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    • 5. 发明授权
    • Method for manufacturing semiconductor wafer
    • 制造半导体晶片的方法
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    • 2009-01-20
    • US11157905
    • 2005-06-22
    • Ki-Kwon JeongHyeon Hwang
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    • H01L21/302
    • H01L21/6836H01L21/304H01L21/30625H01L2221/68327
    • A method may involve mounting a first supporting plate on an active surface of a wafer using an adhesive. A portion of the back surface of the wafer may be backlapped. A second supporting plate may be mounted on the back surface of the wafer using an adhesive. The first supporting plate may be removed from the active surface of the wafer. Conductive bumps may be provided on the active surface. A backlapping process may include a first grinding process, a second grinding process, and a polishing process. The first and the second supporting plates may be fabricated from a solid material. The adhesive may be an ultraviolet cure adhesive or a thermal cure adhesive.
    • 一种方法可包括使用粘合剂将第一支撑板安装在晶片的有效表面上。 晶片背表面的一部分可能被重叠。 可以使用粘合剂将第二支撑板安装在晶片的背面上。 第一支撑板可以从晶片的有效表面移除。 可以在活性表面上设置导电凸块。 重叠过程可以包括第一研磨工艺,第二研磨工艺和抛光工艺。 第一和第二支撑板可以由固体材料制成。 粘合剂可以是紫外线固化粘合剂或热固化粘合剂。