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    • 8. 发明申请
      US20060134856A1 Method for manufacturing capacitor of semiconductor element 失效
    • Method for manufacturing capacitor of semiconductor element
    • 制造半导体元件电容器的方法
    • US20060134856A1
    • 2006-06-22
    • US11089122
    • 2005-03-24
    • Ho Cho , Jun Chang , Eun Lee , Su Chae , Young Kim
    • Ho Cho , Jun Chang , Eun Lee , Su Chae , Young Kim
    • H01L21/8242
    • H01L21/02312 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/3144 , H01L28/60
    • A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element including: forming a bottom electrode of the capacitor on a semiconductor substrate; performing rapid thermal nitrification (RTN) on the upper surface of the bottom electrode; performing a thermal process on the obtained structure having the bottom electrode in a furnace under a nitride atmosphere to eliminate stress generated by the RTN; forming Al2O3 and HfO2 dielectric films on the nitrified bottom electrode; and forming a plate electrode of the capacitor on the Al2O3 and HfO2 dielectric films. The thermal process is performed after the RTN performed on the surface of the bottom electrode, so that stress, generated from the RTN, is alleviated, thereby allowing the capacitor to obtain a high capacitance and lowering leakage current.
    • 一种制造半导体元件的电容器的方法，包括：在半导体衬底上形成电容器的底部电极; 在底电极的上表面进行快速热硝化（RTN）; 对所获得的在氮化物气氛下的炉中具有底部电极的结构进行热处理以消除由RTN产生的应力; 在硝化的底部电极上形成Al 2 O 3 N 3和HfO 2 N 2电介质膜; 以及在Al 2 O 3和HfO 2 N 2电介质膜上形成电容器的平板电极。 在底电极表面进行RTN之后进行热处理，从而可以减轻由RTN产生的应力，从而使电容器获得高电容，降低漏电流。
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    • 9. 发明申请
      US20070076493A1 Circuit for generating data strobe signal of semiconductor memory device 有权
    • Circuit for generating data strobe signal of semiconductor memory device
    • 用于生成半导体存储器件的数据选通信号的电路
    • US20070076493A1
    • 2007-04-05
    • US11606928
    • 2006-12-01
    • Sung Ha , Ho Cho
    • Sung Ha , Ho Cho
    • G11C7/00
    • G11C7/222 , G11C7/22 , G11C8/18 , G11C11/4076
    • A circuit for generating a data strobe signal of a semiconductor memory device comprises a plurality of internal clock delay units, a selecting control unit and a pulse generating unit. The plurality of internal clock delay units delay an internal clock signal in response to a plurality of CAS latency signal. The selecting control unit logically combines a data latch control signal to latch input data with output signals from the plurality of internal clock delay units. The pulse generating unit generates the data strobe signal having a predetermined pulse in response to an output signal from the selecting control unit. In the circuit, a tDQSS margin is regulated depending on change of tCK of an operating frequency in response to a CAS latency signal.
    • 用于产生半导体存储器件的数据选通信号的电路包括多个内部时钟延迟单元，选择控制单元和脉冲产生单元。 多个内部时钟延迟单元响应于多个CAS等待时间信号来延迟内部时钟信号。 选择控制单元逻辑地组合数据锁存控制信号以将输入数据与来自多个内部时钟延迟单元的输出信号进行锁存。 脉冲发生单元响应于来自选择控制单元的输出信号产生具有预定脉冲的数据选通信号。 在该电路中，根据CAS等待时间信号，根据工作频率的tCK的变化来调整tDQSS裕量。
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    • 10. 发明申请
      US20060104119A1 Local input/output line precharge circuit of semiconductor memory device 失效
    • Local input/output line precharge circuit of semiconductor memory device
    • 半导体存储器件本地输入/输出线预充电电路
    • US20060104119A1
    • 2006-05-18
    • US11115373
    • 2005-04-27
    • Sung Ha , Ho Cho
    • Sung Ha , Ho Cho
    • G11C11/34
    • G11C7/12
    • A local input/output line precharge circuit of a semiconductor memory device comprises a precharge control unit, an equalization unit and a data output unit. The precharge control unit outputs a precharge control signal to precharge a pair of local input/output lines in response to a continuous write signal activated when a write operation continues. The equalization unit precharges and equalizing the pair of local input/output lines in response to the precharge control signal. The data output unit outputs data signals of a pair of global input/output lines to the pair of local input/output lines in response to output signal from the equalization unit. In the circuit, a local input/output line precharge operation is not performed at a continuous write mode, thereby reducing current consumption.
    • 半导体存储器件的本地输入/输出线预充电电路包括预充电控制单元，均衡单元和数据输出单元。 预充电控制单元输出预充电控制信号，以便在写入操作继续时响应于激活的连续写入信号对一对本地输入/输出线进行预充电。 均衡单元响应于预充电控制信号对一对本地输入/输出线进行预充电和均衡。 数据输出单元响应于来自均衡单元的输出信号，将一对全局输入/输出线的数据信号输出到一对本地输入/输出线。 在该电路中，在连续写入模式下不执行局部输入/输出线预充电操作，从而减少电流消耗。
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