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    • 2. 发明授权
      US5853921A Methods of fabricating phase shift masks by controlling exposure doses 失效
    • Methods of fabricating phase shift masks by controlling exposure doses
    • 通过控制暴露剂量制造相移掩模的方法
    • US5853921A
    • 1998-12-29
    • US905792
    • 1997-07-28
    • Seong-yong Moon , In-kyun Shin , Ho-young Kang
    • Seong-yong Moon , In-kyun Shin , Ho-young Kang
    • G03F1/30 , G03F1/68 , G03F1/80 , H01L21/027 , G03F9/00
    • G03F1/30
    • A phase shift mask is fabricated by forming a radiation blocking layer on a phase shift mask substrate and forming a photoresist layer on the radiation blocking layer. First portions of the photoresist layer are exposed at a first exposure dose. Second portions of the photoresist layer are exposed at a second exposure dose that is greater than the first exposure dose, such that the second portions of the photoresist layer are wider than the first portions of the photoresist layer. The radiation blocking layer is etched using the photoresist layer as an etch mask, to thereby produce first apertures in the radiation blocking layer beneath the first portions of the photoresist layer and second apertures in the radiation blocking layer which are wider than the first apertures, beneath the second portions of the photoresist layer. The phase shift mask substrate is then etched beneath the second apertures. The first and second exposures are preferably performed by exposing the photoresist layer to electron beams of first and second exposure doses. The first and second portions of the photoresist layer may be overlapping or nonoverlapping. The first and second exposure doses may be multiple exposure doses which cumulatively provide the first and second exposure doses.
    • 通过在相移掩模基板上形成辐射阻挡层并在辐射阻挡层上形成光致抗蚀剂层来制造相移掩模。 光致抗蚀剂层的第一部分以第一曝光剂量曝光。 光致抗蚀剂层的第二部分以比第一曝光剂量大的第二曝光剂量曝光，使得光致抗蚀剂层的第二部分比光致抗蚀剂层的第一部分宽。 使用光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻辐射阻挡层，从而在光致抗蚀剂层的第一部分下方的辐射阻挡层和辐射阻挡层中的第二孔之下产生比第一孔更宽的第一孔，下面 光致抗蚀剂层的第二部分。 然后在第二孔下方蚀刻相移掩模衬底。 第一和第二曝光优选通过将光致抗蚀剂层暴露于第一和第二曝光剂量的电子束来进行。 光致抗蚀剂层的第一和第二部分可以是重叠的或不重叠的。 第一和第二暴露剂量可以是累积提供第一和第二暴露剂量的多次暴露剂量。
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    • 3. 发明授权
      US5741613A Methods of forming half-tone phase-shift masks with reduced susceptiblity to parasitic sputtering 失效
    • Methods of forming half-tone phase-shift masks with reduced susceptiblity to parasitic sputtering
    • 形成对寄生溅射具有降低的敏感性的半色调相移掩模的方法
    • US5741613A
    • 1998-04-21
    • US713953
    • 1996-09-13
    • Seong-yong Moon , Jong-wook Kye , Sung-gi Kim , Sung-chul Lim , In-kyun Shin
    • Seong-yong Moon , Jong-wook Kye , Sung-gi Kim , Sung-chul Lim , In-kyun Shin
    • G03F1/32 , G03F1/68 , G03F1/80 , H01L21/027 , G03F9/00
    • G03F1/32
    • Methods of forming half-tone phase-shift masks include the steps of forming a series of layers on a face of a transparent substrate such as quartz. These layers include a phase-shift layer of MoSiON, a layer of opaque material (e.g., chrome) for blocking light on the phase-shift layer and a photoresist layer on the layer of opaque material. The photoresist layer is then patterned to define a mask having openings therein which expose the layer of opaque material. The layer of opaque material is then patterned using a wet etchant, to expose portions of the phase-shift layer. The patterned photoresist layer is then stripped and a cleaning step is then performed to remove residual defects and marks from the patterned layer of opaque material. The patterned layer of opaque material is then used as a mask during the step of anisotropically dry etching the phase-shift layer using a gas containing CF.sub.4 and O.sub.2, but not CHF.sub.3. The use of a gas containing CF.sub.4 and O.sub.2 inhibits parasitic sputtering of chrome from the patterned layer of opaque material onto the exposed portions of the face of the transparent substrate, during the dry etching step. In contrast, the use of a gas containing CHF.sub.3 and O.sub.2 during dry etching of the phase-shift layer may cause the formation of parasitic defects containing chrome on the face of the transparent substrate. These parasitic defects typically cause a reduction in yield when the phase-shift mask is used in the formation of integrated circuits.
