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1. 发明授权

US07898059B2 Semiconductor device comprising passive components 有权
标题翻译：包括无源元件的半导体器件
公开(公告)号：US07898059B2
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：US12426837
申请日：2009-04-20
申请人： Thomas P. Remmel , Peter Zurcher , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller
发明人： Thomas P. Remmel , Peter Zurcher , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L27/016 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form a top electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).
摘要翻译：制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610）在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电极的电极（212,712,1212,1612）电容器，并且限定电阻器（230,730,1330）。

2. 发明授权

US06919244B1 Method of making a semiconductor device, and semiconductor device made thereby 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和由此制成的半导体器件
公开(公告)号：US06919244B1
公开(公告)日：2005-07-19
申请号：US10799554
申请日：2004-03-10
申请人： Thomas P. Remmel , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller , Peter Zurcher
发明人： Thomas P. Remmel , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller , Peter Zurcher
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L29/00 , H01L29/76 , H01L29/94 , H01L31/119
CPC分类号： H01L27/0682 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form a top electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).
摘要翻译：制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610）在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电极的电极（212,712,1212,1612）电容器，并且限定电阻器（230,730,1330）。

3. 发明申请

US20090224365A1 Semiconductor Device Comprising Passive Components 有权
标题翻译：包括被动元件的半导体器件
公开(公告)号：US20090224365A1
公开(公告)日：2009-09-10
申请号：US12426837
申请日：2009-04-20
申请人： Thomas P. Remmel , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller , Peter Zurcher
发明人： Thomas P. Remmel , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller , Peter Zurcher
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L27/016 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form a top electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).
摘要翻译：制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610）在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电极的电极（212,712,1212,1612）电容器，并且限定电阻器（230,730,1330）。

4. 发明授权

US07535079B2 Semiconductor device comprising passive components 有权
标题翻译：包括无源元件的半导体器件
公开(公告)号：US07535079B2
公开(公告)日：2009-05-19
申请号：US11899218
申请日：2007-09-04
申请人： Thomas P. Remmel , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller , Peter Zurcher
发明人： Thomas P. Remmel , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller , Peter Zurcher
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L27/016 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form a top electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).
摘要翻译：制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610）在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电极的电极（212,712,1212,1612）电容器，并且限定电阻器（230,730,1330）。

5. 发明申请

US20080128901A1 Micro-electro-mechanical systems device and integrated circuit device integrated in a three-dimensional semiconductor structure 审中-公开
标题翻译：微机电系统器件和集成电路器件集成在三维半导体结构中
公开(公告)号：US20080128901A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：US11606739
申请日：2006-11-30
申请人： Peter Zurcher , Carl E. D'Acosta , Thomas P. Remmel
发明人： Peter Zurcher , Carl E. D'Acosta , Thomas P. Remmel
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/50 , H01L23/64
CPC分类号： B81C1/00238 , H01L23/585 , H01L25/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要： Semiconductor devices (300, 400, and 500) including an integrated circuit (IC) device (100) coupled to a micro-electro-mechanical systems (MEMS) device (200) and a method (600) for producing same are disclosed. The IC device includes a die seal ring (130) and the MEMS device includes a MEMS seal ring (230), and the IC device is coupled to the MEMS device via the die seal ring and the MEMS seal ring. The MEMS device may include one or more passive devices (450, 475) coupled to it. Moreover, a substrate (510) including an aperture (550) may be coupled to the passive device, wherein the aperture enables the passive device to be trimmed after being disposed on the MEMS device. The semiconductor devices include an RF signal path (486) and at least one other signal path (482 and 484), wherein the other signal path(s) may be an analog and/or a digital signal path.
摘要翻译：公开了包括耦合到微电子机械系统（MEMS）装置（200）的集成电路（IC）装置（100）和用于制造其的方法（600））的半导体装置（300,400和500）。 IC器件包括管芯密封环（130），并且MEMS器件包括MEMS密封环（230），并且IC器件经由管芯密封环和MEMS密封环耦合到MEMS器件。 MEMS器件可以包括耦合到其的一个或多个无源器件（450,475）。此外，包括孔径（550）的衬底（510）可以耦合到无源器件，其中，所述孔径使得能够在被放置在MEMS器件上之后对被动器件进行修整。半导体器件包括RF信号路径（486）和至少一个其它信号路径（482和484），其中另一个信号路径可以是模拟和/或数字信号路径。

6. 发明授权

US07306986B2 Method of making a semiconductor device, and semiconductor device made thereby 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和由此制成的半导体器件
公开(公告)号：US07306986B2
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：US11150499
申请日：2005-06-09
申请人： Thomas P. Remmel , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller , Peter Zurcher
发明人： Thomas P. Remmel , Sriram Kalpat , Melvy F. Miller , Peter Zurcher
IPC分类号： H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/0682 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form atop electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).
摘要翻译：制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610）在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电容器的电极（212,712,1212,1612）并且限定电阻器（230,730,1330）。

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