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1. 发明专利

TW202015061A 應用於快閃記憶體控制器的編碼器自我測試電路及相關的方法审中-公开
简体标题：应用于闪存控制器的编码器自我测试电路及相关的方法
公开(公告)号：TW202015061A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW107135926
申请日：2018-10-12
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：楊宗杰 , YANG, TSUNG-CHIEH
IPC分类号： G11C29/12
摘要：本發明揭露一種應用於快閃記憶體控制器的編碼器自我測試電路，其包含有一控制電路以及一編碼器。在編碼器自我測試電路的操作中，在不對任何快閃記憶體進行存取的情形下，該控制電路產生一輸入資料至該編碼器，該編碼器對該輸入資料進行編碼以產生一校驗碼至該控制電路，以供判斷該編碼器的功能是否正常。
简体摘要：本发明揭露一种应用于闪存控制器的编码器自我测试电路，其包含有一控制电路以及一编码器。在编码器自我测试电路的操作中，在不对任何闪存进行存取的情形下，该控制电路产生一输入数据至该编码器，该编码器对该输入数据进行编码以产生一校验码至该控制电路，以供判断该编码器的功能是否正常。

2. 发明专利

TWI647703B 記憶體測試方法有权
简体标题：内存测试方法
公开(公告)号：TWI647703B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW107101838
申请日：2018-01-18
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林立偉 , LIN, LIH WEI , 蔡宗寰 , TSAI, TSUNG HUAN , 鄭如傑 , CHENG, JU CHIEH
IPC分类号： G11C29/12 , G11C29/42

3. 发明专利

TW201603036A 具自我驗證功能的積體電路、其驗證方法及產生自我測試特徵值調整碼的方法审中-公开
简体标题：具自我验证功能的集成电路、其验证方法及产生自我测试特征值调整码的方法
公开(公告)号：TW201603036A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103123374
申请日：2014-07-07
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：翁啟舜 , WENG, CHI SHUN , 郭俊儀 , KUO, CHUN YI
IPC分类号： G11C29/12
CPC分类号： G01R31/31935 , G01R31/3187
摘要：一種積體電路包含有一內建自我測試電路、一預定特徵值以及一唯讀記憶體，其中該預定特徵值預存於該積體電路中，該唯讀記憶體儲存有至少一有效資訊以及一內建自我測試特徵值調整碼，該內建自我測試特徵值調整碼與該唯讀記憶體中所儲存的所有具有功能性的有效資訊均沒有相關；其中該內建自我測試電路係用來對該唯讀記憶體中所儲存的內容進行測試而產生一特徵值，並將該特徵值與該預定特徵值相比對，以判斷該唯讀記憶體中所儲存的內容是否有錯誤。
简体摘要：一种集成电路包含有一内置自我测试电路、一预定特征值以及一唯读内存，其中该预定特征值预存于该集成电路中，该唯读内存存储有至少一有效信息以及一内置自我测试特征值调整码，该内置自我测试特征值调整码与该唯读内存中所存储的所有具有功能性的有效信息均没有相关；其中该内置自我测试电路系用来对该唯读内存中所存储的内容进行测试而产生一特征值，并将该特征值与该预定特征值相比对，以判断该唯读内存中所存储的内容是否有错误。

4. 发明专利

TWI509622B 具分散錯誤功能的記憶體及其分散錯誤位元的方法有权
简体标题：具分散错误功能的内存及其分散错误比特的方法
公开(公告)号：TWI509622B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102124565
申请日：2013-07-09
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：呂學坤 , LU, SHYUE KUNG , 鄭浩晟 , JHENG, HAO CHENG
IPC分类号： G11C29/42 , G11C29/12
CPC分类号： G11C29/4401 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C29/76 , G11C29/808

