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    • 6. 发明授权
      US08142845B2 Process for the manufacturing of dense silicon carbide 失效
    • Process for the manufacturing of dense silicon carbide
    • 制造致密碳化硅的工艺
    • US08142845B2
    • 2012-03-27
    • US12880751
    • 2010-09-13
    • Abuagela H. Rashed , Rex G. Sheppard , Donald J. Bray
    • Abuagela H. Rashed , Rex G. Sheppard , Donald J. Bray
    • C23C16/32
    • C04B35/573 , C04B38/0022 , C04B38/0032 , C04B2111/00905 , C04B2111/2084 , C04B2235/48 , C04B2235/483 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B35/565 , C04B41/5059 , C04B35/52 , C04B38/0058
    • A method of producing a densified SiC article is provided. Near-net shape porous silicon carbide articles are produced and densified using the developed method. A substantial number of pores within the porous near-net shape silicon carbide article are filled (impregnated) with a carbon precursor, a silicon carbide precursor, or a mixture of both. The carbon precursor can be liquid or gas. The filled SiC preform is heated to convert the carbon or silicon carbide precursor to porous carbon or SiC preform inside the pores of the net-shape silicon carbide article. The impregnation/pyrolysis cycle is repeated until the desired amount of carbon and/or silicon carbide is achieved. In case of a carbon or a mixture of silicon carbide/carbon precursor is used, the pyrolyzed near-net shape silicon carbide article is then contacted with silicon in an inert atmosphere. The silicon diffuses through the pyrolyzed near-net shape silicon carbide article and reacts with the carbon contained within the pores of the porous SiC preform producing a new phase of silicon carbide within the pores of the near-net shape silicon carbide article. The produced silicon carbide is a near-net dense silicon carbide article.
    • 提供一种生产致密化SiC制品的方法。 使用开发的方法制造和致密近净形状的多孔碳化硅制品。 多孔近网状碳化硅制品内的大量孔被碳前体，碳化硅前体或两者的混合物填充（浸渍）。 碳前体可以是液体或气体。 加热填充的SiC预制件以将碳或碳化硅前体转变成网状碳化硅制品的孔内的多孔碳或SiC预制件。 重复浸渍/热解循环，直到达到所需量的碳和/或碳化硅。 在使用碳或碳化硅/碳前体的混合物的情况下，然后将热解的近净形碳化硅制品在惰性气氛中与硅接触。 硅通过热解的近净形状的碳化硅制品扩散并与包含在多孔SiC预制件的孔内的碳发生反应，在近净状碳化硅制品的孔内产生新的碳化硅相。 生产的碳化硅是近净密度的碳化硅制品。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 7. 发明申请
      US20110059240A1 PROCESS FOR THE MANUFACTURING OF DENSE SILICON CARBIDE 失效
    • PROCESS FOR THE MANUFACTURING OF DENSE SILICON CARBIDE
    • 制造渗碳碳化物的工艺
    • US20110059240A1
    • 2011-03-10
    • US12880751
    • 2010-09-13
    • Abuagela H. Rashed , Rex G. Sheppard , Donald J. Bray
    • Abuagela H. Rashed , Rex G. Sheppard , Donald J. Bray
    • B05D3/02 , C23C16/32
    • C04B35/573 , C04B38/0022 , C04B38/0032 , C04B2111/00905 , C04B2111/2084 , C04B2235/48 , C04B2235/483 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B35/565 , C04B41/5059 , C04B35/52 , C04B38/0058
    • A method of producing a densified SiC article is provided. Near-net shape porous silicon carbide articles are produced and densified using the developed method. A substantial number of pores within the porous near-net shape silicon carbide article are filled (impregnated) with a carbon precursor, a silicon carbide precursor, or a mixture of both. The carbon precursor can be liquid or gas. The filled SiC preform is heated to convert the carbon or silicon carbide precursor to porous carbon or SiC preform inside the pores of the net-shape silicon carbide article. The impregnation/pyrolysis cycle is repeated until the desired amount of carbon and/or silicon carbide is achieved. In case of a carbon or a mixture of silicon carbide/carbon precursor is used, the pyrolyzed near-net shape silicon carbide article is then contacted with silicon in an inert atmosphere. The silicon diffuses through the pyrolyzed near-net shape silicon carbide article and reacts with the carbon contained within the pores of the porous SiC preform producing a new phase of silicon carbide within the pores of the near-net shape silicon carbide article. The produced silicon carbide is a near-net dense silicon carbide article.