    • 形成半色调相移掩模的方法包括在诸如石英的透明基板的表面上形成一系列层的步骤。 这些层包括MoSiON的相移层，用于阻挡相移层上的光的不透明材料层（例如，铬）和不透明材料层上的光致抗蚀剂层。 然后将光致抗蚀剂层图案化以限定其中具有开口的掩模，其暴露不透明材料层。 然后使用湿蚀刻剂将不透明材料层图案化，以暴露部分相移层。 然后剥离图案化的光致抗蚀剂层，然后执行清洁步骤以从不透明材料的图案化层去除残留的缺陷和痕迹。 然后在使用含有CF4和O2而不是CHF3的气体进行各向异性干蚀刻相移层的步骤期间，将不透明材料的图案化层用作掩模。 在干蚀刻步骤期间，使用含有CF 4和O 2的气体抑制铬从不透明材料的图案化层的阳极溅射到透明基板的表面的暴露部分上。 相反，在相移层的干蚀刻期间使用含有CHF 3和O 2的气体可能导致在透明基底的表面上形成含有铬的寄生缺陷。 当在形成集成电路中使用相移掩模时，这些寄生缺陷通常导致产量的降低。
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    • 7. 发明授权
      US5804338A Photolithography masks including phase-shifting layers and related methods and structures 失效
    • Photolithography masks including phase-shifting layers and related methods and structures
    • 光刻掩模包括相移层及相关方法和结构
    • US5804338A
    • 1998-09-08
    • US742247
    • 1996-10-31
    • Sung-chul Lim , Seong-yong Moon
    • Sung-chul Lim , Seong-yong Moon
    • G03F7/11 , G03F1/00 , G03F1/32 , H01L21/027 , G03F9/00
    • G03F1/32 , G03F1/70
    • A phase-shifting mask is provided for irradiating a microelectronic wafer having first and second wafer regions wherein the first wafer region has a large step difference relative to the second wafer region. The phase-shifting mask includes a substrate which transmits light therethrough and a patterned layer of a phase shifting material which shifts a phase of light transmitted by the substrate. The phase-shifting mask also includes a layer which controls the transmissivity of light through the phase-shifting mask so that a transmissivity of light through a first mask region is small relative to a transmissivity of light through a second mask region wherein the first mask region corresponds to the first wafer region and the second mask region corresponds to the second wafer region. Related masks and structures are also discussed.
    • 提供一种用于照射具有第一和第二晶片区域的微电子晶片的相移掩模，其中第一晶片区域相对于第二晶片区域具有大的阶梯差。 相移掩模包括透射光的衬底和移动由衬底透射的光的相移材料的图案化层。 相移掩模还包括控制通过相移掩模的光的透射率的层，使得通过第一掩模区的光的透射率相对于通过第二掩模区的光的透射率小，其中第一掩模区 对应于第一晶片区域，第二掩模区域对应于第二晶片区域。 还讨论了相关的掩模和结构。
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    • 8. 发明授权
      US07560198B2 Photo-mask having exposure blocking region and methods of designing and fabricating the same 有权
    • Photo-mask having exposure blocking region and methods of designing and fabricating the same
    • 具有曝光阻挡区域的光掩模及其设计和制造方法
    • US07560198B2
    • 2009-07-14
    • US11145985
    • 2005-06-07
    • Il-Yong Jang , Seong-Woon Choi , Seong-Yong Moon , Jeong-Yun Lee , Sung-Hoon Jang
    • Il-Yong Jang , Seong-Woon Choi , Seong-Yong Moon , Jeong-Yun Lee , Sung-Hoon Jang
    • G03F1/00
    • G03F1/36
    • A photo-mask has a main mask pattern in a main region, a density correcting pattern in a peripheral region, and an exposure blocking pattern interposed between the main mask pattern and density correcting pattern. The exposure blocking pattern is configured to prevent the density correcting pattern from being transcribed to a wafer. The photo-mask is made by providing mask substrate on which a mask layer and a photoresist layer are disposed, providing design data that specifies at least the main mask pattern, and using the design data to derive exposure data that controls the exposure of the photoresist layer. The exposure data includes information that specifies the exposure blocking pattern, the portion of the peripheral region to be occupied by the density correcting pattern, and the pattern density of that portion of the peripheral region to be occupied by the density correcting pattern.
    • 光掩模在主区域中具有主掩模图案，在周边区域中具有浓度校正图案，以及插入在主掩模图案和密度校正图案之间的曝光阻挡图案。 曝光阻挡图案被配置为防止将密度校正图案转录到晶片。 光掩模是通过提供其上设置有掩模层和光致抗蚀剂层的掩模基板制成的，提供至少指定主掩模图案的设计数据，并且使用该设计数据来导出控制光致抗蚀剂曝光的曝光数据 层。 曝光数据包括指定曝光阻挡图案的信息，由密度校正图案占据的外围区域的部分以及由密度校正图案占据的外围区域的那部分的图案密度。
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