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    • 8. 发明授权
    • Protruding post resistive memory devices
    • 突出后阻性存储器件
    • US08664634B2
    • 2014-03-04
    • US13599259
    • 2012-08-30
    • Hyun-Ju LeeJae-Kyu Lee
    • Hyun-Ju LeeJae-Kyu Lee
    • H01L27/105H01L29/12
    • H01L27/2436H01L27/2463H01L45/04H01L45/06H01L45/1233H01L45/144
    • A resistive memory device may include a substrate, gate electrode structures, a first impurity region, a second impurity region, a first metal silicide pattern and a second metal silicide pattern. The substrate may have a first region where isolation patterns and first active patterns may be alternately arranged in a first direction, and a second region where linear second active patterns may be extended in the first direction. The gate electrode structures may be arranged between the first region and the second region of the substrate. The first and second impurity regions may be formed in the first and second impurity regions. The first metal silicide pattern may have an isolated shape configured to make contact with an upper surface of the first impurity region. The second metal silicide pattern may make contact with an upper surface of the second impurity region.
    • 电阻式存储器件可以包括衬底,栅电极结构,第一杂质区,第二杂质区,第一金属硅化物图案和第二金属硅化物图案。 衬底可以具有其中隔离图案和第一有源图案可以沿第一方向交替布置的第一区域,以及可以在第一方向上延伸线性第二有源图案的第二区域。 栅极电极结构可以布置在衬底的第一区域和第二区域之间。 第一和第二杂质区可以形成在第一和第二杂质区中。 第一金属硅化物图案可以具有被配置为与第一杂质区的上表​​面接触的隔离形状。 第二金属硅化物图案可以与第二杂质区域的上表面接触。