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    • 8. 发明授权
    • Trench sidewall passivation for lateral RIE in a selective silicon-on-insulator process flow
    • 在选择性绝缘体上硅工艺流程中横向RIE的沟槽侧壁钝化
    • US07081397B2
    • 2006-07-25
    • US10929990
    • 2004-08-30
    • Christopher V. BaioccoAn L. SteegenYing Zhang
    • Christopher V. BaioccoAn L. SteegenYing Zhang
    • H01L21/76
    • H01L21/76232
    • A lateral trench in a semiconductor substrate is formed by the following steps. Form a lateral implant mask (LIM) over a top surface of the semiconductor substrate. Implant a heavy dopant concentration into the substrate through the LIM to form a lateral implant region (LIR) in the substrate. Strip the LIM exposing the top surface of the substrate. Form an epitaxial silicon layer over the top surface of the substrate burying the LIR. Form a trench mask over the epitaxial layer. Etch a trench reaching through the epitaxial layer and the LIR. Form oxidized trench sidewalls, an oxidized trench bottom and oxidized sidewalls of the LIR. Etch the oxidized sidewalls of the LIR until the LIR is exposed. Form laterally extending trenches by etching away the LIR.
    • 通过以下步骤形成半导体衬底中的横向沟槽。 在半导体衬底的顶表面上形成横向植入掩模(LIM)。 通过LIM将重掺杂浓度植入到衬底中,以在衬底中形成横向植入区域(LIR)。 剥离LIM暴露衬底的顶部表面。 在掩埋LIR的衬底的顶表面上形成外延硅层。 在外延层上形成沟槽掩模。 蚀刻穿过外延层和LIR的沟槽。 形成氧化的沟槽侧壁,氧化沟槽底部和LIR的氧化侧壁。 蚀刻LIR的氧化侧壁,直到LIR暴露。 通过蚀刻掉LIR形成横向延伸的沟槽。