5. 发明专利

TW201430849A 非揮發性記憶體的故障遮蔽方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存的故障屏蔽方法
公开(公告)号：TW201430849A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102101601
申请日：2013-01-16
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：呂學坤 , LU, SHYUE KUNG , 李紫琳 , LI, TSU LIN
IPC分类号： G11C29/12
CPC分类号： G11C29/76 , G11C29/4401 , G11C29/822 , G11C2029/4402
摘要：一種非揮發性記憶體的故障遮蔽方法，其係應用於一非揮發性記憶體陣列(340)。非揮發性記憶體陣列包括一故障晶胞(342)，並電性連接於一位址暫存器(310)，位址暫存器(310)會提供一第一位址(311)。故障晶胞(342)係僅能輸出一固定值，第一位址的內容(311)並不等於此固定值。非揮發性記憶體的故障遮蔽方法包括：提供一變補器(320)，其係電性連接於位址暫存器(310)及故障晶胞(342)之間；提供一控制字(322)，並將第一位址(311)及控制字(322)寫入至變補器(320)中；利用變補器(320)將第一位址(311)及控制字(322)進行一補數運算進而得到一第二位址，其中第二位址的內容等於該固定值，並使第二位址的內容(312)輸入故障晶胞(342)中。本發明應用在非揮發性記憶體中可大量減少甚至不配置備用機制即可降低製造成本，並且亦可提升非揮發性記憶體的製程良率。
简体摘要：一种非挥发性内存的故障屏蔽方法，其系应用于一非挥发性内存数组(340)。非挥发性内存数组包括一故障晶胞(342)，并电性连接于一位址寄存器(310)，位址寄存器(310)会提供一第一位址(311)。故障晶胞(342)系仅能输出一固定值，第一位址的内容(311)并不等于此固定值。非挥发性内存的故障屏蔽方法包括：提供一变补器(320)，其系电性连接于位址寄存器(310)及故障晶胞(342)之间；提供一控制字(322)，并将第一位址(311)及控制字(322)写入至变补器(320)中；利用变补器(320)将第一位址(311)及控制字(322)进行一补数运算进而得到一第二位址，其中第二位址的内容等于该固定值，并使第二位址的内容(312)输入故障晶胞(342)中。本发明应用在非挥发性内存中可大量减少甚至不配置备用机制即可降低制造成本，并且亦可提升非挥发性内存的制程良率。

6. 发明专利

TW201419294A 具嵌入式非揮發性記憶體之晶片及其測試方法审中-公开
简体标题：具嵌入式非挥发性内存之芯片及其测试方法
公开(公告)号：TW201419294A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW101141614
申请日：2012-11-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：吳俊諺 , WU, CHUN YEN , 許績群 , HSU, CHI CHUN , 黃柏森 , HUANG, PO SEN , 黃立仁 , HUANG, LI REN , 謝文達 , HSIEH, WEN DAR
IPC分类号： G11C29/12 , G11C29/48
CPC分类号： G11C29/00 , G11C29/08 , G11C29/16 , G11C2029/0401
摘要：揭露一種具嵌入式非揮發性記憶體之晶片及其測試方法實施範例。重新對映電路與非揮發性記憶體與處理器電性連接。非揮發性記憶體具有測試區與待測區，測試區儲存有測試程式，待測區儲存有待測資料。當處理器對晶片進行測試時，處理器輸出一原始指令位址，重新對映電路對原始指令位址進行重新對映，以產生一重新對映後指令位址。處理器根據重新對映後指令位址讀取測試區中之測試程式並執行測試程式，以對待測區所儲存之待測資料進行讀取與邏輯觸發測試。
简体摘要：揭露一种具嵌入式非挥发性内存之芯片及其测试方法实施范例。重新映射电路与非挥发性内存与处理器电性连接。非挥发性内存具有测试区与待测区，测试区存储有测试进程，待测区存储有待测数据。当处理器对芯片进行测试时，处理器输出一原始指令位址，重新映射电路对原始指令位址进行重新映射，以产生一重新映射后指令位址。处理器根据重新映射后指令位址读取测试区中之测试进程并运行测试进程，以对待测区所存储之待测数据进行读取与逻辑触发测试。

