引起的副作用
公开(公告)号：US5916717A
公开(公告)日：1999-06-29
申请号：US44058
申请日：1998-03-19
申请人： Chuen-Huei Yang , Chang-Ming Dai
发明人： Chuen-Huei Yang , Chang-Ming Dai
IPC分类号： G03F7/16 , G03F9/00
CPC分类号： G03F7/162
摘要： A method of forming and exposing a layer of resist which will minimize or eliminate side lobe effect resulting from the use of phase shifting masks or attenuating phase shifting masks in the exposed and developed layer of resist. The curve of reflectivity as a function of resist thickness, or swing curve, is calculated using the index of refraction, n, and the extinction coefficient, k, of the resist material and plotted. An optimum thickness of the resist corresponding to a relative maximum of the swing curve is chosen. The angular velocity used to spin the resist onto wafers is selected to produce the optimum thickness. Wafers having a resist layer with the optimum thickness are then prepared, exposed, and developed. The layer of resist may have a layer of anti-reflective material on the top surface of the layer of resist if desired.
摘要翻译：形成和曝光抗蚀剂层的方法，其将最小化或消除在曝光和显影的抗蚀剂层中使用相移掩模或衰减相移掩模产生的旁瓣效应。使用折射率n和抗蚀剂材料的消光系数k来计算反射率作为抗蚀剂厚度或摆动曲线的函数的曲线，并绘制。选择对应于摆动曲线的相对最大值的抗蚀剂的最佳厚度。选择用于将抗蚀剂旋转到晶片上的角速度以产生最佳厚度。然后制备具有最佳厚度的抗蚀剂层的晶片，曝光和显影。如果需要，抗蚀剂层可以在抗蚀剂层的顶表面上具有一层抗反射材料。

9. 发明授权

US08166424B2 Method for constructing OPC model 有权
标题翻译：构建OPC模型的方法
公开(公告)号：US08166424B2
公开(公告)日：2012-04-24
申请号：US12211657
申请日：2008-09-16
申请人： Te-Hung Wu , Chuen-Huei Yang
发明人： Te-Hung Wu , Chuen-Huei Yang
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/44 , G03F1/36 , G03F1/68
摘要： A method for constructing an optical proximity correction (OPC) model is described. A test pattern is provided, and the test pattern is then written on a mask. The pattern on the mask is measured to obtain a modified pattern. An OPC model is constructed according to the modified pattern.
摘要翻译：描述了用于构造光学邻近校正（OPC）模型的方法。提供测试图案，然后将测试图案写在面罩上。测量掩模上的图案以获得修改的图案。根据修改后的模式构建OPC模型。

10. 发明授权

US07687206B2 Mask pattern and method for forming the same 有权
标题翻译：掩模图案及其形成方法
公开(公告)号：US07687206B2
公开(公告)日：2010-03-30
申请号：US11683778
申请日：2007-03-08
申请人： Chuan-Hsien Fu , Chuen-Huei Yang , Chien-Li Kuo , Shu-Ru Wang , Yu-Lin Wang
发明人： Chuan-Hsien Fu , Chuen-Huei Yang , Chien-Li Kuo , Shu-Ru Wang , Yu-Lin Wang
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/36
摘要： The invention provides a mask pattern. The mask pattern comprises at least a continuous pattern. Each of the continuous patterns has a first pattern, a second pattern and a set of assistance patterns. The assistant patterns are located between the first pattern to the second pattern. The first pattern, the assistant patterns and the second pattern together form a closed opening.
摘要翻译：本发明提供一种掩模图案。掩模图案至少包括连续图案。每个连续图案具有第一图案，第二图案和一组辅助图案。辅助图案位于第一图案与第二图案之间。第一种图案，辅助图案和第二图案一起形成封闭的开口。

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