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1. 发明授权

US08450130B2 Method of manufacturing a semiconductor laser 有权
标题翻译：制造半导体激光器的方法
公开(公告)号：US08450130B2
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：US13527188
申请日：2012-06-19
申请人： Kentaro Tada , Kenji Endo , Kazuo Fukagai , Tetsuro Okuda , Masahide Kobayashi
发明人： Kentaro Tada , Kenji Endo , Kazuo Fukagai , Tetsuro Okuda , Masahide Kobayashi
IPC分类号： H01L21/223 , H01L21/225
CPC分类号： H01S5/164 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/22 , H01S5/34313 , H01S5/34326
摘要： Provided is a semiconductor laser, wherein (λa−λw)>15 (nm) and Lt
摘要翻译：提供了一种半导体激光器，其中（λa-lambdaw）> 15（nm）和Lt <25（mum），其中，lambdaw是与设置在距离2内的位置处的有源层的带隙相对应的光的波长从谐振器方向的一个端面起，λa是对应于设置在等于或大于（3/10）L和@（7）的距离的位置处的有源层的带隙的光的波长 / 10）L，谐振器长度为“L”，“Lt”为有源层的位置与光波长对应的带隙之间的过渡区域的长度的羔羊+ 2（nm），并且在谐振器方向上具有对应于λa-2（nm）的光波长的带隙的有源层的位置。

2. 发明申请

US20100220759A1 SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER 有权
标题翻译：半导体激光器和制造半导体激光器的方法
公开(公告)号：US20100220759A1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：US12710607
申请日：2010-02-23
申请人： Kentaro TADA , Kenji ENDO , Kazuo FUKAGAI , Tetsuro OKUDA , Masahide KOBAYASHI
发明人： Kentaro TADA , Kenji ENDO , Kazuo FUKAGAI , Tetsuro OKUDA , Masahide KOBAYASHI
IPC分类号： H01S5/323 , H01L33/02 , H01L21/225 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/164 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/22 , H01S5/34313 , H01S5/34326
摘要： Provided is a semiconductor laser, wherein (λa−λw)>15 (nm) and Lt
摘要翻译：提供了一种半导体激光器，其中（λa-λw）> 15（nm）和Lt <25（μm），其中λw是对应于设置在距离2内的位置的有源层的带隙的光的波长 μm，λa是与位于距离等于或大于（3/10）L的位置处的有源层的带隙对应的光的波长，并且<（7 / 10）L，谐振器长度为“L”，“Lt”为有源层的位置与光波长对应的带隙之间的过渡区域的长度的λw+ 2（nm）的波长的有源层的位置以及在谐振器方向上具有对应于λa-2（nm）的光波长的带隙的有源层的位置。

3. 发明授权

US06259718B1 Distributed feedback laser device high in coupling efficiency with optical fiber 有权
标题翻译：分布式反馈激光器件与光纤耦合效率高
公开(公告)号：US06259718B1
公开(公告)日：2001-07-10
申请号：US09199789
申请日：1998-11-25
申请人： Tetsuro Okuda
发明人： Tetsuro Okuda
IPC分类号： H01S308
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/1206 , H01S5/1215
摘要： A distributed feedback laser device comprises an optical waveguide having one end facet serving as a beam emission surface and the other end facet serving as a reflection surface, an active layer formed between the beam emission surface and the reflection surface, and a diffraction grating formed so as to extend along the active layer in the optical waveguide. The active layer has a first region located nearer to the beam emission surface than to the reflection surface and a second region located nearer to the reflection surface than to the beam emission surface. The first region is narrower in width than the second region. The diffraction grating has first and second portions located along the first and the second regions, respectively. The first portion is longer in pitch than the second portion.
摘要翻译：分布式反馈激光装置包括一个光波导，其具有一个端面用作光束发射表面，另一个端面用作反射表面，形成在光束发射表面和反射表面之间的有源层，以及形成为衍射光栅的衍射光栅以沿着光波导中的有源层延伸。有源层具有比反射表面更靠近光束发射表面的第一区域和位于比反射表面更靠近反射表面的第二区域。第一区域的宽度比第二区域窄。衍射光栅具有分别沿着第一和第二区域设置的第一和第二部分。第一部分的间距比第二部分长。