    • 提供一种生产致密化SiC制品的方法。 使用开发的方法制造和致密近净形状的多孔碳化硅制品。 多孔近网状碳化硅制品内的大量孔被碳前体，碳化硅前体或两者的混合物填充（浸渍）。 碳前体可以是液体或气体。 加热填充的SiC预制件以将碳或碳化硅前体转变成网状碳化硅制品的孔内的多孔碳或SiC预制件。 重复浸渍/热解循环，直到达到所需量的碳和/或碳化硅。 在使用碳或碳化硅/碳前体的混合物的情况下，然后将热解的近净形碳化硅制品在惰性气氛中与硅接触。 硅通过热解的近净形状的碳化硅制品扩散并与包含在多孔SiC预制件的孔内的碳发生反应，在近净状碳化硅制品的孔内产生新的碳化硅相。 生产的碳化硅是近净密度的碳化硅制品。
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    • 8. 发明授权
      US07799375B2 Process for the manufacturing of dense silicon carbide 失效
    • Process for the manufacturing of dense silicon carbide
    • 制造致密碳化硅的工艺
    • US07799375B2
    • 2010-09-21
    • US11170199
    • 2005-06-29
    • Abuagela H. Rashed , Rex G. Sheppard , Donald J. Bray
    • Abuagela H. Rashed , Rex G. Sheppard , Donald J. Bray
    • C23C16/32
    • C04B35/573 , C04B38/0022 , C04B38/0032 , C04B2111/00905 , C04B2111/2084 , C04B2235/48 , C04B2235/483 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B35/565 , C04B41/5059 , C04B35/52 , C04B38/0058
    • A method of producing a densified SiC article is provided. Near-net shape porous silicon carbide articles are produced and densified using the developed method. A substantial number of pores within the porous near-net shape silicon carbide article are filled (impregnated) with a carbon precursor, a silicon carbide precursor, or a mixture of both. The carbon precursor can be liquid or gas. The filled SiC preform is heated to convert the carbon or silicon carbide precursor to porous carbon or SiC preform inside the pores of the net-shape silicon carbide article. The impregnation/pyrolysis cycle is repeated until the desired amount of carbon and/or silicon carbide is achieved. In case of a carbon or a mixture of silicon carbide/carbon precursor is used, the pyrolyzed near-net shape silicon carbide article is then contacted with silicon in an inert atmosphere. The silicon diffuses through the pyrolyzed near-net shape silicon carbide article and reacts with the carbon contained within the pores of the porous SiC preform producing a new phase of silicon carbide within the pores of the near-net shape silicon carbide article. The produced silicon carbide is a near-net dense silicon carbide article.
    • 提供一种生产致密化SiC制品的方法。 使用开发的方法制造和致密近净形状的多孔碳化硅制品。 多孔近网状碳化硅制品内的大量孔被碳前体，碳化硅前体或两者的混合物填充（浸渍）。 碳前体可以是液体或气体。 加热填充的SiC预制件以将碳或碳化硅前体转变成网状碳化硅制品的孔内的多孔碳或SiC预制件。 重复浸渍/热解循环，直到达到所需量的碳和/或碳化硅。 在使用碳或碳化硅/碳前体的混合物的情况下，然后将热解的近净形碳化硅制品在惰性气氛中与硅接触。 硅通过热解的近净形状的碳化硅制品扩散并与包含在多孔SiC预制件的孔内的碳发生反应，在近净状碳化硅制品的孔内产生新的碳化硅相。 生产的碳化硅是近净密度的碳化硅制品。
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