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    • 22. 发明申请
      US20080090325A1 METHOD FOR PRODUCING ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS 审中-公开
    • METHOD FOR PRODUCING ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS
    • 用于生产有机场效应晶体管的方法
    • US20080090325A1
    • 2008-04-17
    • US11550229
    • 2006-10-17
    • Martin KOENEMANN , Peter Erk , Zhenan Bao , Mang Mang Ling
    • Martin KOENEMANN , Peter Erk , Zhenan Bao , Mang Mang Ling
    • H01L51/40 , C07D471/02 , C07D471/22
    • C07D493/06 , C07D471/06 , H01L27/283 , H01L51/0053 , H01L51/0545
    • A method for producing an organic field-effect transistor, comprising the steps of: a) providing a substrate comprising a gate structure, a source electrode and a drain electrode located on the substrate, and b) applying an n-type organic semiconducting compound to the area of the substrate where the gate structure, the source electrode and the drain electrode are located, wherein the n-type organic semiconducting compound is selected from the group consisting of compounds of the formula I wherein R1, R2, R3 and R4 are independently hydrogen, chlorine or bromine, with the proviso that at least one of these radicals is not hydrogen, Y1 is O or NRa, wherein Ra is hydrogen or an organyl residue, Y2 is O or NRb, wherein Rb is hydrogen or an organyl residue, Z1, Z2, Z3 and Z4 are O, where, in the case that Y1 is NRa, one of the residues Z1 and Z2 may be a NRc group, where Ra and Rc together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds, where, in the case that Y2 is NRb, one of the residues Z3 and Z4 may be a NRd group, where Rb and Rd together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds.
    • 一种制造有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：a）提供包括位于所述衬底上的栅极结构，源电极和漏极的衬底，以及b）将n型有机半导体化合物施加到 栅极结构，源电极和漏电极所在的衬底的区域，其中n型有机半导体化合物选自式I化合物，其中R 1， R 2，R 3和R 4独立地是氢，氯或溴，条件是这些基团中的至少一个不是 氢，Y 1是O或NR a，其中R a是氢或有机残基，Y 2， 是O或NR b，其中R b是氢或有机残基，Z 1，Z 2， Z 3和Z 4是O，其中，在Y 1是NR a a的情况下， 残基Z 1和Z 2中的一个可以是NR c，其中R a， 另一方面，在末端键之间具有2〜5个原子的桥连基团，其中，在Y 2的情况下，NR 2是其中之一， 残基Z 3和Z 4可以是NR d D基团，其中R b和R 4都是 一起是在末端键之间具有2至5个原子的桥连基团。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 24. 发明授权
      US07145010B2 Tert-alkylphenoxy-substituted polycyclic compounds 有权
    • Tert-alkylphenoxy-substituted polycyclic compounds
    • 叔烷基苯氧基取代的多环化合物
    • US07145010B2
    • 2006-12-05
    • US10472546
    • 2002-03-20
    • Arno Boehm , Willi Helfer , Georg Beck , Matthias Krieger , Peter Erk
    • Arno Boehm , Willi Helfer , Georg Beck , Matthias Krieger , Peter Erk
    • C07D221/18 , D06P1/00
    • C07D241/38 , C07D209/56 , C07D211/08 , C07D471/06 , C07D487/06 , C08K5/0041 , C09B3/44 , C09B5/62 , C09B47/18 , C09B69/00 , C09D5/36 , C09D11/037
    • Tert-alkylphenoxy-substituted polycyclic compounds of the general formula I where P is a conjugated polycyclic radical which is stable to bases and nucleophiles, optionally bears aryl substituents and contains no group from the group consisting of —CO—NH—CO—, —COOH and —CO—O—CO—; R is C1–C8-alkyl, whose carbon chain may be interrupted by one or more groups selected from the group consisting of —O—, —S—, —NR1—, —CO— and/or —SO2— and which may be monosubstituted or polysubstituted by C1–C6-alkoxy or by a 5- to 7-membered heterocyclic radical which is attached via a nitrogen atom and may contain further heteroatoms and be aromatic; C5–C8-cycloalkyl whose carbon chain may be interrupted by one or more groups selected from the group consisting of —O—, —S—, —NR1—, —CO— and/or —SO2— and which may be monosubstituted or polysubstituted by C1–C6-alkyl; R1 is hydrogen or C1–C6-alkyl; Hal is chlorine and/or bromine; m is from 0 to 15; n is from 1 to 16, subject to the proviso that the sum m+n is ≦16, are prepared and used.