4. 发明授权

US06229836B1 Semiconductor laser and a method of manufacturing therefor 有权
标题翻译：半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：US06229836B1
公开(公告)日：2001-05-08
申请号：US09328504
申请日：1999-06-09
申请人： Tetsuro Okuda
发明人： Tetsuro Okuda
IPC分类号： H01S319
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2226 , H01S5/2277
摘要： A dopant such as Si is introduced to recombination layers 2. The Si concentration is about 1×1017 to 5×1018 cm−3. Thus, a carrier lifetime in the recombination layers 2 may be reduced to relatively increase a leakage current flowing the recombination layers 2 while relatively reducing a leakage current flowing channels 3.
摘要翻译：将诸如Si的掺杂剂引入复合层2.Si浓度为约1×10 17至5×10 18 cm -3。因此，可以减少复合层2中的载流子寿命，以相对地增加流过复合层2的漏电流，同时相对减少流过通道3的漏电流。

5. 发明授权

US5450432A Semiconductor distributed feedback laser emitting device improved in mutual modulation distortion 失效
标题翻译：半导体分布式反馈激光发射器件改善了互调失真
公开(公告)号：US5450432A
公开(公告)日：1995-09-12
申请号：US303940
申请日：1994-09-09
申请人： Tetsuro Okuda
发明人： Tetsuro Okuda
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/042 , H01S5/06 , H01S5/0625 , H01S3/10
CPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/0425 , H01S5/06258
摘要： A semiconductor distributed feedback laser emitting device has upper electrodes arranged in a longitudinal direction of an oscillator for supplying current to the oscillator, and a separating electrode is provided between the upper electrodes for making the distribution of an electric field strength in the longitudinal direction uniform by changing the current density in the separating electrode with respect to the current density in the upper electrodes, thereby improving a second intermodulation distortion.
摘要翻译：半导体分布式反馈激光发射装置具有沿振荡器的纵向布置的上电极，用于向振荡器提供电流，并且在上电极之间设置分离电极，用于使纵向电场强度分布均匀通过相对于上电极中的电流密度改变分离电极中的电流密度，从而改善第二互调失真。

6. 发明授权

US5394429A Distributed-feedback laser with improved analog modulation distortion characteristics and method for fabricating the same 失效
标题翻译：具有改进的模拟调制失真特性的分布反馈激光器及其制造方法
公开(公告)号：US5394429A
公开(公告)日：1995-02-28
申请号：US144038
申请日：1993-11-01
申请人： Hirohito Yamada , Tetsuro Okuda , Toshitaka Torikai
发明人： Hirohito Yamada , Tetsuro Okuda , Toshitaka Torikai
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/12 , H01S5/20 , H01S5/227 , H01S3/08
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/1064 , H01S5/1206 , H01S5/1215 , H01S5/1225 , H01S5/2077 , H01S5/2272 , H01S5/2277
摘要： A distributed-feedback laser has a diffractive grating, an optical waveguide layer, and an active region. The optical waveguide layer has equivalent refractive indexes larger towards cavity end facets and smaller towards a device center portion along a cavity. The active region containing the optical waveguide layer has widths wider towards the cavity end facets and narrower towards the device center portion along the cavity. The optical waveguide layer has a uniform electric intensity distribution along the cavity to improve the linearity of current versus optical output characteristics. In another arrangement, the optical waveguide layer formed on the diffractive grating has in its compositions longer wavelengths towards the cavity end facets and shorter wavelengths towards the cavity center portion along the cavity, whereby the optical waveguide layer has a uniform optical intensity distribution along the cavity to improve the linearity of current versus optical output characteristics. The distributed-feedback laser provided is with improved analog modulation distortion characteristics.
摘要翻译：分布反馈激光器具有衍射光栅，光波导层和有源区。光波导层具有相对于腔端面较大的等效折射率，并且朝着沿腔的器件中心部分较小。包含光波导层的有源区域具有朝向腔体端面更宽的宽度，并且沿着空腔朝向器件中心部分较窄。光波导层沿着空腔具有均匀的电强度分布，以提高电流对光输出特性的线性度。在另一种布置中，形成在衍射光栅上的光波导层在其组成中具有朝向空腔端面的较长波长和沿着空腔朝向空腔中心部分的较短波长，由此光波导层沿着空腔具有均匀的光强度分布以提高电流对光输出特性的线性度。提供的分布式反馈激光器具有改进的模拟调制失真特性。

