专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI685978B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI685978B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW108100348
申请日：2019-01-04
申请人：力晶積成電子製造股份有限公司 , POWERCHIP SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION
发明人：廖宏魁 , LIAO, HUNG-KWEI , 劉振強 , LIU, CHEN-CHIANG , 時國昇 , SHIH, KUO-SHENG , 施詠堯 , SHIH, YUNG-YAO , 徐銘聰 , HSU, MING-TSUNG
IPC分类号： H01L29/80 , H01L21/76 , H01L21/265

2. 发明专利

TWI613830B 穿隧式場效電晶體及製造此種電晶體之方法有权
简体标题：穿隧式场效应管及制造此种晶体管之方法
公开(公告)号：TWI613830B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104125199
申请日：2015-08-04
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：帕拉克巴特羅梅詹 , PAWLAK, BARTLOMIEJ JAN
IPC分类号： H01L29/80 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66977 , H01L21/823418 , H01L29/083 , H01L29/0834 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L29/41783 , H01L29/66356 , H01L29/66522 , H01L29/66545 , H01L29/66666 , H01L29/7391 , H01L29/7827 , H01L29/7848

3. 发明专利

TWI512968B 垂直通道式之接面場效電晶體有权
简体标题：垂直信道式之接面场效应管
公开(公告)号：TWI512968B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102124901
申请日：2013-07-11
申请人：芯巧科技股份有限公司
发明人：梁偉成
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/80

4. 发明专利

TW201712865A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201712865A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104131553
申请日：2015-09-24
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI-FAN , 楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/80
CPC分类号： H01L23/5286 , H01L23/5226 , H01L29/0649 , H01L29/41758 , H01L29/4238
摘要：一種半導體裝置包含元件層、源極電極、汲極電極、閘極電極、源極匯流排、汲極匯流排、第一閘極匯流排與第二閘極匯流排。源極電極、汲極電極與閘極電極置於元件層上且沿第一方向延伸。閘極電極分別置於源極電極與汲極電極之間。源極匯流排、汲極匯流排、第一閘極匯流排與第二閘極匯流排沿與第一方向交錯之第二方向延伸。源極匯流排與汲極匯流排分別電性連接源極電極與汲極電極。第一閘極匯流排與第二閘極匯流排連接閘極電極。第一閘極匯流排置於源極電極的一端。源極電極橫跨第二閘極匯流排。
简体摘要：一种半导体设备包含组件层、源极电极、汲极电极、闸极电极、源极总线、汲极总线、第一闸极总线与第二闸极总线。源极电极、汲极电极与闸极电极置于组件层上且沿第一方向延伸。闸极电极分别置于源极电极与汲极电极之间。源极总线、汲极总线、第一闸极总线与第二闸极总线沿与第一方向交错之第二方向延伸。源极总线与汲极总线分别电性连接源极电极与汲极电极。第一闸极总线与第二闸极总线连接闸极电极。第一闸极总线置于源极电极的一端。源极电极横跨第二闸极总线。

5. 发明专利

TW201624736A 使用具有表面終止端的奈米線所形成定標的ＴＦＥＴ電晶體审中-公开
简体标题：使用具有表面终止端的奈米线所形成定标的ＴＦＥＴ晶体管
公开(公告)号：TW201624736A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104126888
申请日：2015-08-18
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：艾維可尤嘉 , AVCI, UYGAR E. , 羅伊斯瑞菲爾 , RIOS, RAFAEL , 坎恩克萊恩 , KUHN, KELIN J. , 楊艾恩 , YOUNG, IAN A. , 韋伯賈斯汀 , WEBER, JUSTIN R.
IPC分类号： H01L29/80 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/785 , B82Y10/00 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/24 , H01L29/66795 , H01L29/7391
摘要：說明了一TFET，其包含：具有用於形成源極及汲極區域之摻雜區域的奈米線，以及用於耦合至閘極區域的未摻雜區域；及形成在奈米線之上的第一終止端材料；以及形成在與閘極及源極區域重疊的奈米線之區段之上的第二終止端材料。說明了另一TFET，其包含：具有用於形成源極及汲極區域之摻雜區域的奈米線之第一區段，及用於耦合至閘極區域的未摻雜區域；奈米線之第二區段正交於第一區段而延伸，第二區段形成鄰近閘極及源極區域；以及形在在奈米線之第一與第二區段之上的終止端材料。
简体摘要：说明了一TFET，其包含：具有用于形成源极及汲极区域之掺杂区域的奈米线，以及用于耦合至闸极区域的未掺杂区域；及形成在奈米线之上的第一终止端材料；以及形成在与闸极及源极区域重叠的奈米线之区段之上的第二终止端材料。说明了另一TFET，其包含：具有用于形成源极及汲极区域之掺杂区域的奈米线之第一区段，及用于耦合至闸极区域的未掺杂区域；奈米线之第二区段正交于第一区段而延伸，第二区段形成邻近闸极及源极区域；以及形在在奈米线之第一与第二区段之上的终止端材料。