7. 发明专利

TW201413729A 儲存修復資料的方法及系統审中-公开
简体标题：存储修复数据的方法及系统
公开(公告)号：TW201413729A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102126832
申请日：2013-07-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：阿德漢薩曼M I , ADHAM, SAMAN M. I. , 洪照榮 , HUNG, CHAO JUNG
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/12
CPC分类号： G11C29/4401 , G11C17/146 , G11C17/16 , G11C29/785 , G11C2029/4402
摘要：本發明提供修復或錯誤記錄資料的儲存機制使得不同測試階段的修復資料儲存在相同區段中。此儲存機制利用內建自我測試及修復模組的複本修復資料儲存單元。內建自我測試及修復模組的修復資料儲存單元與複本修復資料儲存單元將目前測試階段的新修復資料從先前測試階段的修復資料區別出來。內建自我測試及修復模組中的互斥或邏輯閘以及記憶體陣列中互斥或邏輯閘與修復資料儲存單元之間的連結線亦協助進行區別。由於區別了新舊修復資料，新修復資料可被儲存於一次性編程記憶體中已使用的記憶體單元旁的記憶體單元。
简体摘要：本发明提供修复或错误记录数据的存储机制使得不同测试阶段的修复数据存储在相同区段中。此存储机制利用内置自我测试及修复模块的复本修复数据存储单元。内置自我测试及修复模块的修复数据存储单元与复本修复数据存储单元将目前测试阶段的新修复数据从先前测试阶段的修复数据区别出来。内置自我测试及修复模块中的互斥或逻辑门以及内存数组中互斥或逻辑门与修复数据存储单元之间的链接线亦协助进行区别。由于区别了新旧修复数据，新修复数据可被存储于一次性编程内存中已使用的内存单元旁的内存单元。

8. 发明专利

TW201403612A 用於堆疊記憶體架構之內建自我測試审中-公开
简体标题：用于堆栈内存架构之内置自我测试
公开(公告)号：TW201403612A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102108646
申请日：2013-03-12
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：克布拉達山 , KOBLA, DARSHAN , 齊莫曼大衛 , ZIMMERMAN, DAVID J. , 納塔拉洋維摩 , NATARAJAN, VIMAL K.
IPC分类号： G11C29/12 , G11C11/401
CPC分类号： G06F11/27 , G11C29/16 , G11C29/4401 , G11C2029/0405 , G11C2029/0407 , G11C2029/4402
摘要：用於堆疊記憶體架構的內建自行測試。記憶體裝置的實施例包含記憶體堆疊，記憶體堆疊包括一或更多DRAM(動態隨機存取記憶體)元件；以及，系統元件，用於記憶體堆疊的控制。系統元件包含：內建自行測試(BIST)引擎，以產生用於記憶體堆疊的寫入測試事件或讀取測試事件；測試介面，從內建自行測試引擎接收用於寫入測試事件或讀取測試事件的測試資料；以及，記憶體控制器，記憶體控制從測試介面接收至少一部份測試資料，以及在記憶體堆疊的動態隨機存取記憶體元件實施寫入測試事件或讀取測試事件。
简体摘要：用于堆栈内存架构的内置自行测试。内存设备的实施例包含内存堆栈，内存堆栈包括一或更多DRAM(动态随机存取内存)组件；以及，系统组件，用于内存堆栈的控制。系统组件包含：内置自行测试(BIST)发动机，以产生用于内存堆栈的写入测试事件或读取测试事件；测试界面，从内置自行测试发动机接收用于写入测试事件或读取测试事件的测试数据；以及，内存控制器，内存控制从测试界面接收至少一部份测试数据，以及在内存堆栈的动态随机存取内存组件实施写入测试事件或读取测试事件。

9. 发明专利

TWI390537B 用於偵測非揮發式記憶體之相鄰區塊干擾現象的偵測方法失效
简体标题：用于侦测非挥发式内存之相邻区块干扰现象的侦测方法
公开(公告)号：TWI390537B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW097150063
申请日：2008-12-22
申请人：聯詠科技股份有限公司 , NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.
发明人：王政斌 , WANG, CHENG PIN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C29/12
CPC分类号： G11C29/28 , G11C16/04 , G11C29/50

10. 发明专利

TWI600023B 堆疊記憶體之邊界掃瞄鏈有权
简体标题：堆栈内存之边界扫瞄链
公开(公告)号：TWI600023B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104139666
申请日：2012-12-14
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：齊莫曼大衛 , ZIMMERMAN, DAVID J.
IPC分类号： G11C29/32 , G11C29/12 , G01R31/3185
CPC分类号： G11C29/32 , G01R31/3177 , G01R31/318513 , G01R31/318558 , G01R31/318572 , G11C5/04 , G11C11/4087 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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