    • 通式I的叔烷基苯氧基取代的多环化合物，其中P是对碱和亲核试剂稳定的共轭多环基团，任选地带有芳基取代基，并且不包含-CO-NH-CO-，-COOH 和-CO-O-CO-; R是C 1 -C 8 - 烷基，其碳链可以被一个或多个选自-O - ， - S - ， - NR 1 - ， - CO - 和/或-SO 2 - ，并且其可以被C 1 -C 1单取代或多取代， 6 - 烷氧基或通过氮原子连接并可以含有其它杂原子并且为芳族的5-至7-元杂环基; C 5 -C 8 -C 8 - 环烷基，其碳链可被一个或多个选自-O - ， - S - ， - NR < -CO - 和/或-SO 2 - ，并且其可以被C 1 -C 6单取代或多取代， 亚烷基; R 1是氢或C 1 -C 6 - 烷基; Hal是氯和/或溴; m为0〜15; n为1至16，但条件是m + n之和<= 16，并被使用。
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    • 28. 发明授权
      US07910736B2 Method for producing organic field-effect transistors 有权
    • Method for producing organic field-effect transistors
    • 制造有机场效应晶体管的方法
    • US07910736B2
    • 2011-03-22
    • US11744611
    • 2007-05-04
    • Martin Koenemann , Peter Erk , Zhenan Bao , Mang-Mang Ling
    • Martin Koenemann , Peter Erk , Zhenan Bao , Mang-Mang Ling
    • C07D471/02 , H01L51/50 , H01L31/112
    • H01L51/0053 , C07D471/06 , C07D471/16 , C07D493/06 , H01L27/283 , H01L51/0545 , H01L51/0558
    • A method for producing an organic field-effect transistor, comprising the steps of: a) providing a substrate comprising a gate structure, a source electrode and a drain electrode located on the substrate, and b) applying an n-type organic semiconducting compound to the area of the substrate where the gate structure, the source electrode and the drain electrode are located, wherein the n-type organic semiconducting compound is selected from the group consisting of compounds of the formula I wherein R1, R2, R3and R4are independently hydrogen, chlorine or bromine, with the proviso that at least one of these radicals is not hydrogen, Y1 is O or NRa, wherein Ra is hydrogen or an organyl residue, Y2 is O or NRb, wherein Rb is hydrogen or an organyl residue, Z1, Z2, Z3 and Z4 are O, where, in the case that Y1 is NRa, one of the residues Z1 and Z2 may be a NRc group, where Ra and Rc together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds, where, in the case that Y2 is NRb, one of the residues Z3 and Z4 may be a NRd group, where Rb and Rd together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds.
    • 一种制造有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：a）提供包括位于所述衬底上的栅极结构，源电极和漏极的衬底，以及b）将n型有机半导体化合物施加到 所述栅极结构，所述源极电极和所述漏电极所在的衬底的区域，其中所述n型有机半导体化合物选自由式I化合物组成的组，其中R 1，R 2，R 3和R 4独立地为氢， 氯或溴，条件是这些基团中的至少一个不是氢，Y1是O或NRa，其中Ra是氢或有机残基，Y2是O或NRb，其中Rb是氢或有机残基，Z1， Z2，Z3和Z4是O，其中在Y1是NRa的情况下，残基Z1和Z2之一可以是NRc基团，其中R a和R c一起是在末端键之间具有2至5个原子的桥连基团， 其中，在Y2为NRb的情况下， 残基Z3和Z4之一可以是NRd基团，其中Rb和Rd一起是在末端键之间具有2至5个原子的桥连基团。
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