7. 发明申请

US20120258558A1 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LASER 有权
标题翻译：制造半导体激光的方法
公开(公告)号：US20120258558A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：US13527188
申请日：2012-06-19
申请人： Kentaro TADA , Kenji ENDO , Kazuo FUKAGAI , Tetsuro OKUDA , Masahide KOBAYASHI
发明人： Kentaro TADA , Kenji ENDO , Kazuo FUKAGAI , Tetsuro OKUDA , Masahide KOBAYASHI
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/02
CPC分类号： H01S5/164 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/22 , H01S5/34313 , H01S5/34326
摘要： Provided is a semiconductor laser, wherein (λa−λw) >15 (nm) and Lt
摘要翻译：提供了一种半导体激光器，其中（λa-λw）> 15（nm）和Lt <25（μm），其中λw是对应于设置在距离2内的位置的有源层的带隙的光的波长 μm，λa是与位于距离等于或大于（3/10）L和＆nlE的位置的有源层的带隙相对应的光的波长;（ 7/10）L，L是谐振器长度，Lt是设置在有源层的位置与具有λw+的光波长的带隙之间的过渡区域的长度， 2（nm），并且在谐振器方向上具有对应于λa-2（nm）的光波长的带隙的有源层的位置。

8. 发明申请

US20110063047A1 BOUNDARY ACOUSTIC WAVE FILTER AND MULTIPLEXER HAVING THE SAME 审中-公开
标题翻译：边界声波滤波器和具有它的多路复用器
公开(公告)号：US20110063047A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：US12880248
申请日：2010-09-13
申请人： Tetsuro OKUDA
发明人： Tetsuro OKUDA
IPC分类号： H03H9/72 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/725 , H03H9/0222 , H03H9/02929 , H03H9/14573
摘要： A boundary acoustic wave filter includes an input terminal, an output terminal, a boundary acoustic wave filter unit connected between the input terminal and the output terminal, and a boundary acoustic wave resonator that is connected between the input terminal and the boundary acoustic wave filter unit and includes a piezoelectric substrate, a dielectric layer formed on the piezoelectric substrate, and an IDT electrode that is disposed at a boundary between the piezoelectric substrate and the dielectric layer and has a pair of comb-shaped electrodes interdigitated with each other. The number of pairs of electrode fingers in the IDT electrode in the boundary acoustic wave resonator is in a range of approximately 57.5 to approximately 77.5.
摘要翻译：一种边界声波滤波器，包括输入端子，输出端子，连接在输入端子和输出端子之间的边界声波滤波器单元，以及连接在输入端子和声界面波滤波器单元之间的边界声波谐振器并且包括压电基板，形成在压电基板上的电介质层和设置在压电基板和电介质层之间的边界处并具有彼此交叉指向的一对梳状电极的IDT电极。边界弹性波谐振器中的IDT电极中的电极指的对数在约57.5至约77.5的范围内。

9. 发明授权

US06526087B1 Distributed feedback semiconductor laser 失效
标题翻译：分布式反馈半导体激光器
公开(公告)号：US06526087B1
公开(公告)日：2003-02-25
申请号：US09524219
申请日：2000-03-13
申请人： Tetsuro Okuda
发明人： Tetsuro Okuda
IPC分类号： H01S500
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/1064 , H01S5/12 , H01S5/164 , H01S5/2077
摘要： In a distributed feedback semiconductor laser having at least an active layer and a diffraction grating on a semiconductor substrate and so constructed that a current is injected uniformly over an axial direction of a resonator, a bandgap wavelength of the active layer in the neighborhood of a light outputting end or a backward end opposite to the light outputting end, is shorter than that in the other region of the active layer along the axial direction of the resonator.
摘要翻译：在半导体衬底上至少具有有源层和衍射光栅的分布式反馈半导体激光器中，其结构使电流在谐振器的轴向上均匀地注入，有源层在光的附近的带隙波长与光输出端相对的输出端或后端比沿着谐振器的轴向的有源层的另一区域的端部短。

10. 发明授权

US5982798A Semiconductor laser and process for production thereof 失效
标题翻译：半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：US5982798A
公开(公告)日：1999-11-09
申请号：US898108
申请日：1997-07-22
申请人： Tetsuro Okuda
发明人： Tetsuro Okuda
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/042 , H01S5/062 , H01S5/227 , H01S3/19
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2277
摘要： In a semiconductor laser for analog modulation, intermodulation distortion at high temperatures and/or at high outputs is reduced. In a DC-PBH semiconductor laser, the width (Wm) of the electrode mesa 11 is set at 10 .mu.m or less, and the width of each recombination layer 2 is set at 0.1 .mu.m or more. Further, the distance between one end of the active layer 1 and one end of each current-blocking layer 5 is set at 0.01 .mu.m to 0.5 .mu.m.
摘要翻译：在用于模拟调制的半导体激光器中，降低了高温和/或高输出时的互调失真。在DC-PBH半导体激光器中，将电极台面11的宽度（Wm）设定为10μm以下，将各复合层2的宽度设定为0.1μm以上。此外，有源层1的一端与各阻流层5的一端之间的距离为0.01μm〜0.5μm。

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