6. 发明专利

TWI462293B 增強型電晶體及其形成方法有权
简体标题：增强型晶体管及其形成方法
公开(公告)号：TWI462293B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100123820
申请日：2011-07-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：卡尼斯基亞歷山大 , KALNITSKY, ALEXANDER , 熊志文 , HSIUNG, CHIH WEN , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/80
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/42316 , H01L29/66143 , H01L29/7787

7. 发明专利

TW201839988A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201839988A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106113884
申请日：2017-04-26
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林文新 , LIN, WEN HSIN , 林鑫成 , LIN, SHIN CHENG , 吳政璁 , WU, CHENG TSUNG , 胡鈺豪 , HO, YU HAO
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/80 , H01L21/22 , H01L21/337
摘要：一種半導體裝置，包括一半導體基底、一第一井區、一第二井區、一第一摻雜區、一第二摻雜區、一第三摻雜區以及一第四摻雜區。半導體基底具有一第一導電型。第一井區形成於半導體基底中，並具有一第二導電型。第一井區具有一第一區域以及一第二區域。第一區域的摻雜濃度高於第二區域的摻雜濃度。第二井區具有第一導電型，並形成於第一區域之中。第一摻雜區具有第二導電型，並形成於第一區域之中。第二導電型不同於第一導電型。第二摻雜區具有第一導電型，並形成於第二井區之中。第三摻雜區具有第一導電型，並形成於第二區域之中。第四摻雜區具有第二導電型，並形成於第一區域之中。
简体摘要：一种半导体设备，包括一半导体基底、一第一井区、一第二井区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一第四掺杂区。半导体基底具有一第一导电型。第一井区形成于半导体基底中，并具有一第二导电型。第一井区具有一第一区域以及一第二区域。第一区域的掺杂浓度高于第二区域的掺杂浓度。第二井区具有第一导电型，并形成于第一区域之中。第一掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。第二导电型不同于第一导电型。第二掺杂区具有第一导电型，并形成于第二井区之中。第三掺杂区具有第一导电型，并形成于第二区域之中。第四掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。

8. 发明专利

TW201832369A 接面場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：接面场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW201832369A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106105557
申请日：2017-02-20
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林文新 , LIN, WEN HSIN , 林鑫成 , LIN, SHIN CHENG , 吳政璁 , WU, CHENG TSUNG , 胡鈺豪 , HO, YU HAO
IPC分类号： H01L29/80 , H01L29/36 , H01L21/337
摘要：本發明實施例提供一種接面場效電晶體(junction field effect transistor,JFET)，包括：基板；閘極區域，位於該基板之中且具有第一導電型；源極/汲極區域，位於閘極區域兩側之基板，且具有相反於第一導電型之第二導電型；一對高壓井區(high-voltage well,HVW)，位於源極/汲極區域之下且具有第二導電型；及通道區域，位於閘極區域之下且介於高壓井區之間；其中通道區域具有第二導電型，且其摻雜濃度低於高壓井區之摻雜濃度。
简体摘要：本发明实施例提供一种接面场效应管(junction field effect transistor,JFET)，包括：基板；闸极区域，位于该基板之中且具有第一导电型；源极/汲极区域，位于闸极区域两侧之基板，且具有相反于第一导电型之第二导电型；一对高压井区(high-voltage well,HVW)，位于源极/汲极区域之下且具有第二导电型；及信道区域，位于闸极区域之下且介于高压井区之间；其中信道区域具有第二导电型，且其掺杂浓度低于高压井区之掺杂浓度。

9. 发明专利

TWI624070B 接面場效電晶體及其製造方法有权
简体标题：接面场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TWI624070B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW106105557
申请日：2017-02-20
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林文新 , LIN, WEN HSIN , 林鑫成 , LIN, SHIN CHENG , 吳政璁 , WU, CHENG TSUNG , 胡鈺豪 , HO, YU HAO
IPC分类号： H01L29/80 , H01L29/36 , H01L21/337

10. 发明专利

TWI449160B 用以增強汲光而具有基底修正的發光二極體及其製造方法有权
简体标题：用以增强汲光而具有基底修正的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI449160B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW094121086
申请日：2005-06-24
申请人：克立公司 , CREE, INC.
发明人：麥克斯貝瑞司 , BATRES, MAX , 詹姆士伊貝森 , IBBETSON, JAMES , 酈挺 , LI, TING
IPC分类号： H01L27/10 , H01L29/80 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L2224/13 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2224/0401

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式