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    • 26. 发明授权
    • RC corner solutions for double patterning technology
    • 用于双重图案化技术的RC角解决方案
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    • G06F17/50
    • G06F17/5068
    • A method includes determining model parameters for forming an integrated circuit, and generating a techfile using the model parameters. The techfile includes at least two of a C_worst table, a C_best table, and a C_nominal table. The C_worst table stores greatest parasitic capacitances between layout patterns of the integrated circuit when lithography masks comprising the layout patterns shift relative to each other. The C_best table stores smallest parasitic capacitances between the layout patterns when the lithography masks shift relative to each other. The C_nominal table stores nominal parasitic capacitances between the layout patterns when the lithography masks do not shift relative to each other. The techfile is embodied on a tangible non-transitory storage medium.
    • 一种方法包括确定用于形成集成电路的模型参数,以及使用模型参数生成技术文件。 该技术文件包括C_worst表,C_best表和C_nominal表中的至少两个。 当包括布局图案的光刻掩模相对于彼此移动时,C_worst表存储集成电路的布局图案之间的最大寄生电容。 当光刻掩模相对于彼此移动时,C_best表存储布局图案之间的最小寄生电容。 当光刻掩模不相对于彼此移动时,C_nominal表存储布局图案之间的标称寄生电容。 该技术文件体现在有形的非暂时性存储介质上。